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尉然

作品数:12 被引量:2H指数:1
供职机构:华南师范大学更多>>
发文基金:广东省科技攻关计划广州市科技攻关项目更多>>
相关领域:电子电信电气工程理学更多>>

文献类型

  • 5篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 6篇半导体
  • 4篇晶体管
  • 4篇发光
  • 3篇双光子
  • 3篇双光子吸收
  • 3篇控制器
  • 3篇控制器件
  • 3篇光子
  • 3篇场效应
  • 3篇场效应晶体管
  • 2篇导体
  • 2篇氧化物半导体
  • 2篇远程
  • 2篇散射
  • 2篇受激
  • 2篇受激喇曼散射
  • 2篇终端
  • 2篇无线
  • 2篇无线远程
  • 2篇金属氧化物半...

机构

  • 12篇华南师范大学

作者

  • 12篇尉然
  • 11篇郭志友
  • 8篇张建中
  • 5篇范广涵
  • 4篇刘松麟
  • 3篇孙慧卿
  • 3篇张健中

传媒

  • 2篇第十届全国M...
  • 1篇光子学报
  • 1篇电源技术
  • 1篇发光学报
  • 1篇激光与红外

年份

  • 1篇2009
  • 5篇2008
  • 4篇2007
  • 2篇2006
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
硅波导受激喇曼散射放大信号光的数值模拟
2007年
提出了用连续泵浦光在硅波导中的受激喇曼散射对信号光进行放大的方法.建立了信号光和泵浦光在硅波导中传输的耦合方程,得到了计算信号光增益的理论模型.利用数值模拟结果,对泵浦功率沿波导的分布,信号光在不同波导长度以及输入功率情况下的增益等进行了分析和讨论.结果表明,适当增加波导长度和泵浦光功率可以得到较高喇曼增益的结论.
张建中郭志友尉然
关键词:受激喇曼散射
ZnO基稀磁半导体及其铁磁性和反铁磁性的性能研究
ZnO作为一种新型的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,广泛应用于紫外发光器件、变阻器、表面声波器件、压电传感器、透明电极等领域。ZnO的室温禁带宽度大(3.37eV),激子束缚能高,使得它在光电领域有巨大应用潜力,从而受到了人们...
尉然
关键词:ZNO基稀磁半导体铁磁性反铁磁性晶体结构
文献传递
新型硅激光器系统的优化设计
2007年
通过在硅波导上添加反向偏压的PIN结构,建立了完整的全硅激光器系统。该系统包括半导体泵浦光源和硅波导放大器。建立的硅激光器增益模型,与已知的实验结果达到了很好的一致,并给出了泵浦光源输出波形和硅激光器的输出波形。该系统可以集成在很小的CMOS器件上,实现光电子器件的集成化,有着广泛的应用前景。
尉然郭志友张建中刘松麟
关键词:泵浦光源波长可调双光子吸收
基于硅波导的喇曼光放大器
2006年
在硅波导上添加反向偏压的PIN结构,当波导产生受激喇曼散射时,可以将波导中双光子吸收(TPA)产生的光生自由载流子扫出波导,降低了波导的非线性损失,极大地提高了硅波导中泵浦光对信号光的喇曼增益。为了应用已经非常成熟的硅工艺,并且应用硅波导使器件小型化,根据法布里-帕罗(F-P)腔和行波放大器理论,在硅波导两端的解理面蒸镀增透膜,应用这种波导的喇曼效应设计了一种光放大器,即基于硅波导的喇曼光放大器。建立了计算放大器增益的方程,给出了不同波导长度和输入功率情况下的放大器增益,得出适当增加波导长度和泵浦光功率可以得到较高喇曼增益的结论。基于硅的光放大器有较高的饱和功率且没有泵浦源的限制,通过调整泵浦激光的波长可以放大不同波长的信号光。
张建中郭志友尉然
关键词:喇曼放大器受激喇曼散射
一种无线远程LED显示屏控制网站系统
本发明的目的是架设无线远程LED显示屏视频服务网站,它可以实现单机对多个显示屏的控制。在服务器上进行用户管理和图像处理,使用户在Internet上任何终端都可以提供视频图像源,控制用户拥有的LED显示屏终端,在服务器上集...
郭志友刘松麟尉然张健中范广涵
文献传递
一种无线远程LED显示屏控制传输系统
本发明的目的是提供无线远程LED屏图像传输的系统,所述系统由用户计算机系统,图像处理卡,Internet网络,服务器,无线Internet网络和终端LED显示屏组成,其中,用户计算机系统与图像处理卡连接,图像处理卡通过I...
郭志友刘松麟尉然张健中范广涵
文献传递
半导体发光晶体管的机理研究
发光晶体管是一种新型的半导体发光器件。本文阐明了三种发光晶体管器件的发光原理,对该类器件在材料、结构、性能等方面的研究进展作了总结,对其潜在应用进行了介绍,展望了该类器件今后的研究方向。
张建中郭志友尉然
关键词:发光晶体管异质结
文献传递
Ⅲ-Ⅴ族发光金属半导体场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种Ⅲ-Ⅴ族发光金属半导体场效应晶体管,包括纵向依次层叠的p型漏区、有源区、n型半导体层、缓冲层和衬底,所述的n型半导体层的横向台阶结构的左边为n型栅区,台阶结构的右边为n型源区,所述的n型栅区上有栅极电极,...
郭志友张建中孙慧卿尉然范广涵
文献传递
Ⅲ-Ⅴ族金属氧化物半导体发光场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种III-V族金属氧化物半导体型发光场效应晶体管及其制备方法,包括纵向依次层叠的p型漏区、有源区、n型半导体层、缓冲层和衬底,所述的n型半导体层的横向台阶结构的左边为p型栅区,台阶结构的右边为n型源区,所述...
郭志友张建中孙慧卿尉然范广涵
文献传递
基于软硬件保护的锂离子蓄电池安全控制电路被引量:2
2006年
针对锂离子蓄电池在充放电过程中容易出现的过充、过放、过流、过温问题,设计了基于软硬件保护的锂离子蓄电池保护电路。电路使用软件和硬件双重保护,并通过红外探测技术实现电池表面过高温度保护。电路特点是结构简单。通过实验证明了该电路安全、高效,有着良好的应用前景。
尉然郭志友张健中刘松麟
关键词:锂离子蓄电池保护电路红外测温
共2页<12>
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