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王若楠

作品数：1 被引量：6H指数：1
供职机构：清华大学材料科学与工程系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇应力
  • 1篇离子注入

机构

  • 1篇清华大学

作者

  • 1篇冯嘉猷
  • 1篇王若楠
  • 1篇刘继峰

传媒

  • 1篇自然科学进展

年份

  • 1篇2002
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
C^+离子注入与CoSi_2薄膜应力的研究被引量：6
2002年
根据改进的Thomas-Fermi-Dirac模型,分析了CoSi_2薄膜中本征应力的起源,证明了基体与薄膜的原子表面电子密度差是薄膜本征应力的来源。实验在Si(100)基体注入碳离子(C^+),然后沉积钴(Co)薄膜,再进行快速退火(Rapid Thermal Annealing,简称 RTA)形成二硅化钴(CoSi_2)薄膜,发现薄膜中的应力随C^+离子注入剂量的增加而减少,理论计算了由C^+离子注入引起的应力减小的数值,并与实验结果进行了比较。
王若楠刘继峰冯嘉猷
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