何彦刚
- 作品数：64 被引量：75H指数：5
- 供职机构：河北工业大学更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家中长期科技发展规划重大专项河北省普通高等学校博士科研资助基金项目更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程理学金属学及工艺更多>>
- 新型污水污泥絮凝剂的制备技术研究
- 黎钢杨芳何彦刚杨超金付强张广清
- 该项目首次在纯盐 (柠檬酸钾、碳酸钾) 溶液的均相介质中除采用氧化还原引发体系外，还采用等离子体引发技术完成了阳离子单体等自由基的聚合反应，同时让亲水性阳离子聚电解质产物与盐溶液介质相分离，从而解决了亲水性聚电解质在制备...
- 关键词：
- 关键词：絮凝剂污水处理污泥处理
- 铜膜高去除速率CMP碱性抛光液的研究及其性能测定被引量：3
- 2014年
- 目的探索适合于TSV技术的最佳CMP工艺。方法在碱性条件下,利用碱性FA/O型鳌合剂极强的鳌合能力,对铜膜进行化学机械抛光,通过调节抛光工艺参数及抛光液配比,获得超高的抛光速率和较低的表面粗糙度。结果在压力27.56 kPa,流量175 mL/min,上下盘转速105/105 r/min,pH=11.0,温度40℃,氧化剂、磨料、螯合剂体积分数分别为1%,50%,10%的条件下,经过CMP平坦化,铜膜的去除速率达2067.245 nm/min,且表面粗糙度得到明显改善。结论该工艺能获得高抛光速率。
- 李炎孙鸣李洪波刘玉岭王傲尘何彦刚闫辰奇张金
- 关键词：表面粗糙度
- 等离子体引发丙烯酰胺与2-甲基-丙烯酰氧乙基三甲基氯化铵水溶液聚合被引量：10
- 2005年
- 研究了等离子体引发丙烯酰胺(AM)和2-甲基-丙烯酰氧乙基三甲基氯化铵(DMC)水溶液聚合制备线性阳离子聚电解质的工艺方法。测定了不同反应压力下反应液的沸点,得到最佳的反应压力为133Pa;优化了引发聚合的条件:放电时间40s、放电功率60W、反应溶液pH=4.5、w(AM+DMC)=30%、m(AM)∶m(DMC)=1∶1、聚合时间24h、聚合温度40℃。在优化条件下,聚合物的最高特性粘数为966cm3/g。探索了等离子体引发AM-DMC水溶液聚合的机理:AM与水溶液中H+结合形成的HAM自由基起引发作用,进而与AM或DMC单体进行反应,生成线性聚合物。
- 何彦刚黎钢杨超张广清陈树东
- 关键词：等离子体引发聚合水溶液聚合丙烯酰胺
- 磨料黏度对CMP抛光速率的影响及机理的研究被引量：2
- 2011年
- 抛光磨料在抛光衬底和抛光垫间做磨削运动,它是CMP工艺的重要组成部分,是决定抛光速率和平坦化能力的重要影响因素。因此分析磨料的各物性参数对CMP过程的影响尤为重要。随着晶圆表面加工尺寸的进一步精密化,磨料黏度作为抛光磨料重要物性参数之一,受到越来越多的重视。根据实验结果从微观角度研究了磨料黏度对CMP抛光速率的影响及机理,并由此得出当抛光液磨料黏度为1.5 mPa.s时,抛光速率可达到458 nm/min且抛光表面粗糙度为0.353 nm的良好表面状态。
- 李伟娟周建伟刘玉岭何彦刚刘效岩甘小伟
- 关键词：黏度去除速率磨料化学机械抛光
- 一种适用于蓝宝石A面的化学机械抛光组合物
- 本发明公开了一种适用于蓝宝石A面的化学机械抛光组合物。本发明组合物由研磨颗粒、络合剂、表面活性剂、抑菌剂、无机碱和水组成；研磨颗粒的含量为重量百分比5～50％；络合剂的含量为重量百分比0.01～10％；表面活性剂的含量为...
- 何彦刚牛新环孙鸣陈国栋张玉峰周建伟刘玉岭
- 文献传递
- Ti阻挡层材料化学机械抛光后的表面洁净方法
- 本发明公开了一种Ti阻挡层材料化学机械抛光后的表面洁净方法，旨在提供一种能够降低Ti阻挡层材料碱性化学机械抛光的后续加工成本，使用方法简单易行，能够提高Ti阻挡层表面质量的方法。配制水溶性表面洁净液：取电阻为18MΩ以上...
- 刘玉岭王娟边娜何彦刚
- 文献传递
- 等离子体引发马来酸酐水溶液聚合被引量：5
- 2005年
- 研究了低温等离子体引发马来酸酐单体在水溶液中的聚合,通过红外光谱和紫外-可见吸收光谱的分析表明有聚马来酸生成;考察了在13.56 MHz放射频率下影响马来酸酐聚合的因素,得到较优的工艺条件:单体初始质量分数为40%～45%,放电时间60 s、放电功率340 J、聚合温度60 ℃、聚合时间3 h,马来酸酐转化率可达32%.
- 张广清黎钢金付强何彦刚
- 关键词：等离子体马来酸酐转化率
- 磨料粒径对多层Cu布线CMP的影响被引量：3
- 2015年
- 阐述了碱性抛光液中磨料的质量传递作用对多层Cu布线化学机械抛光(CMP)过程中抛光速率和抛光后晶圆表面状态的影响,通过对比不同磨料粒径抛光液在3英寸(1英寸=2.54 cm)铜晶圆上的抛光实验结果,分析了不同磨料粒径抛光液的抛光速率以及抛光后晶圆的表面状态,选择了一种粒径为100 nm、质量分数为3%的磨料,粗抛(P1)的抛光速率达到650 nm/min,抛光后晶圆表面粗糙度由10.5 nm降至2.5 nm,大大提高了抛光后晶圆的表面状态以及平坦化效果,可对多层Cu布线CMP过程中磨料的选择提供一定的参考。
- 武鹏周建伟何彦刚刘玉岭秦然张燕
- 关键词：粒径抛光速率
- 烷基酚聚氧乙烯醚三聚表面活性剂及其制备方法
- 本发明烷基酚聚氧乙烯醚三聚表面活性剂及其制备方法，涉及用作增溶剂、润湿剂、乳化剂和起泡剂的醚类物质表面活性剂，该表面活性剂具有结构式Ⅰ，式中EO为氧乙烯基团(－CH<Sub>2</Sub>CH<Sub>2</Sub>O－...
- 黎钢刘荣徐念杨芳祁健何彦刚张松梅
- 文献传递
- 一种绿色环保型钛金属抛光液
- 本发明为一种绿色环保型钛金属抛光液，该钛抛光液包括磨料、氧化剂、碱性氧化物、表面活性剂、络合剂和缓蚀剂，所述缓蚀剂为烟酸，所述表面活性剂为不含钠离子的有机表面活性剂。本发明配方中并未引入新的外来的钠离子，可以应用与半导体...
- 谢顺帆赵群何彦刚杨露瑶梅旭鲲孟妮张祥龙李相辉
- 文献传递
