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兰建章

作品数:5 被引量:3H指数:1
供职机构:中国科学院金属研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 2篇电子显微镜
  • 2篇图像
  • 2篇图像处理
  • 2篇显微镜
  • 2篇晶格
  • 2篇半导体
  • 1篇应变层
  • 1篇应变层超晶格
  • 1篇原子
  • 1篇原子结构
  • 1篇砷化镓
  • 1篇锑化铟
  • 1篇晶格畸变
  • 1篇计算机
  • 1篇计算机图像
  • 1篇计算机图像处...
  • 1篇复合材料
  • 1篇半导体材料
  • 1篇半导体界面
  • 1篇INGAAS...

机构

  • 5篇中国科学院金...

作者

  • 5篇兰建章
  • 3篇孟祥敏
  • 3篇于瀛大
  • 3篇李斗星
  • 3篇王绍青
  • 2篇叶恒强
  • 2篇谢天生
  • 1篇戴吉岩

传媒

  • 4篇电子显微学报

年份

  • 3篇1998
  • 2篇1996
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
高分辨电子显微像的定量分析与应用II.InGaAs/GaAs应变层超晶格的高分辨像定量分析被引量:1
1998年
使用高分辨像定量分析方法和像模拟技术,对外延生长的GaAs/InxGa1-xAs应变层超晶格的微观组态进行了详细的分析。用像模拟验证了成像位置与结构投影的对应关系。使用像点定位及畸变测量的分析方法,获得了晶格畸变位移分布图及畸变沿生长方向的分布曲线,扣除由四方畸变导致的点阵膨胀与收缩,得到了仅由In元素分布导致的点阵参数变化曲线。由晶格参数与In元素含量的线性对应关系,获得了超晶格中In元素沿生长方向的分布曲线。
兰建章王绍青孟祥敏于瀛大谢天生李斗星
关键词:电子显微镜应变层超晶格半导体材料
InSb/GaAs半导体界面结构研究被引量:1
1998年
本文通过对InSb/GaAs半导体界面实验高分辨原子像的计算机定量化分析得到了界面位错区附近的晶格点阵畸变位移分布。基于该实验结果文中提出了InSb/GaAs半导体界面的结构互平衡界面结构模型。该界面模型合理地解释了界面位错的起因及InSb薄膜在GaAs基体上外延生长过程中的物理现象。
王绍青孟祥敏兰建章叶恒强
关键词:半导体界面原子结构砷化镓锑化铟
高分辨电子显微像的定量分析与应用 I.基于图像处理的高分辨像定量分析方法被引量:1
1998年
本文通过研究高分辨电子显微像的图像处理技术,系统地建立了两种高分辨原子像亮点中心精确定位的处理方法:灰度梯度检测法和峰谷提取-灰度平均法。基于原子像亮点中心定位技术,使用最小二乘法,建立了测量高分辨像中局部点阵参数和晶格畸变的实际处理过程。结合像模拟、图像匹配等手段,详细研究了从高分辨像中提取元素分布、原子结构等信息的定量分析方法;并建立了一套UNIX平台上的高分辨像定量分析程序包,具有较高的精度和广泛的用途。
兰建章王绍青谢天生于瀛大孟祥敏李斗星
关键词:电子显微镜图像处理
高分辨电子显微像的计算机定量分析与研究
兰建章
关键词:计算机图像处理晶格畸变
SiC/Si_3N_4复合材料中晶间相的能量过滤像研究
1996年
SiC/Si3N4复合材料中晶间相的能量过滤像研究*于瀛大戴吉岩兰建章李斗星叶恒强(中国科学院金属研究所固体原子像开放研究实验室,沈阳110015)复合材料的高温机械性能在很大程度上受材料中的界面和晶间相的影响,因此在纳米尺度上研究其晶间相的形态和化...
于瀛大戴吉岩兰建章李斗星叶恒强
关键词:复合材料
共1页<1>
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