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彭福川

作品数：7 被引量：24H指数：3
供职机构：福建师范大学物理与光电信息科技学院更多>>
发文基金：福建省教育厅资助项目福建省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 6篇理学

主题

  • 3篇溅射
  • 3篇磁控
  • 3篇磁控溅射
  • 2篇电学
  • 2篇电学性质
  • 2篇氧分压
  • 2篇光学
  • 2篇光学性
  • 2篇光学性质
  • 2篇反应磁控溅射
  • 1篇低压
  • 1篇电特性
  • 1篇电子束蒸发
  • 1篇氧化锌薄膜
  • 1篇异质结
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇射频磁控溅射...
  • 1篇铜薄膜
  • 1篇铜氧化物

机构

  • 7篇福建师范大学
  • 3篇三明学院

作者

  • 7篇彭福川
  • 4篇林丽梅
  • 4篇赖发春
  • 3篇郑明志
  • 3篇肖荣辉
  • 2篇郑卫峰
  • 1篇郑冬梅
  • 1篇吕佩伟
  • 1篇林林
  • 1篇盖荣权
  • 1篇瞿燕

传媒

  • 2篇福建师范大学...
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇漳州师范学院...
  • 1篇闽江学院学报
  • 1篇2010(第...

年份

  • 3篇2011
  • 4篇2010
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
ZnO薄膜的制备及其光电学性质的研究
ZnO有许多优良的光学和电学特性,如：可见光区的高透过率,低的电阻率,强烈吸收紫外光,优良的压电和气敏特性等等；它已经广泛应用在透明导电薄膜、表面声波器件和气体探测器等器件中。ZnO薄膜的光电学性质强烈依赖于其制备的工艺...
彭福川
关键词：ZNO薄膜氧分压
文献传递
氧分压对射频磁控溅射制备氧化锌薄膜光电学性质的影响被引量：6
2011年
利用射频磁控溅射在石英基片上沉积ZnO薄膜.为了研究氧分压对ZnO薄膜的结构和光电学性质的影响,在氧分压0.00,2.54,5.06,7.57 mPa的条件下制备了4个样品.样品的微结构、表面形貌和光电学性质分别用X射线衍射仪、原子力显微镜、分光光度计和Van der Pauw方法进行测量.结果表明,所有样品的主要衍射峰为(002)峰,随氧分压的增加,(002)峰的强度降低,且出现了(101)面的衍射峰.氧分压的升高,薄膜的表面粗糙度和载流子浓度减小,迁移率增大,电阻率从氧分压为0时的0.2Ωcm增加到7.57 mPa时的1 400Ωcm.所有样品在可见光区的平均透过率都大于83%,薄膜的折射率随氧分压的增加而增大,而消光系数和光学带隙则减小.
彭福川林丽梅郑卫峰盖荣权赖发春
关键词：氧化锌薄膜射频磁控溅射氧分压
n-ZnO/p-Si异质结性质的研究
采用射频磁控溅射技术把ZnO薄膜沉积在p-Si(111)基片上形成异质结.为了研究异质结的光学、电学性质，通过对Si基片制绒或增镀SiO2缓冲层制备了不同样品.X射线衍射表明所有样品的ZnO薄膜均有最强的(002)衍射峰...
彭福川
关键词：异质结I-V特性光电特性
铜膜厚度对铜膜结构和光电学性质的影响被引量：4
2010年
采用热蒸发方法在玻璃基片上沉积100 nm以内不同厚度的铜薄膜.利用X射线衍射仪、原子力显微镜和分光光度计分别检测薄膜的结构、表面形貌和光学性质,用Van der Pauw方法测量薄膜的电学性质.结果表明,可以将薄膜按厚度划分为区（0-11.5 nm）的岛状膜、区（11.5-32 nm）的网状膜和区（〉32.0 nm）的连续膜.薄膜的表面粗糙度随膜厚的增加,在、区时增加,区时减小.薄膜电阻在区时无法测量,在区随膜厚的增加急剧下降,而在区时随膜厚增加缓慢减小.薄膜的光学吸收与其表面粗糙度密切相关,其变化规律与表面粗糙度的变化相一致.
肖荣辉郑卫峰郑明志彭福川赖发春
关键词：铜薄膜膜厚光学性质电学性质
反应磁控溅射Cu_2O薄膜的结构和电学性质
2010年
用X射线衍射仪检测薄膜的结构;用分光光度计测量薄膜的透射率和反射率,采用拟合正入射透射谱数据的方法计算薄膜的厚度;用Van der Pauw方法测量薄膜表面电阻和霍尔迁移率,并计算出电阻率和载流子浓度.结果表明,生成单相Cu2O薄膜的氧气流量范围很小,在氧气流量为5-7sccm范围,薄膜主要成分为Cu2O,其中氧氩流量比为6∶25时,生成单相多晶结构的Cu2O薄膜,其表面电阻0.68MΩ/□,电阻率58.29Ω.cm,霍尔迁移率4.73cm2·V-1·s-1,载流子浓度3×1016cm-3.
肖荣辉林丽梅郑明志彭福川郑冬梅
关键词：CU2O反应磁控溅射电学性质
低压高温退火对Ag掺杂ZnO薄膜性质的影响被引量：9
2011年
采用电子束蒸发在n-Si(100)衬底上沉积Ag掺ZnO(ZnO:Ag)薄膜,随后在200 Pa的O2气氛下分别在500、600、700和800℃退火4 h。用X射线衍射(XRD)仪、荧光光谱仪以及Van der Pauw方法测量ZnO:Ag薄膜的结构和光电学性质。结果表明,ZnO:Ag薄膜为多晶结构,且随着退火温度的升高,样品的结晶性能不断提高,晶粒尺寸从500℃的12.37 nm增加到800℃的32.36 nm;光致发光(PL)谱的紫外发射峰随着退火温度的增加向短波方向移动;薄膜的载流子浓度随退火温度升高而单调增加,电阻率则降低;迁移率的变化较为复杂,500℃退火的样品迁移率达到最大值58.80 cm2/Vs,800℃样品的最低为3.16 cm2/Vs。
彭福川吕佩伟林林林丽梅瞿燕赖发春
关键词：电子束蒸发退火
氧气流量对反应磁控溅射铜氧化物薄膜结构和光学性质的影响被引量：2
2010年
反应磁控溅射方法在玻璃基片上沉积铜氧化物薄膜,研究氧气流量对薄膜结构和光学性质的影响.用X射线衍射仪检测薄膜的结构,分光光度计测量薄膜的透射和反射光谱,采用拟合正入射透射光谱数据的方法计算薄膜的折射率、消光系数及厚度.结果表明,薄膜沉积过程中,随着氧气流量的增加,铜氧化生成物从Cu2O逐步过渡到Cu4O3,最后为CuO;当氧氩流量比为6:25时,生成单相多晶结构的Cu2O薄膜,薄膜的折射率和消光系数随波长增加而减小,带隙为2.49 eV;不同氧气流量条件下制备的Cu2O,CuO薄膜的折射率和消光系数随氧流量的增加而增加.
肖荣辉林丽梅郑明志彭福川赖发春
关键词：铜氧化物磁控溅射光学性质
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