张兴尧
- 作品数：35 被引量：34H指数：3
- 供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院西部之光基金中国科学院科研装备研制项目更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信理学机械工程更多>>
- 一种基于浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量测量方法
- 本发明提供一种基于浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量测量方法，主要解决现有技术无法对浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量进行精确测量的技术问题。本发明通过对待测晶体管进行充电后测量，辐照后测量的方法并基于恒流法获取待测晶体管在辐射...
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- 一种数字集成电路辐射效应原位测试系统及测试方法
- 本发明提供一种数字集成电路辐射效应原位测试系统及测试方法，用于解决现有的辐射效应原位测试系统无法实现对数字集成电路的性能和功能进行全面测试的技术问题。测试系统包括驱动单元、采集单元及分析单元；采集单元包括SMU测试模块和...
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- 一种基于宇宙射线的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法
- 本发明涉及一种基于宇宙射线的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法，该方法通过对同一天在轨暗场测试采集到的十幅图进行统计，得到十幅图中宇宙射线轨迹总数，然后统计每条宇宙射线轨迹在图像上经过的列数，找出每条宇宙射线轨迹中灰度...
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- 半导体材料电子非电离能损的分析法计算被引量：1
- 2012年
- 非电离能损(NIEL)可用于预测半导体器件在空间辐射环境中位移损伤引起的性能参数退化,计算模型选用经典NIEL模型,计算了能量范围为100 keV～200 MeV的电子入硅、锗、砷化镓材料的NIEL,及微分散射截面、林哈德因子和位移原子数量等信息。考虑到经典NIEL模型在入射电子能量较低的情况下得出的位移原子数量不够精确,所以用分子动力学(MD)方法加以改良,得出在低能区域更真实的位移原子数量,用于修正经典NIEL,并分析了MD模型下新的位移阈值能对计算结果的影响。
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- 基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究被引量：9
- 2016年
- 对基于4晶体管像素结构互补金属氧化物半导体图像传感器的电离总剂量效应进行了研究,着重分析了器件的满阱容量和暗电流随总剂量退化的物理机理.实验的总剂量为200 krad(Si),测试点分别为30 krad(Si),100 krad(Si),150 krad(Si)和200 krad(Si),剂量率为50 rad(Si)/s.实验结果发现随着辐照总剂量的增加,器件的满阱容量下降并且暗电流显著增加.其中辐照使得传输门沟道掺杂分布发生改变是满阱容量下降的主要原因,而暗电流退化则主要来自于浅槽隔离界面缺陷产生电流和传输门-光电二极管交叠区产生电流.实验还表明样品器件的转换增益在辐照前后未发生明显变化,并且与3晶体管像素结构不同,4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器没有显著的总剂量辐照偏置效应.
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- 关键词：钳位二极管
- 一种星用辐射剂量传感器的老炼筛选方法
- 本发明提供一种星用辐射剂量传感器的老炼筛选方法，该方法首先对辐射剂量传感器受试样品进行输出转移特性曲线测试，筛选出初值合格的辐射剂量传感器受试样品；其次，对初测合格的受试样品分别是在施加低电场应力同时进行高温应力、高低温...
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- 文献传递
- 应用于辐照实验的通用CCD测试电路设计
- 2012年
- 电荷耦合器件(CCD)辐射效应测试系统需具备通用性。通常情况下需要为每一种CCD设计一款测试电路,无法满足通用性要求,通用性电路的难点在于不同CCD要求不同的驱动通道数、驱动时序、信号占空比及工作点。提出了一种适用于多种CCD的测试电路设计方法。以现场可编程门阵列(FPGA)负责时序发生、工作点调节及整个系统的控制,驱动模块采用工作点可调的模式,并结合电荷泵技术,仅需更改FPGA设计及给驱动模块提供不同的工作点电压,便可使以上驱动参数可调,实现测试电路的通用性。采用该方法进行测试还可以适应CCD辐照后工作点的变化。最后通过正确驱动TCD1209线阵CCD和4096×96型TDI-CCD,并对TDI-CCD总剂量辐照实验进行正确的参数测试,验证了通用测试电路设计方法的可行性。
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- 关键词：电荷耦合器件现场可编程门阵列
- 用于焦平面成像器件绝对光谱响应的通用快速测量方法
- 本发明涉及一种用于焦平面成像器件绝对光谱响应的通用快速测量方法，该方法通过整幅图像输出来计算相对光谱响应，结合校准过的参考探测器，实现焦平面成像器件绝对光谱响应的测量；并以光阑对照射到参考探测器及焦平面成像器件上的光斑进...
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- 文献传递
- 串口型铁电存储器总剂量辐射损伤效应和退火特性被引量：3
- 2013年
- 对一款商用串口I2C型铁电存储器进行了60Coγ辐射和退火实验,研究了铁电存储器的总剂量效应和退火特性.使用了超大规模集成电路测试系统测试了铁电存储器的DC,AC,功能参数,分析了辐射敏感参数在辐射和退火过程中的变化规律.实验结果表明:总剂量辐射在器件内产生大量氧化物陷阱电荷,造成了铁电存储器外围控制电路MOS管阈值向负向漂移,氧化物陷阱电荷引入附加电场使铁电薄膜受肖特基发射或空间电荷限制电流的作用,产生辐射感生漏电流.由于浅能级亚稳态的氧化物陷阱电荷数量上多于深能级氧化物陷阱电荷,使得器件功能和辐射敏感参数在常温退火过程中快速恢复.
- 张兴尧郭旗陆妩张孝富郑齐文崔江维李豫东周东
- 关键词：铁电存储器总剂量辐射退火特性
- 不同注量率质子辐照对CCD参数退化的影响分析被引量：1
- 2018年
- 对一款CCD进行了3 MeV质子辐照试验和退火试验,获得了2种注量率质子辐照下CCD参数的退化规律,分析了CCD产生缺陷与质子注量率之间的关系。研究表明:不同注量率质子辐照下,CCD中产生的位移损伤缺陷存在差异,但CCD的暗信号和电荷转移效率没有明显改变,且室温退火后,不同质子注量率辐照下,CCD受到的辐射损伤差异更小。研究结果可为揭示地面模拟实验中质子入射CCD产生缺陷的机制、影响因素及建立质子辐射效应损伤模型提供理论与试验方法的支撑。
- 李豫东文林郭旗何承发周东冯婕张兴尧张兴尧
- 关键词：质子电荷耦合器件
