您的位置： 专家智库 > >

史敬元

作品数：61 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 61篇中文专利

领域

  • 12篇电子电信
  • 3篇一般工业技术

主题

  • 47篇石墨
  • 47篇石墨烯
  • 23篇场效应
  • 22篇晶体管
  • 18篇场效应晶体管
  • 15篇电极
  • 14篇光刻
  • 13篇载流子
  • 11篇迁移率
  • 11篇金属
  • 9篇载流子迁移率
  • 9篇自对准
  • 8篇碳基
  • 8篇光刻胶
  • 7篇电阻
  • 6篇铜表面
  • 6篇介质层
  • 5篇光学光刻
  • 5篇半导体
  • 5篇半导体器件

机构

  • 61篇中国科学院微...

作者

  • 61篇张大勇
  • 61篇史敬元
  • 61篇金智
  • 50篇彭松昂
  • 24篇麻芃
  • 19篇王少青
  • 12篇王选芸
  • 5篇陈娇

年份

  • 3篇2020
  • 4篇2019
  • 7篇2018
  • 12篇2017
  • 18篇2016
  • 8篇2015
  • 9篇2013
共 61 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种石墨烯导电薄膜的制备方法
本发明公开了一种石墨烯导电薄膜的制备方法，属于半导体材料制备技术领域。所述方法包括：在金属箔表面利用化学气相沉积方法生长石墨烯；利用电沉积方法在生长有石墨烯的金属箔表面沉积氧化石墨烯；将沉积了氧化石墨烯的金属箔在保护气和...
张大勇金智史敬元麻芃
文献传递
通过自对准工艺制备石墨烯顶栅场效应晶体管器件的方法
本发明公开了一种通过自对准工艺制备石墨烯顶栅场效应晶体管器件的方法，该方法包括：在石墨烯上沉积栅介质层，制备T型栅金属电极；沉积钝化保护层，利用选择性刻蚀去除栅介质上方覆盖的钝化保护层而保留T型栅金属电极足部侧墙部分的钝...
麻芃金智史敬元王少青张大勇王选芸
文献传递
吸波材料制备方法及形成的吸波材料
本发明提供一种吸波材料制备方法及形成的吸波材料，所述方法包括：制备具有电磁波吸收特性的纳米粒子胶体溶液；将多孔基质材料放入所述纳米粒子胶体溶液中，使所述纳米粒子胶体溶液充分进入所述多孔基质中；通过采用电泳装置，使得所述多...
张大勇金智史敬元彭松昂
文献传递
减小金属与石墨烯接触电阻的方法及石墨烯FET器件
一种减小金属与石墨烯材料接触电阻的方法及石墨烯FET器件，该方法包括：提供绝缘衬底；在衬底上制备或转移石墨烯材料；在石墨烯上图形化源端和漏端；蒸发一层非常薄的金属层；在薄层金属的掩膜下，对金属下方的石墨烯进行缺陷化处理；...
金智王少青毛达诚史敬元彭松昂张大勇
文献传递
一种对机械剥离石墨烯表面进行原子级清洁处理的方法
本发明公开了一种对机械剥离石墨烯表面进行原子级清洁处理的方法，该方法是将机械剥离得到的石墨烯结合于目标基底上，然后将结合有石墨烯的目标基底浸泡于有机溶剂四氢呋喃、甲苯、丁酮或乙酸乙酯的至少一种之中，溶解石墨烯表面的残胶，...
金智彭松昂史敬元王少青王选芸张大勇
文献传递
一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法
一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法，该制造方法包括以下步骤：利用顶栅金属作为掩膜保护顶栅金属下方的栅介质，对栅介质层进行刻蚀，去除栅源、栅漏之间石墨烯有源区上覆盖的栅介质；再以顶栅电极为掩膜，对石墨烯进行刻蚀，破坏石墨烯...
金智王少青毛达诚史敬元彭松昂张大勇
文献传递
一种将石墨烯从金属表面向目标衬底表面无损转移的方法
本发明公开了一种将石墨烯从金属表面向目标衬底表面无损转移的方法，包括：在金属铜表面生长石墨烯；在石墨烯表面涂覆PMMA薄膜，将铜基底漂浮于蚀刻剂溶液表面腐蚀去除铜得到PMMA/石墨烯复合薄膜；将通过摩擦带有静电的PET薄...
张大勇金智史敬元麻芃王选芸
石墨烯场效应管的制备方法及形成的石墨烯场效应管
本发明提供一种石墨烯场效应管的制备方法及形成的石墨烯场效应管，所述方法包括：在衬底上制备或转移石墨烯材料；在所述石墨烯材料上制备源电极及漏电极；采用光学光刻的方式使沟道区的石墨烯材料形成多个石墨烯条带；在所述多个石墨烯条...
金智王少青毛达诚史敬元彭松昂张大勇
文献传递
一种采用自对准工艺制作石墨烯场效应晶体管器件的方法
本发明公开了一种采用自对准工艺制作石墨烯场效应晶体管器件的方法，该方法包括：在石墨烯上沉积栅介质层，制备栅金属电极；沉积钝化保护层，利用选择性刻蚀去除栅介质层上方的钝化保护层而只保留栅金属电极侧墙部分的钝化保护层；对栅介...
麻芃金智史敬元张大勇王少青王选芸
文献传递
一种碳基场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种碳基场效应晶体管及其制备方法，该碳基场效应晶体管包括：半导体衬底；形成于半导体衬底之上的绝缘层；形成于绝缘层之上的导电通道；形成于导电通道两端之上的源电极和漏电极；形成于源电极与漏电极之间且导电通道之上的...
麻芃金智史敬元张大勇彭松昂
文献传递
全选 清除 导出
共7页<1234567>
聚类工具0