陈金伙
- 作品数：23 被引量：31H指数：3
- 供职机构：福州大学物理与信息工程学院微纳器件与太阳能电池研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金福建省自然科学基金甘肃省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程理学更多>>
- CuPc/SiO_2表面界面的电子状态研究(英文)
- 2006年
- 利用热生长工艺和热蒸发方法分别获得CuPc和Si O2薄膜层,通过原子力显微镜和X射线光电子能谱对其表面界面电子状态进行了研究,并采用高斯拟合方法对各谱进行了详细分析.结果表明,在氧原子的作用下,N1s ,C1s ,O1s和Cu2p都经受了一定的化学位移,从而使得各原子间的相互作用强度有所改变,这是导致OFET性能劣化的重要原因之一.对OFET而言,采用溅射工艺制备的Si O2层应比热氧化生长的Si O2层更合适.
- 陈金伙王永顺朱海华胡加兴张福甲
- 关键词：X射线光电子能谱
- 基于双组网模式的太阳能路灯控制系统被引量：1
- 2014年
- 为了实现对太阳能LED路灯的远程管理,同时达到低功耗、高稳定性、低复杂度的要求,提出了一个基于ZigBee网络和RS-485总线的太阳能路灯远程控制系统。该系统使用ZigBee技术对太阳能路灯进行自组网,并采用RS-485总线作为补充。基于以上两种网络,上位机最终实现了对太阳能路灯的远程控制与管理。主要介绍了该系统的总体设计方法,软、硬件实现,以及在实际环境中的测试结果。
- 王衍龙章杰林培杰赖松林陈金伙程树英
- 关键词：ZIGBEE技术RS-485太阳能LED路灯
- 退火温度对真空热蒸发法ZnS:In薄膜光电性能的影响被引量：1
- 2012年
- 采用真空热蒸发工艺,在ITO基片上分别制备ZnS薄膜和In薄膜,在正交实验条件下,以2%掺杂浓度的In原子掺杂可获得较高的载流子浓度,在此基础上,研究了不同退火温度对ZnS:In薄膜的光、电性能的影响。
- 陈金伙李文剑程树英
- 关键词：ZNS薄膜光电性能退火
- 环保型材料ZnS的掺杂研究
- 2012年
- 硫化锌(ZnS)是一种性能优异的半导体材料/发光材料,在ZnS走向商业化的过程中,良好的ZnS质量和理想的掺杂技术是关键。为此,文章就ZnS作为半导体材料和发光材料的的掺杂技术分别作简要分类和评述,并分述其优缺点,这对ZnS材料技术的发展、各技术间相互借鉴交叉具有一定的意义。
- 陈金伙
- 关键词：硫化锌掺杂发光材料半导体
- 并三苯场效应晶体管的研制被引量：2
- 2006年
- 采用有机半导体材料并三苯作为有源层,环氧树脂作为绝缘介质,通过旋涂和真空掩蔽蒸发的方法,成功研制出了倒转结构的有机场效应晶体管。经测试器件的电子迁移率为5.76×10-2cm2/V.s,跨导为0.96μS。显示出该器件具有良好的输出特性曲线。
- 李东仓王鹏陈金伙胡加兴张福甲
- 关键词：环氧树脂场效应晶体管
- 有机场效应晶体管的研究与试制
- 本文对有机场效应晶体管的试制进行了研究。文章首先回顾了OFET的发展历史，评述了OFET发展过程中所存在的问题及各阶段的研究重点。概述了各种OFET中常用的材料，并根据有机分子的大小将之分为有机小分子、有机低聚物、有机高...
- 陈金伙
- 关键词：场效应晶体管晶体管设计
- 新型并三苯有机薄膜晶体管
- 2006年
- 以环氧树脂(Eproxyresin)为栅绝缘层材料,并三苯(Anthracene)为有机半导体载流子传输层, 分别利用旋涂及真空掩蔽蒸发,在以铜为栅极的基底之上成功研制了有机薄膜场效应晶体管(OTFT), 经测试得出器件的电子迁移率为2．34×10-2cm2／(V·s),跨导为0．49 μs．
- 王鹏李东仓陈金伙胡加兴张福甲
- 关键词：环氧树脂有机薄膜场效应晶体管
- OTFT开关比对有源层厚度、杂质浓度间制约关系的影响研究被引量：1
- 2012年
- 本文从物理角度推导并分析Brown方程的本质,并将之用于OTFT开关比的分析。首次通过引入关键参数K(杂质层电流/感应层电流)对OTFT开关比进行了分析,获得OTFT中有源层厚度和杂质浓度潜在的、可被允许的上限值。在此前提下,重点分析了有源层厚度、有效杂质浓度对OTFT开关比的影响。接着根据模拟分析的结果,提出一种有效且简易的判断OTFT是否逼近开关比极限的方法,并分别论证在逼近/远离开关比极限的情况下,降低NA和dS对开关比提升的有效性,及不同情况的OTFT应采取的优化措施。最后,文中给出了一定开关比约束下有效掺杂浓度/有源层厚度的临界关系曲线,它具有重要的实用意义,且进一步约束了OTFT中有源层厚度和有效杂质浓度的所允许的上限值。
- 陈金伙李文剑程树英
- 关键词：OTFT开关比
- 基于Latch的CMOS动态比较器的研究被引量：3
- 2011年
- 动态比较器具有高速和低功耗的优点,是现代集成电路中的重要单元。本文简单介绍了基于latch的CMOS动态比较器的基本工作原理以及国内外最新研究进展;分析了几种新型动态比较器的性能。
- 戴惠明陈群超陈金伙
- 关键词：动态比较器锁存器低功耗
- ITO作为源漏电极的有机场效应晶体管被引量：2
- 2007年
- 报道了一种OFET,它采用ITO作为源漏电极,聚酰亚胺为绝缘层,CuPc为半导体层。实验结果表明,该器件具有明显的场效应性质,性能较好,载流子迁移率和开关比分别达2.3×10-3cm2/V.s、800,表明ITO是一种合适的、有前途的p型OFET源漏极材料。为此,本文对由电极材料和半导体材料间形成的接触电阻对OFET性能影响进行了分析。
- 陈金伙欧谷平张福甲
- 关键词：有机场效应晶体管ITO聚酰亚胺
