卢慧粉
- 作品数：4 被引量：8H指数：1
- 供职机构：山东师范大学更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信电气工程更多>>
- 特定条件下的定向ZnO纳米棒的制备及表征被引量：7
- 2011年
- 采用改进的溶胶凝胶和化学溶液生长两步法,并控制特定条件在镀银载玻片上制备出定向ZnO纳米棒.利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、选区电子衍射(SAED)、能谱(EDS)及傅里叶红外吸收光谱(FTIR)对纳米棒的表面形貌、结构、组分进行分析.XRD和SEM结果表明该ZnO纳米棒具有六角纤锌矿结构,结晶质量良好,垂直衬底生长.TEM和SAED结果表明该ZnO纳米棒形状规则,为单晶结构.FTIR谱中的位于418和541 cm-1的吸收峰对应于棒状ZnO结构的伸缩振动吸收峰,1384和1636 cm-1对应于六方纤锌矿ZnO晶体的Zn—O伸缩振动吸收峰.利用负离子配位四面体生长理论初步解释ZnO纳米棒的生长过程.
- 郑建华张晓凯卢慧粉
- 关键词：氧化锌纳米棒阵列
- 退火时间对磁控溅射Al/PbTe薄膜结构及性能的影响
- 2011年
- 采用RF磁控溅射法制备了Al/PbTe薄膜,并在真空电阻炉中对薄膜进行退火处理,研究了退火时间对Al/PbTe薄膜的表面形貌、物相组成、透射率和电阻率的影响。结果表明:所制备的Al/PbTe薄膜具有明显的〈100〉方向择优取向;随着退火时间的延长,薄膜的PbTe(200)衍射峰强度明显下降,并且出现了PbTe(111)衍射峰;退火后Al/PbTe薄膜表面出现了花状聚集,且随着退火时间的延长,花状聚集越来越密集和均匀;退火后Al/PbTe薄膜的吸收带向短波方向发生了少许偏移,随着退火时间的延长薄膜的透射率和电阻率都呈现先减小后增大的趋势。
- 卢慧粉曹文田王书运任伟庄浩
- 关键词：退火时间透射率电阻率
- 磁控溅射制备PbTe薄膜及Al惨杂性能的研究
- PbTe作为一种重要的Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体材料，具有优良的光电和热电特性，如折射率较高和热导率较低，在红外探测、光纤激光技术及温差制冷方面已有广泛的应用。本论文主要从两个方面对PbTe进行了研究：在硅衬底上制备了PbTe...
- 卢慧粉
- 关键词：PBTE掺杂退火磁控溅射
- 磁控溅射制备PbTe薄膜及Al掺杂性能的研究
- PbTe作为一种重要的Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有优良的光电和热电特性,如折射率较高和热导率较低,在红外探测、光纤激光技术及温差制冷方面已有广泛的应用.本论文主要从两个方面对PbTe进行了研究:在硅衬底上制备了PbTe...
- 卢慧粉
- 关键词：磁控溅射
- 文献传递
