陈瑶
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院研究生院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电气工程一般工业技术电子电信更多>>
- 掺Sn的In_2O_3透明导电膜生长优先取向对其光电性能的影响被引量：2
- 2007年
- 采用反应热蒸发法制备掺Sn的In2O3(ITO)透明导电膜,系统研究了ITO薄膜生长的优先取向对其光电性能的影响.结果表明,ITO薄膜(400)取向的优先生长对其透过率影响很小,但可明显增加载流子迁移率,从而有效降低了薄膜的方块电阻.在两个相同的薄膜硅/单晶硅太阳能电池上分别沉积(222)和(400)ITO优先取向膜,光电转换效率分别为10.3%和12.9%,表明(400)取向更有利于提高电池效率.经优化,最佳衬底温度(Ts)为225℃,最佳氧流量(fO2)为4sccm.在优化的沉积条件下制备ITO薄膜,其电阻率可达到4.8×10-4Ω.cm,可见波段的透过率大于90%,性能指数为3.8×10-2□/Ω.
- 陈瑶周玉琴张群芳朱美芳刘丰珍刘金龙陈诺夫
- 关键词：ITO薄膜
- 掺Sn的In2O3透明导电膜优先取向对性能的影响
- 本文采用反应热蒸发法制备掺Sn的In2O3(ITO)透明导电膜.系统研究了ITO薄膜优先取向对其光电性能的影响.结果表明,ITO薄膜(400)取向的优先生长对其透过率及载流子浓度影响很小,但可明显增加载流子迁移率.我们在...
- 陈瑶周玉琴张群芳朱美芳刘金龙刘丰珍
- 关键词：ITO薄膜电池效率透明导电膜单晶硅太阳能电池
- 文献传递
