韦敏
- 作品数：41 被引量：79H指数：6
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金四川省应用基础研究计划项目电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术文化科学更多>>
- 掺Cd对ZnO薄膜光学性能的影响被引量：7
- 2008年
- 采用溶胶-凝胶法在石英玻璃上制备了不同掺Cd浓度的ZnO薄膜。X射线衍射(XRD)结果表明,所制备的薄膜具有c抽择优取向,随着Cd掺杂浓度的升高,(002)峰向低角度方向移动。UV透射曲线表明,薄膜具有明显的紫外吸收边,通过改变Cd的掺入浓度,可以使吸收边向长波方向移动并被控制在一定范围内,从而使薄膜的禁带宽度连续可调;薄膜的光致发光(PL)谱显示,ZnO薄膜的PL谱是由紫外激子发光峰和蓝光发光带组成,通过掺入Cd可使紫外带边发射的峰位向低能端方向红移,这与透射谱中吸收带边的红移相吻合,由紫外发光峰得到的光禁带宽度和由透射谱拟合得到的光禁带基本一致。对不同掺杂浓度的薄膜进行了比较,发现Cd掺入量为8%摩尔分数时ZnO薄膜具有最佳的结构性能和发光性能。
- 陈航邓宏戴丽萍陈金菊韦敏
- 关键词：溶胶-凝胶法红移
- 前馈神经网络的TLS学习算法
- 经典的前馈神经网络学习算法一般采用基于平方误差最小(LS)准则的后向传播(BP)学习算法,而本文创新性提出了前馈神经网络的基于全体平方误差最小(TLS)准则的TLS学习算法。本文还就函数逼近问题将TLS学习算法和BP学习...
- 韦敏
- 关键词：神经网络学习算法BP算法函数逼近
- 文献传递
- 基于集总参数测试技术的介电谱测量实验设计
- 2020年
- 设计了基于集总参数测试技术测量固体电介质的介电谱实验,具体采用失谐法和自动平衡电桥法两种测试技术测量介质材料的频率特性与温度特性,测试对象覆盖了固体电子学中的几种典型介质材料,如Al2O3复合陶瓷、PCB基板及铁电陶瓷等。面向电子科学与技术专业本科生设计实验教学方案,培养学生的科学思维和实践动手能力。
- 韦敏贾利军邓宏
- 关键词：电介质介电谱
- 铜掺杂氧化锌薄膜阻变特性的研究被引量：2
- 2014年
- 以ZnO∶Al为底电极,Cu为顶电极,在同种工艺条件下分别制备了类电容结构的纯ZnO阻变器件和ZnO∶2%Cu阻变器件,分析比较了两种器件的典型I-V特性曲线、置位电压(V Set)和复位电压(V Reset)的分布范围、器件的耐久性。结果显示,ZnO∶Cu阻变器件较纯ZnO阻变器件有更大的开关比和更稳定的循环性能。另外,研究了ZnO∶Cu阻变器件的阻变机理,通过对其I-V特性曲线分析得出以下结论:ZnO∶Cu阻变器件在高阻态遵循空间电荷限制电流效应,低阻态符合欧姆定律。
- 杨帆韦敏邓宏杨胜辉刘冲
- 一种低温制备透明红外-紫外探测器的方法
- 一种低温制备透明红外‑紫外探测器的方法，属于半导体光电器件技术领域。所述红外‑紫外探测器自下而上依次为衬底1、ZnO底电极2、PZT铁电层3和顶电极4，采用射频磁控溅射法制备ZnO底电极和PZT铁电层。本发明提供的一种基...
