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曹文田

作品数：32 被引量：32H指数：4
供职机构：山东师范大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金山东省科委基金山东省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术电气工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 23篇期刊文章
  • 9篇专利

领域

  • 17篇电子电信
  • 5篇一般工业技术
  • 4篇电气工程
  • 3篇理学
  • 2篇机械工程
  • 2篇建筑科学
  • 1篇化学工程

主题

  • 9篇溅射
  • 9篇磁控
  • 9篇磁控溅射
  • 7篇射频磁控
  • 7篇射频磁控溅射
  • 5篇镓
  • 5篇GAN薄膜
  • 4篇氮化镓
  • 4篇载流子
  • 4篇肖特基
  • 4篇肖特基结
  • 4篇光谱
  • 4篇光学
  • 4篇硅基
  • 4篇GA
  • 3篇调速
  • 3篇自由载流子
  • 3篇碲化铅
  • 3篇发光
  • 3篇半导体

机构

  • 32篇山东师范大学
  • 2篇山东交通学院
  • 2篇山东理工大学
  • 1篇安徽机电职业...

作者

  • 32篇曹文田
  • 14篇薛成山
  • 13篇孙振翠
  • 10篇魏芹芹
  • 7篇王书运
  • 5篇庄惠照
  • 3篇董志华
  • 3篇任伟
  • 2篇隋明晓
  • 2篇何建廷
  • 2篇庄浩
  • 2篇王显明
  • 1篇王强
  • 1篇卢慧粉
  • 1篇李玉国
  • 1篇裴素华
  • 1篇高海永
  • 1篇李田泽
  • 1篇陈其工
  • 1篇伊长虹

传媒

  • 5篇稀有金属材料...
  • 4篇山东师范大学...
  • 3篇功能材料与器...
  • 2篇理化检验（物...
  • 2篇电子元件与材...
  • 1篇分析测试学报
  • 1篇电力电子技术
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇分析测试技术...
  • 1篇科学技术与工...
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇纳米科技

