- 用于DLTS测试的MOS结构
- 1992年
- 本文采用阳极氧化工艺制备AlGaAs/GaAs自身氧化膜,进而制成MOS结构。对氧化膜的组分和稳定性,以及MOS结构的C—V特性进行了实际测量和理论分析。实验结果表明:经氮气退火后的氧化膜的电学性质稳定。本文得出了适合于深能级瞬态谱测试的MOS结构,及采用MOS结构进行DLTS测试的测试条件。
- 陈诺夫
- 关键词：深能级MOS结构DLTS半导体
- MOS结构深能级瞬态谱的测试与分析被引量：2
- 1992年
- 叙述了一种采用MOS结构研究半导体深能级陷阱的深能级瞬态谱(DLTS)测试与分析方法。该方法简便易行,适用范围广。通过对n-Al_(0.2)Ga_(0.8)As中深能级的研究表明,MOS结构和p^+-n结构的DLTS结果相同。
- 陈诺夫张若愚华庆恒
- 关键词：深能级MOS结构肖特基势垒
- 显示GaAs/AlGaAs缺陷的新方法——超声AB腐蚀被引量：7
- 1992年
- 本文提出了一种采用超声 AB腐蚀方法显示 GaAs/AlGaAs单晶缺陷的新方法.该方法可以在自然光环境、常温下显示位错露头、位错线、层错、微沉淀及生长条纹等多种晶体缺陷,分辨率高,腐蚀坑形状规则,操作简便.
- 陈诺夫
- 关键词：GAAS/ALGAAS
- GaAs大面积液相外延载流子均匀性的研究
- 1993年
- 采用液相外延技术在(100)GaAs衬底上生长无位错外延层,对外延片的载流子均匀性进行了测试和分析。为了改善载流子分布的均匀性,采用了脱氧15h,熔源8h以上,再同一源重复使用、多次生长的液相外延工艺。同时,为了满足实验的需要,设计了一种新型推拉式石墨舟。实验结果表明此方法是可取的。
- 李和委陈诺夫刘文杰
- 关键词：载流子分布液相外延砷化镓
