张群芳
- 作品数：13 被引量：49H指数：4
- 供职机构：中国科学院研究生院更多>>
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- 相关领域：电气工程电子电信理学动力工程及工程热物理更多>>
- 非晶硅/晶体硅异质结电池的模拟计算
- a-Si/c-Si异质结太阳电池由于结合了非晶硅低温、低成本的工艺制备过程和晶体硅稳定高效的优异特性,正在受到当今光伏产业越来越多的重视.作为界面器件,晶体硅与非晶硅界面处由于晶格失配、悬挂键、能带不连续等造成界面缺陷态...
- 崔介东刘丰珍张群芳
- 关键词：异质结太阳电池缓冲层模拟计算电池性能
- 文献传递
- 低温制备微晶硅薄膜生长机制的研究
- 为了研究微晶硅薄膜的生长机制,本文采用热丝化学气相沉积(HWCVD)制备一系列不同生长阶段的微晶硅(μc-Si:H)薄膜,用原子力显微镜(AFM),系统地研究表面形貌的演化.通过分形理论分析均方根表面粗糙度δ与薄膜厚度d...
- 谷锦华周玉琴朱美芳周炳卿刘丰珍刘金龙张群芳
- 关键词：表面形貌微晶硅薄膜热丝化学气相沉积
- 文献传递
- 250℃外延硅薄膜太阳能电池及其界面的优化
- 本文通过C-V和C-F测试研究了热丝化学气相沉积(HWCVD)过程中不同缓冲层晶化度条件下太阳能电池的界面特性.缓冲层晶化度的提高可以有效增加太阳能电池的短路电流,改善太阳能电池性能.通过高分辨透射电镜(HRTEM)观察...
- 张群芳朱美芳刘丰珍
- 关键词：薄膜太阳能电池热丝化学气相沉积短路电流
- 文献传递
- 高效薄膜硅/单晶硅太阳能电池
- 本文简单综述目前国内外对薄膜硅/单晶硅异质结电池的进展.着重介绍纳米晶硅/晶体硅异质结电池的界面钝化.本征缓冲层结构对太阳能电池的光伏特性的影响,HPTEM表明在高氢稀释条件下实现低温(250℃)硅薄膜的外延生长.优化各...
- 朱美芳张群芳刘丰珍周玉琴刘金龙
- 关键词：异质结太阳能电池硅薄膜热丝化学气相沉积光伏特性
- 文献传递
- 纳米硅/晶体硅异质结电池的暗I-V特性和输运机制被引量：1
- 2008年
- 采用HWCVD技术在p型CZ晶体硅衬底上制备了纳米硅/晶体硅异质结太阳电池,测量了晶体硅表面在不同氢处理时间下的异质结的暗I-V特性和相应的电池性能参数.室温下的正向暗I-V特性采用双二极管模型来拟合,可将0～1V的电压范围区分为4个区域:旁路电阻(0～0.15V)、非理想二极管2(0.15～0.3V)、理想二极管1(0.3～0.5V)和串联电阻(>0.5V).拟合结果表明,适当的氢处理时间(～30s)可有效降低非理想二极管的理想因子n2,即降低界面复合电流,表明具有好的界面特性.对于282～335K的暗I-V温度特性的研究表明,在0.15～0.3V的低电压范围,暗电流主要由耗尽区的复合电流提供,0.3～0.5V电压范围,对输运起主要作用的是隧穿过程,该过程可用通过界面陷阱能级的隧穿模型来解释.
- 刘丰珍崔介东张群芳朱美芳周玉琴
- 关键词：纳米硅薄膜
- 纳米硅/晶体硅异质结电池的暗I-V特性的分析
- 本文采用HWCVD技术在p型CZ晶体硅衬底上制备了纳米硅/晶体硅异质结太阳电池,测量了晶体硅表面在不同氢处理时间和有无i层条件下的异质结的室温暗I-V特性和相应的电池性能参数.采用双二极管模型拟合了正向暗I-V特性,表明...
- 张群芳崔介东刘丰珍朱美芳
- 关键词：纳米硅暗电流电压特性太阳电池电池性能
- 文献传递
- 低温制备微晶硅薄膜生长机制的研究被引量：20
- 2005年
- 采用热丝化学气相沉积技术制备了一系列处于不同生长阶段的薄膜样品 ,用原子力显微镜系统地研究生长在单晶硅衬底和玻璃衬底上薄膜表面形貌的演化 .按照分形理论分析得到 :在玻璃衬底上的硅薄膜以零扩散随机生长模式生长 ;而在单晶硅衬底上 ,薄膜早期以有限扩散生长模式生长 ,当膜厚超过某一临界厚度时转变为零扩散随机生长模式 .岛面密度与膜厚的依赖关系表明 ,在临界厚度时硅衬底和玻璃衬底上的岛面密度均出现了极大值 .Raman谱的测量证实 ,玻璃衬底上薄膜临界厚度与非晶 微晶相变之间存在密切的关系 .不同的衬底材料直接影响反应基元的表面扩散能力 ,从而造成薄膜早期生长模式的差异 .
- 谷锦华周玉琴朱美芳李国华丁琨周炳卿刘丰珍刘金龙张群芳
- 关键词：微晶硅薄膜表面形貌热丝化学气相沉积
- 高效薄膜硅/晶体硅异质结电池的研究被引量：12
- 2006年
- 一引言
用薄膜工艺在晶体硅衬底上制备非晶、纳米晶薄膜，可获得异质结电池，该类电池有以下优点：
- 张群芳朱美芳刘丰珍
- 关键词：晶体硅异质结电池纳米晶薄膜硅衬底
- 高效率n-nc-Si:H/p-c-Si异质结太阳能电池被引量：13
- 2007年
- 采用热丝化学气相沉积技术(HWCVD),系统地研究了纳米晶硅层(尤其是本征缓冲层)的晶化度以及晶体硅表面氢处理时间对nc-Si∶H/c-Si异质结太阳能电池性能的影响,通过C-V和C-F测试分析了不同氢处理时间和本征缓冲层氢稀释度对nc-Si∶H/c-Si界面缺陷态的影响,运用高分辨透射电镜观察了不同的本征缓冲层晶化度的nc-Si∶H/c-Si异质结太阳能电池的界面,优化工艺参数,在p型CZ晶体硅衬底上制备出转换效率为17·27%的n-nc-Si∶H/i-nc-Si∶H/p-c-Si异质结电池.
- 张群芳朱美芳刘丰珍周玉琴
- 关键词：异质结太阳能电池
- 掺Sn的In_2O_3透明导电膜生长优先取向对其光电性能的影响被引量：2
- 2007年
- 采用反应热蒸发法制备掺Sn的In2O3(ITO)透明导电膜,系统研究了ITO薄膜生长的优先取向对其光电性能的影响.结果表明,ITO薄膜(400)取向的优先生长对其透过率影响很小,但可明显增加载流子迁移率,从而有效降低了薄膜的方块电阻.在两个相同的薄膜硅/单晶硅太阳能电池上分别沉积(222)和(400)ITO优先取向膜,光电转换效率分别为10.3%和12.9%,表明(400)取向更有利于提高电池效率.经优化,最佳衬底温度(Ts)为225℃,最佳氧流量(fO2)为4sccm.在优化的沉积条件下制备ITO薄膜,其电阻率可达到4.8×10-4Ω.cm,可见波段的透过率大于90%,性能指数为3.8×10-2□/Ω.
- 陈瑶周玉琴张群芳朱美芳刘丰珍刘金龙陈诺夫
- 关键词：ITO薄膜
