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马纪东: 作品数：13 被引量：27H指数：3; 供职机构：北京科技大学材料科学与工程学院更多>>; 发文基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金教育部科学技术研究重点项目更多>>; 相关领域：一般工业技术电气工程电子电信核科学技术更多>>

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SiO_2/Ta界面反应及其对Cu扩散的影响被引量：2: 2003年; 利用磁控溅射方法在表面有SiO2层的Si基片上溅射Ta薄膜,采用X射线光电子能谱研究了SiO2/Ta界面以及Ta5Si3标准样品,并进行计算机谱图拟合分析.实验结果表明在制备态下在SiO2/Ta界面处有更稳定的化合物新相Ta5Si3和Ta2O5生成.在采用Ta作阻挡层的ULSI铜互连结构中这些反应产物可能有利于对Cu扩散的阻挡.; 龙世兵马纪东于广华赵洪辰朱逢吾张国海夏洋; 关键词：互连线扩散阻挡层 X射线光电子能谱钽超大规模集成电路互连结构

磁性多层膜中SiO_2/Ta界面反应及其对缓冲层的影响被引量：4: 2002年; 磁性多层膜常以金属Ta作为缓冲层.利用磁控溅射方法在表面有 300nm厚SiO2氧化膜的单晶硅（100）基片上沉积了Ta/NiFe/Ta薄膜.采用X射线光电子能谱（XPS）对该薄膜进行了深度剖析,并且对获得的Ta4f和Si　2p的高分辨XPS谱进行计算机谱图拟合分析.结果表明在SiO2/Ta界面处发生了化学反应:15 SiO2+37Ta=6Ta2O5+5Ta5Si3,该反应使得界面有“互混层”存在,从而导致诱发NiFe膜（111）织构所需的Ta缓冲层实际厚度的增加.; 于广华马纪东朱逢吾柴春林; 关键词：磁性多层膜缓冲层 X射线光电子能谱磁控溅射法巨磁电阻效应

物理学与材料科学结合的机遇与挑战: 2002年; 物理学 ,特别是凝聚态物理学与材料科学的交叉在近几十年已取得丰硕的研究成果 .文章分四部分 :(1)简要介绍了材料与材料科学的基本概念 ;(2 )回顾近代历史上物理学与材料科学交叉的一些典型例子 ;(3)介绍在表面和界面、缺陷、理论和模型、微结构表征、新材料以及新工艺等领域物理学与材料科学交叉的简况及材料研究的一些前沿问题 ;(4); 马纪东朱逢吾; 关键词：物理学纳米材料

Interface Reaction of SiO_2/Ta and Its Influence on Cu Diffusion被引量：1: 2002年; Ta/NiFe film is deposited on Si substrate precoated with SiO_2 by magnetron sputtering.SiO_2/Ta interface and Ta_5Si_3 standard sample are investigated by using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and peak decomposition technique.The results show that there is a thermodynamically favorable reaction at the SiO_2/Ta interface:37Ta+15SiO_2=5Ta_5Si_3+6Ta_2O_5.The more stable products Ta_5Si_3 and Ta_2O_5 may be beneficial to stop the diffusion of Cu into SiO_2.; 龙世兵马纪东于广华赵洪辰朱逢吾张国海夏洋

Ta种子层厚度及溅射速率对Ta/Ni_(65)Co_(35)双层膜各向异性磁电阻和矫顽力的影响被引量：2: 2005年; 研究了Ta种子层的厚度、溅射速率对Ta/Ni65/Co35双层膜各向异性磁电阻值(△ρ/ρ)、矫顽力和织构的影响.研究表明,适当的Ta层厚度和较高的Ta层溅射速率对提高Ta/Ni65Co35双层膜的△ρ/ρ是有效的.Ta种子层的使用增大了Ta/Ni65Co35双层膜的矫顽力而其溅射速率对Ta/Ni65Co35双层膜矫顽力的影响很小.; 张辉滕蛟马纪东于广华胡强; 关键词：矫顽力

制备单晶硅片表面完整层的新途径: 本发明属于集成电路用半导体材料的制备技术。发明人利用中子辐照氢气氛下区熔单晶硅。经切、磨、抛后，硅片实行两次热处理的方法，获得单晶硅片由于体内氢沉淀造成的表面完整层，为集成电路用硅材料提供了新的可能途径。; 陈燕生马纪东刘桂荣

种子层(Ni_(0.81)Fe_(0.19))_(1-x)Cr_x成分及厚度对Ni_(0.81)Fe_(0.19)薄膜磁性和微结构的影响被引量：1: 2003年; 用直流磁控溅射方法制备了性能优良的以(Ni0.81Fe0.19)1-xCrx为种子层的Ni0.81Fe0.19薄膜,研究了种子层成分及厚度对薄膜磁性和微结构的影响,结果表明:当种子层(Ni0.81Fe0.19)0.63Cr0.37厚度为5.5 nm时,Ni0.81Fe0.19(20.0 nm) 薄膜的各向异性磁电阻(AMR)值为(2.53±0.06)％;当Cr的含量为0.36时, Ni0.81Fe0.19(60.0 nm)薄膜的AMR值为 (3.35±0.06)％.AFM及XRD研究表明:不同厚度缓冲层(厚度分别为2.8,5.5和8.3 nm)的Ni0.81Fe0.19(20.0 nm)薄膜表面平均晶粒尺寸基本都为35.2 nm,但其111织构相差很大,AMR值最大时,对应的111衍射峰最强;不同Cr含量(分别为0.28,0.36和0.41)的Ni0.81Fe0.19(60.0 nm)薄膜表面平均晶粒尺寸和111衍射峰相差都很明显,AMR值最大时, 对应地薄膜表面平均晶粒尺寸最大, Ni0.81 Fe0.19 111衍射峰也最强.; 李海峰马纪东张辉于广华朱逢吾; 关键词：各向异性磁电阻

制备单晶硅片表面完整层的新途径: 本发明属于集成电路用半导体材料的制备技术。发明人利用中子辐照氢气氛下区熔单晶硅。经切、磨、抛后，硅片实行两次热处理的方法，获得单晶硅片由于体内氢沉淀造成的表面完整层，为集成电路用硅材料提供了新的可能途径。; 陈燕生马纪东刘桂荣; 文献传递

(Ni<,0.81>Fe<,0.19>)<,1-x>Cr<,x>种子层对Ni<,0.81>Fe<,0.19>薄膜各向异性磁电阻和微结构的影响: 本文研究了(Ni<,0.81>Fe<,0.19>)<,1-x>Cr<,x>种子层的成分和厚度对Ni<,0.81>Fe<,0.19>薄膜各向异性磁电阻及微结构的影响.结果表明:当种子层(Ni<,0.81>Fe<,0.19>...; 李海峰马纪东张辉于广华朱逢吾; 关键词：各向异性磁电阻; 文献传递