张燕峰
- 作品数：15 被引量：24H指数：2
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：广东省重大科技专项国家自然科学基金广东省教育部产学研结合项目更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 一种快速判别温度应力加速实验失效机理一致性的方法
- 本发明涉及一种快速判别温度应力加速实验失效机理一致性的方法，属于加速实验领域。该方法以Arrhenius退化模型为研究基础，结合威布尔寿命分布模型，得到了不同应力水平下，加速寿命实验失效机理一致性与形状参数的关系，然后针...
- 郭春生万宁冯士维张燕峰朱慧
- 文献传递
- 一种测量半导体器件和接触材料间接触热阻的方法
- 本发明属于电子器件测试领域，公开了一种测量半导体器件和接触材料间接触热阻的方法。首先测出待测半导体器件的电压-温度系数曲线，绘制其热阻微分结构函数曲线，进而求出其内部热阻R<Sub>th0</Sub>。然后，测量不同压力...
- 郭春生李睿冯士维张燕峰石磊
- 文献传递
- 一种VDMOS器件结温的测试方法
- 本发明涉及一种VDMOS器件结温测的试方法，包括VDMOS器件1、温箱2、图示仪3、器件夹具4。所述方法在不同温度下对器件进行通态电阻的测量，得到温度-通态电阻的关系曲线；然后，使器件处于工作状态，测量其输出特性曲线，并...
- 郭春生王琳冯士维李睿张燕峰李世伟
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- 恒定温度应力加速实验失效机理一致性快速判别方法被引量：17
- 2013年
- 针对加速实验中因失效机理发生改变而导致的无效实验问题,对失效机理一致性和分别在不同应力下器件的初期退化参数分布的关系进行了研究.研究证明了判断加速实验失效机理一致的条件:1)不同应力下失效分布的形状参数服从一致,即mi=m,i=1,2,3,···,2)尺度参数ηi服从ηi=AFi·η.从而提供一种在实验初期即可根据参数退化分布快速判别不同应力下失效机理是否一致的方法,避免了因失效机理发生改变而造成的无效加速实验.最后对加速实验初期理论退化数据和多芯片组件厚膜电阻初期退化数据进行了威布尔分布参数估计,并对其在不同应力下的失效机理一致性进行了判别.
- 郭春生万宁马卫东张燕峰熊聪冯士维
- 关键词：威布尔分布
- 一种实时测量二极管瞬态温升的方法
- 本发明涉及一种实时测量二极管瞬态温升的方法。首先，在不同温度下对被测二极管进行I-V特性的测量，得到I-V特性曲线。其中二极管所加的电流为窄脉冲电流，可防止二极管自升温。然后，根据I-V特性曲线得到不同电流下电压随温度变...
- 郭春生王琳冯士维李睿张燕峰李世伟
- 一种VDMOS器件结温的测试方法
- 本发明涉及一种VDMOS器件结温测的试方法，包括VDMOS器件1、温箱2、图示仪3、器件夹具4。所述方法在不同温度下对器件进行通态电阻的测量，得到温度‑通态电阻的关系曲线；然后，使器件处于工作状态，测量其输出特性曲线，并...
- 郭春生王琳冯士维李睿张燕峰李世伟
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- 一种实时测量二极管瞬态温升的方法
- 本发明涉及一种实时测量二极管瞬态温升的方法。首先，在不同温度下对被测二极管进行I‑V特性的测量，得到I‑V特性曲线。其中二极管所加的电流为窄脉冲电流，可防止二极管自升温。然后，根据I‑V特性曲线得到不同电流下电压随温度变...
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- AlGaAs/InGaAs PHEMT栅电流参数退化模型研究被引量：1
- 2013年
- 为定量研究在PHEMT栅电流退化过程中,不同失效机理对应的参数退化时间常数及退化比例,本文基于退化过程中物理化学反应中反应量浓度与反应速率的关系,建立了PHEMT栅电流参数退化模型.利用在线实验的方法获得PHEMT电学参数的退化规律,分析参数随时间的退化规律,得到不同时间段内影响栅电流退化的失效机理,并基于栅电流参数退化模型,得到了不同的失效机理对应的参数退化时间常数及退化比例.
- 万宁郭春生张燕峰熊聪马卫东石磊李睿冯士维
- 关键词：PHEMT栅电流肖特基接触
- 基于反应动力学的GaN LED参数退化模型的研究被引量：6
- 2013年
- 加速实验中,参数退化模型描述了参数的退化规律,参数退化规律对应于器件退化机理,而退化机理又对应于内部的物理化学反应.因此,本文基于反应动力学中物理化学反应的温度效应速率模型及反应量浓度随时间的变化规律,研究并建立了GaN LED参数退化模型.本模型尝试从物理机理上解释参数退化过程中的退化规律,包括单调上升或单调下降退化规律、先上升后下降或先下降后上升等非单调退化规律,解决了实验后拟合方法不能建立非单调退化模型的问题.然后对GaN LED进行加速实验,确定模型参数.同时对GaN LED的退化规律进行分解,并且量化了GaN LED两种退化规律的退化比例及时间常数.
- 郭春生张燕峰万宁李睿朱慧冯士维
- 关键词：反应动力学GANLED
- 一种测量半导体器件和接触材料间接触热阻的方法
- 本发明属于电子器件测试领域，公开了一种测量半导体器件和接触材料间接触热阻的方法。首先测出待测半导体器件的电压-温度系数曲线，绘制其热阻微分结构函数曲线，进而求出其内部热阻R<Sub>th0</Sub>。然后，测量不同压力...
- 郭春生李睿冯士维张燕峰石磊
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