王绍青
- 作品数：53 被引量：181H指数：9
- 供职机构：中国科学院金属研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家攀登计划更多>>
- 相关领域：理学金属学及工艺一般工业技术电子电信更多>>
- 高熵合金的类晶体性质研究
- <正>高熵合金(high-entropy alloys)又称之为多主元合金(multi-principal-element alloys)。高熵合金的概念最早由我国台湾学者叶均蔚等人于上世纪九十年代中期提出。他们经过多年...
- 王绍青
- 文献传递
- 石墨烯、硅烯及其氢化物中原子轨道杂化状态的第一原理计算研究
- 在本项工作中，采用密度泛函框架下的第一原理计算方法对石墨烯、硅烯及其氢化后产物的电子能带结构进行了详细的对比研究，研究结果进一步确认了在前期工作中曾首次提出的在硅烯类低维晶体材料中存在的部分原子轨道杂化的概念。
- 王绍青
- 关键词：石墨烯硅烯
- 含∑9<110>{221}对称倾斜晶界的铜双晶在纯剪切载荷作用下形变行为的原子尺度模拟研究
- 万亮王绍青
- 关键词：晶界
- 基于最大熵结构模型的高熵合金的弹性性质研究
- 高熵合金具有一种新型合金设计理念，一经提出便受到了广泛的关注。实验结果表明高熵合金具有优异的力学性能、摩擦磨损性能、耐腐蚀性、耐高温等性能，成为未来最有发展潜力的新型结构材料之一。
- 郑淑敏王绍青
- 关键词：高熵合金最大熵模型
- 高熵合金的类晶体性质研究
- 平衡热力学系统最大熵原理,成功创建了六元体心立方高熵合金原子结构模型.在对这类合金局部原子结构定量化分析的基础上,首次提出高熵合金是一种新型三维类晶体结构,并对该合金的微观结构与其独特物性之间的关系进行了深入的探讨.
- 王绍青
- 关键词：高熵合金理化性质
- 高分辨电子显微像的定量分析与应用 I.基于图像处理的高分辨像定量分析方法被引量：1
- 1998年
- 本文通过研究高分辨电子显微像的图像处理技术，系统地建立了两种高分辨原子像亮点中心精确定位的处理方法：灰度梯度检测法和峰谷提取－灰度平均法。基于原子像亮点中心定位技术，使用最小二乘法，建立了测量高分辨像中局部点阵参数和晶格畸变的实际处理过程。结合像模拟、图像匹配等手段，详细研究了从高分辨像中提取元素分布、原子结构等信息的定量分析方法；并建立了一套ＵＮＩＸ平台上的高分辨像定量分析程序包，具有较高的精度和广泛的用途。
- 兰建章王绍青谢天生于瀛大孟祥敏李斗星
- 关键词：电子显微镜图像处理
- 元素掺杂对Bi电迁移影响的第一原理计算
- 2011年
- 应用第一原理方法研究通过元素掺杂来抑制SnBi无铅焊料中Bi的电迁移问题。在SnBi体系中掺杂Zn和Sb元素,通过用近弹性带方法计算掺杂体系中Bi元素的扩散能垒。结果表明:加入Sb之后,Bi的扩散能垒由原来的0.32 eV升高到0.46 eV,扩散激活能由原来的1.14 eV升高到1.18 eV;加入Zn后,Bi的扩散能垒由原来的0.32 eV升高到0.48 eV,扩散激活能由原来的1.14 eV升高到1.22 eV。由此可得,Zn和Sb的加入都能够提高Bi的扩散激活能,起到抑制扩散的作用。通过分析态密度可知:加入Zn和Sb后,体系中Sb与Bi的p态曲线几乎完全重合,比Sn与Bi的p态曲线重合度高很多,说明Sb和Bi的共价键作用很强,且比Sn-Bi的共价键作用强,从而增加Bi的扩散能垒。同样,Zn和Bi的p态曲线重合度也比Sn和Bi的曲线重合度高很多,表明Zn—Bi的共价键同样比Sn—Bi的共价键强,所以Zn的加入同样增加Bi的扩散能垒。总结说来,Sb和Zn的掺杂能够抑制SnBi焊料中Bi的电迁移。
- 庞学永刘志权王绍青尚建库
- 关键词：第一原理计算电迁移
- 分子束外延生长GaN薄膜中的一种早期位错结构被引量：1
- 1998年
- 利用高分辨电子显微术，对在ＧａＰ基体上由分子束外延生长六角ＧａＮ晶体薄膜中的晶体缺陷结构进行了研究．实验中发现了ＧａＮ薄膜外延生长过程中产生的一种典型早期刃型位错结构．此晶体缺陷位于一大块ＧａＮ晶粒内部，其外观类似于一段（１１２０）晶界．它由一条（１１２０）高能孤立晶界段及其两端的两个１／６［１１２０］不完全刃型位错组成．从大晶格失配材料之间分子束外延生长的机理上对这种缺陷结构的形成进行了解释．
- 王绍青刘全朴叶恒强
- 关键词：位错结构氮化镓分子束外延生长
- 含Σ9<110>{221}对称倾斜晶界的铜双晶在纯剪切载荷作用下形变行为的原子尺度模拟研究
- 原子尺度计算模拟方法并结合嵌入原子型原子间相互作用势函数,对含Σ9<110>{221}对称倾斜晶界的铜双晶体在纯剪切载荷作用下的形变行为进行了研究.能量最小化弛豫分析表明,该晶界存在两个能量局部极小的优化结构...
- 万亮王绍青
- 关键词：晶界分子动力学晶界滑移
- 模拟位错斑图的元胞自动机与分子动力学模型被引量：3
- 2004年
- 建立了一个模拟位错斑图形成的元胞自动机-分子动力学模型.该模型考虑了在相同或不同滑移面上具有相反Burgers矢量方向的刃型位错间的长程与短程相互作用,采用分子动力学方法处理长程相互作用,采用元胞自动机方法处理短程相互作用应用这个模型,模拟了在没有外加应力和存在外加循环应力条件下的Cu单晶的位错结构.
- 张林张彩碚王元明王绍青
- 关键词：元胞自动机分子动力学
