郭立强
- 作品数：6 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院宁波材料技术与工程研究所宁波材料技术与工程研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种非晶态碳化硅薄膜的制备方法及其薄膜晶体管
- 本发明公开了一种非晶态碳化硅薄膜的制备方法，以硅源、碳源作为反应源，氩气作为保护气体，在掺杂剂的作用下，通过化学气相沉积技术得到。本发明还公开了一种非晶态碳化硅薄膜晶体管，该非晶态碳化硅薄膜晶体管包括衬底、阻隔层、源电极...
- 郭立强万青杨园园竺立强吴国栋
- 文献传递
- 一种柔性超薄玻璃的制备方法
- 本发明公开了一种柔性超薄玻璃的制备方法，采用化学气相沉积技术，在低熔点的锡溶液上首先制备一层氮化硅薄膜，再制备一层二氧化硅薄膜，最后抽取Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>/SiO<Sub>2</Sub...
- 万青郭立强杨园园竺立强张洪亮吴国栋
- 文献传递
- 一种柔性超薄玻璃的制备方法
- 本发明公开了一种柔性超薄玻璃的制备方法，采用化学气相沉积技术，在低熔点的锡溶液上首先制备一层氮化硅薄膜，再制备一层二氧化硅薄膜，最后抽取Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>/SiO<Sub>2</Sub...
- 万青郭立强杨园园竺立强张洪亮吴国栋
- 文献传递
- 氧对IZO低压无结薄膜晶体管稳定性的影响
- 2013年
- 本文在室温下制备了无结结构的低压氧化铟锌薄膜晶体管,并研究了氧分压对其稳定性的影响.氧化铟锌无结薄膜晶体管具有迁移率高、结构新颖等优点,然而氧化物沟道层易受氧、水分子等影响,造成稳定性下降.在室温下,本文通过改变高纯氧流量制备氧化铟锌透明导电薄膜作为沟道层、源漏电极,分析了氧压对于氧化物无结薄膜晶体管稳定性的影响.为使晶体管在低电压(<2V)下工作,达到低压驱动效果,本文采用具有双电层效应和栅电容大的二氧化硅纳米颗粒膜作为栅介质;通过电学性能测试,制备的晶体管工作电压仅为1V、开关电流比大于106、亚阈值斜率小于100mV/decade以及场效应迁移率大于20cm2/V.s.实验研究表明,通氧制备的氧化铟锌薄膜的电阻率会上升,导致晶体管的阈值电压向正向漂移,最终使晶体管的工作模式由耗尽型转变为增强型.
- 张耕铭郭立强赵孔胜颜钟惠
- 关键词：薄膜晶体管氧分子
- 一种无机质子导电膜的制备方法
- 本发明公开了一种无机质子导电膜的制备方法，包括：采用化学气相沉积技术，将反应源通入沉积体系中，通过调节工艺参数，在衬底上制备出磷掺杂二氧化硅无机质子导电膜。本发明还提供了一种基于该方法制备的导电膜，及用所述导电膜制成的制...
- 万青郭立强竺立强周菊枚张洪亮吴国栋
- 文献传递
- 一种无机质子导电膜的制备方法
- 本发明公开了一种无机质子导电膜的制备方法，包括：采用化学气相沉积技术，将反应源通入沉积体系中，通过调节工艺参数，在衬底上制备出磷掺杂二氧化硅无机质子导电膜。本发明还提供了一种基于该方法制备的导电膜，及用所述导电膜制成的制...
- 万青郭立强竺立强周菊枚张洪亮吴国栋
- 文献传递
