李和委
- 作品数：10 被引量：28H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学更多>>
- HEMT－HBT单片集成技术
- 1996年
- 简要介绍了ＨＥＭＴ－ＨＢＴ单片集成技术，并对目前用选择ＭＢＥ和ＨＥＭＴ－ＨＢＴ综合工艺制作的ＨＥＭＴ、ＨＢＴ器件和ＨＥＭＴ－ＨＢＴ，放大器性能进行了评述。
- 李和委
- 关键词：单片集成技术
- 高速GaAs驱动器
- 1997年
- 报道了用于驱动ＧａＡｓＭＭＩＣ射频开关的高速ＧａＡｓ驱动器的设计与制作。测试结果为：同相输出时，上升时间６ｎｓ，延迟时间４．８ｎｓ，下降时间６ｎｓ，延迟时间４ｎｓ；反相输出时，上升时间６．５ｎｓ，延迟时间３ｎｓ，下降时间１０ｎｓ，延迟时间６．７ｎｓ。与ＧａＡｓＭＭＩＣ射频开关进行了联试，结果不仅没有影响开关的射频特性。
- 李和委白锡巍
- 关键词：半导体驱动器射频开关砷化镓
- 纳米电子器件被引量：8
- 1999年
- 概述了用于超高密度集成电子计算机的纳米尺寸电子开关器件的研究进展。讨论了场效应晶体管的两类替代物： （１） 量子效应和单电子固态器件， （２） 分子电子器件。提出了每一类器件的分类方法，
- 李和委张汉三
- 关键词：纳米电子器件量子效应单电子电子器件
- GaAs大面积液相外延载流子均匀性的研究
- 1993年
- 采用液相外延技术在(100)GaAs衬底上生长无位错外延层,对外延片的载流子均匀性进行了测试和分析。为了改善载流子分布的均匀性,采用了脱氧15h,熔源8h以上,再同一源重复使用、多次生长的液相外延工艺。同时,为了满足实验的需要,设计了一种新型推拉式石墨舟。实验结果表明此方法是可取的。
- 李和委陈诺夫刘文杰
- 关键词：载流子分布液相外延砷化镓
- 第二代半导体材料、器件及电路的发展趋势被引量：3
- 2003年
- 砷化镓(GaAs）、磷化铟(InP）、硅锗(SiGe）单晶性能优异。适用于高速、高频、高温和大功率电子器件，是制作高性能微波和毫米波器件及电路的优良材料，广泛应用于相控阵雷达，电子对抗，卫量通信、移动通信等领域，具有广阔的军民两用市场和发展前景，对发展微电子工业起着关键作用。
- 李和委
- 关键词：SIGE化合物半导体砷化镓磷化铟硅锗
- 科技论文中多字母物理量符号的编写问题被引量：1
- 2009年
- 目前国家编辑常用标准及规范中没有规定微波电路中多字母物理量符号的编写形式,各种期刊采用的形式各不相同,国家行业标准的规定也存在与编辑常用标准及规范不一致的地方。为此,国家有关部门对国家行业标准和编辑规范需要进行补充和修订;编辑人员在尊重国家行业标准的基础上,将规范和编写格式灵活结合。
- 李和委
- 关键词：物理量
- 微波/毫米波器件及其电路的发展现状被引量：6
- 1998年
- 重点阐述了微波／毫米波器件及其电路的发展现状，并对我国在这方面的发展目标提出初步设想。
- 李和委
- 关键词：微波毫米波电路半导体
- 无线系统中的RF器件与电路
- 2001年
- 介绍了下一代无线系统中存在的问题 ,分别概述了无线系统中 RF器件与电路的发展与现状。
- 李和委张丽娟
- 关键词：无线系统功率放大器低噪声放大器无线通信
- 低噪声接收机模块被引量：2
- 2004年
- 随着现代军事系统和民用领域的发展,对低噪声、低功耗接收机模块的需求量越来越大。本文从蜂窝移动、GPS、CDMA和卫星通信四个方面简单阐述了低噪声接收机模块在无线领域的应用。最后,介绍了低噪声接收机模块在军事领域的发展现状。
- 李和委张丽娟
- 关键词：低噪声接收机蜂窝移动通信GPSCDMA卫星通信
- W及以上波段MMIC放大器的研究进展被引量：8
- 2009年
- 在阐述W及以上波段MMIC放大器性能的基础上,回顾了以InP HEMT MMIC放大器为主流技术的W及以上波段MMIC放大器的研究进展,介绍了基于InP HBT、GaAs MHEMT和Sb HEMT的MMIC放大器的研制水平,指出目前研制的W及以上波段MMIC放大器的应用领域,突显其在MMIC高端技术领域的重要性。针对欧美国家在该领域飞速发展而我国处于相对劣势的现状,对我国研发W及以上波段MMIC放大器提出初步建议。
- 李和委
- 关键词：太赫兹微波单片集成电路高电子迁移率晶体管磷化铟锑
