刘继峰
- 作品数：2 被引量：8H指数：2
- 供职机构：清华大学材料科学与工程系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- CoSi_2薄膜内应力的微观机制研究被引量：5
- 2001年
- 通过晶体价键理论与电子密度理论的结合,推算出CoSi_2的表面电子密度,从理论上分析了p型Si衬底的掺杂浓度对CoSi_2薄膜内应力的影响,并从实验上给予了验证.
- 刘继峰冯嘉猷朱静
- 关键词：内应力电子密度价键理论
- C^+离子注入与CoSi_2薄膜应力的研究被引量：6
- 2002年
- 根据改进的Thomas-Fermi-Dirac模型,分析了CoSi_2薄膜中本征应力的起源,证明了基体与薄膜的原子表面电子密度差是薄膜本征应力的来源。实验在Si(100)基体注入碳离子(C^+),然后沉积钴(Co)薄膜,再进行快速退火(Rapid Thermal Annealing,简称 RTA)形成二硅化钴(CoSi_2)薄膜,发现薄膜中的应力随C^+离子注入剂量的增加而减少,理论计算了由C^+离子注入引起的应力减小的数值,并与实验结果进行了比较。
- 王若楠刘继峰冯嘉猷