- 韦敏陈禹仲贾利军
- 文献传递
- ZnO基紫外光电探测材料研究被引量：1
- 2012年
- ZnO作为II-VI族直接宽禁带半导体材料,在室温下的禁带宽度约为3.37 eV,对应紫外波段的光子能量,且ZnO具有较高的化学和热稳定性,较强的抗辐射损伤能力,来源丰富,电子诱生缺陷较低等特点,适用于制备高性能的紫外探测器。而ZnO在掺杂后形成的合金可调节其禁带宽度,并与ZnO的晶格失配度及热膨胀系数差别较小,可构成量子阱或超晶格结构被广泛地应用于光电器件中,提高光电性能,所以相关的带隙工程的开展有利于推进实用的高性能的ZnO基光电器件的开发。尤其是对于ZnO基紫外探测器件,ZnO基三元合金具有可调控其探测波段到日盲区的特点,在此基础上所实现的紫外探测器在军事和民用领域具有广泛应用。基于此,笔者采用掺杂的方式调制ZnO的禁带宽度,使ZnO基三元合金材料的光学禁带宽度达到4.4 eV以上,获得可用于日盲紫外光波段探测的ZnO基光电探测器;同时,通过控制掺杂技术开发ZnO基异质复合结构,可应用于高性能的紫外光电发射探测器件。主要内容和创新性结果如下:1.采用溶胶–凝胶方法制备了Mg、Cd、Al掺杂的ZnO基三元合金薄膜,并对其微结构和光电性能进行研究,分析其掺杂效率和光学禁带调制效应,获得掺杂对ZnO薄膜禁带宽度调制的规律,并从不同元素掺杂引起Zn3d电子结合能变化的角度探讨了其禁带调制的机理。2.采用射频磁控溅射法制备AlxZn1-xO(AZO)合金薄膜,研究不同掺Al浓度对其微结构和光电性质的影响规律,研究表明:Al粒子数分数增大到20%会导致ZnO纤锌矿结构的消失,表明掺Al的固溶度在20%以内,而当掺Al粒子数分数达到30%则出现新的晶相;且随掺Al粒子数分数增加,薄膜中晶粒细化,电阻率大幅上升;通过改变Al组分可较大地展宽光学带隙,在Al粒子数分数为30%时带隙被展宽至4.43 eV。3.探讨氧气氛对AZO合金薄膜导电性的影响,并通过对其微结构和
- 韦敏邓宏邓雪然
- 关键词：紫外光电探测器
- ZnO基紫外探测器的研究进展与关键技术被引量：9
- 2007年
- 近年来,ZnO基紫外探测器由于其优异的光电特性,已成为紫外探测领域研究中的新热点之一。介绍了近年来国内外不同结构类型的ZnO基紫外探测器的研究状况,并对影响探测器性能的ZnO的光电导特性、薄膜微结构、掺杂、金半接触等关键技术进行了探讨,指出推动ZnO紫外探测器实用化进程的关键在于制备高质量的掺杂薄膜以及进一步提高器件的量子效率。
- 韦敏邓宏王培利李阳
- 关键词：ZNO紫外探测器MSM光响应度量子效率
- AlxZn1-xO合金光电探测器研究
- 在硅衬底上磁控溅射制备 AlxZn1-xO(AZO)合金薄膜,在其上真空蒸发Ni/Au叉指电极获得MSM结构光电探测器。AZO合金薄膜对紫外和可见光有高于80％的透过率,随Al含量增加,光学吸收带边呈蓝移趋势,且其电流与...
- 韦敏李杰邓雪然邓宏
- 关键词：光谱响应光电探测器电压特性
- 文献传递
- 一种AlZnO紫外光电阴极材料及其紫外真空光电管
- 一种AlZnO紫外光电阴极材料及其紫外真空光电管，属于电子材料与元器件技术领域。所述AlZnO紫外光电阴极材料，包括衬底基片、沉积于衬底基片表面的金属底电极和沉积于衬底金属底电极表面的AlZnO合金薄膜；所述AlZnO合...
- 邓宏韦敏邓雪然
- 文献传递
- Al掺杂浓度对ZnO陶瓷释能电阻材料性能的影响被引量：4
- 2014年
- 为了制备ZnO释能电阻并研究Al掺杂浓度对ZnO释能电阻材料的影响,通过改进的制陶工艺制备了不同Al掺杂浓度的ZnO导电陶瓷.实验结果表明,Al掺杂浓度对ZnO释能电阻的导电性、能量密度和线性度均有较大的影响.Al的掺杂能较好地改善ZnO释能电阻的线性度,非线性系数可低至1.02; Al掺杂能很好地控制ZnO的电阻率,使其达到0.54 Ω·cm;Al掺杂还能较好地改善ZnO陶瓷的均匀性和密度,从而提高ZnO释能电阻的能量吸收密度,能量吸收密度高达720 J/cm3,较金属释能材料高出2～3倍.
- 杨胜辉邓宏韦敏邓雪然
- 关键词：导电性线性度