年份

  • 3篇2023
  • 2篇2021
  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 2篇2005
  • 8篇2004
  • 2篇2003
  • 2篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1995
共 32 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
自聚焦微透镜阵列的制作系统及制作方法
本发明公开了自聚焦微透镜阵列的制作系统及制作方法，包括如下步骤：1)薄膜微型光学谐振腔的制备，在衬底上生长第一层金属薄膜，接着在第一层金属薄膜上生长一层半导体薄膜，最后在半导体薄膜上生长第二层金属薄膜，半导体薄膜与第一层...
曹文田
文献传递
退火时间对磁控溅射Al/PbTe薄膜结构及性能的影响
2011年
采用RF磁控溅射法制备了Al/PbTe薄膜,并在真空电阻炉中对薄膜进行退火处理,研究了退火时间对Al/PbTe薄膜的表面形貌、物相组成、透射率和电阻率的影响。结果表明:所制备的Al/PbTe薄膜具有明显的〈100〉方向择优取向;随着退火时间的延长,薄膜的PbTe(200)衍射峰强度明显下降,并且出现了PbTe(111)衍射峰;退火后Al/PbTe薄膜表面出现了花状聚集,且随着退火时间的延长,花状聚集越来越密集和均匀;退火后Al/PbTe薄膜的吸收带向短波方向发生了少许偏移,随着退火时间的延长薄膜的透射率和电阻率都呈现先减小后增大的趋势。
卢慧粉曹文田王书运任伟庄浩
关键词：退火时间透射率电阻率
一种纳米半导体光折变薄膜材料及其制备方法
本发明公开了一种纳米半导体光折变薄膜材料及其制备方法，纳米半导体光折变薄膜材料，包括金属薄膜和铅的硫属化合物薄膜，所述金属薄膜的一面与铅的硫属化合物薄膜的一面接触，其中，所述金属薄膜的金属的功函数大于等于所述铅的硫属化合...
曹文田
氨化Si基Ga_2O_3/Al_2O_3制备GaN薄膜被引量：5
2005年
研究了 Ga_2O_3/Al_2O_3 膜反应自组装制备 GaN 薄膜。首先利用磁控溅射法在硅衬底上制备 Ga_2O_3/Al2O3膜,再将Ga_2O_3/Al_2O_3 膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到了 GaN 薄膜。用 X 射线衍射(XRD),X 光光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和 荧光光谱(PL)对样品进行结构、组分、形貌和发光特性的分析。测试结果表明:用此方法得到了六方纤锌矿结构的 GaN 晶体膜。
魏芹芹薛成山孙振翠曹文田庄惠照
关键词：GAN氮化磁控溅射
热壁化学汽相沉积Si基GaN奇异面
2004年
利用热壁化学汽相沉积在Si基上生长GaN薄膜。用扫描电镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)、X射线衍射(XRD)、傅里叶红外透射谱(FTIR)和荧光光谱(PL)对样品进行形貌、结构、组分和发光特性的分析。SEM显示在平滑的表面上出现了由绳状、树根状、项链状晶体组成的奇异面。FTIR、XRD和SAED显示生成的GaN奇异面呈六方纤锌矿多晶结构同时含有少量的碳污染。PL谱显示了不同于一般GaN发光谱的发光峰。
孙振翠曹文田魏芹芹薛成山王书运
关键词：GAN薄膜SI基绳状
Si(111)衬底上生长 GaN 晶环的研究(英文)
2004年
利用热壁化学气相沉积在 Si(111)衬底上获得 GaN 晶环,采用扫描电镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)、X 射线衍射(XRD),光致发光(PL) 谱和傅里叶红外吸收谱(FTIR)对晶环的组成、结构、形貌和光学特性进行分析。初步结果证明:在 Si(111)衬底上获得择优生长的六方纤锌矿结构的 GaN 晶环。SEM 显示在均匀的薄膜上出现直径约为 10 μm 的 5 晶环,由 XRD 和 SAED 的分析证实晶环呈六方纤矿多晶结构,FTIR 显示 GaN 薄膜的主要成分为 GaN,同时含有少量的 C 污染,PL 测试表明晶环呈现不同于 GaN 薄膜的发光特性。
王显明孙振翠魏芹芹王强曹文田薛成山
关键词：氮化镓
氮化时间对扩镓硅基GaN晶体膜质量的影响被引量：1
2004年
采用射频磁控溅射在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜,然后氮化反应组装GaN晶体膜,并研究氮化时间对薄膜晶体质量的影响。测试结果表明:采用两步法生长得到六方纤锌矿结构的GaN多晶膜,扩镓硅层有效的抑制了硅衬底的氮化和弛豫了GaN与Si衬底的热失配。同时显示:在相同的氮化温度下,晶粒尺寸随氮化时间的增加而增大,薄膜的晶化程度相应的得到提高。
曹文田孙振翠魏芹芹薛成山庄惠照高海永
关键词：射频磁控溅射半导体
一种调制碲化铅薄膜中自由载流子吸收的方法及装置
本公开提供了一种调制碲化铅薄膜中自由载流子吸收的方法及装置，采用射频磁控溅射仪器，所述方案包括：设定相关溅射工艺参数；获取碲化铅薄膜的自由载流子吸收与衬底温度曲线；根据所述曲线确定化学计量比与衬底温度的映射关系；基于所述...
曹文田
全自动变频调速恒压供水系统的研制被引量：3
1997年
采用交流电机变频调速技术，研制出全自动恒压供水系统．应用表明，该系统在节能、保持水质、水压平稳性及自动化等方面，大大优于传统供水方式。
曹文田裴素华熊光英薛成山
关键词：自动控制供水系统变频调速
一种调制碲化铅薄膜中自由载流子吸收的方法及装置
本公开提供了一种调制碲化铅薄膜中自由载流子吸收的方法及装置，采用射频磁控溅射仪器，所述方案包括：设定相关溅射工艺参数；获取碲化铅薄膜的自由载流子吸收与衬底温度曲线；根据所述曲线确定化学计量比与衬底温度的映射关系；基于所述...
曹文田
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