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伍建春

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：教育部更多>>
相关领域：核科学技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇国内会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇核科学技术

主题

  • 1篇多孔硅
  • 1篇形貌
  • 1篇氧化铀
  • 1篇偏压
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射沉积
  • 1篇硅表面
  • 1篇核燃料
  • 1篇氙
  • 1篇锆
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射
  • 1篇磁控溅射沉积

机构

  • 2篇教育部

作者

  • 2篇展长勇
  • 2篇伍建春
  • 2篇邹宇
  • 1篇黄宁康
  • 1篇蒋稳
  • 1篇任丁

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
多孔硅表面磁控溅射沉积钛膜的形貌研究
采用磁控溅射的方法来分别在随机刻蚀的多孔硅和孔径2.5μm、12μm、15μm的多孔硅阵列上沉积钛膜。分别讨论了加偏压和不加偏压条件下沉积的钛膜的形貌,及多孔硅的刻蚀形貌对钛膜的影响。研究表明:未加偏压时,钛膜在多孔硅阵...
展长勇蒋稳邹宇任丁伍建春黄宁康
关键词：多孔硅磁控溅射偏压
文献传递
氧化铀锆核燃料中氙溶解的计算模拟研究
新型核燃料氧化铀锆相比氧化铀具有较好的抗腐蚀性能，但抗肿胀能力还有待提高。裂变气体氙的聚集成泡是引起陶瓷铀基核燃料肿胀的关键因素。氙气泡主要在晶界处形成，其原因是晶界处的空位捕获了晶粒内扩散至此的氙原子。抑制氙扩散是延缓...
伍建春邹宇展长勇
关键词：氙
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共1页<1>
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