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低温熔盐电解法制备金属Ti及其动力学被引量：8: 2012年; 采用熔盐电脱氧法,以石墨固定的氧化物粉末为阴极,石墨棒为阳极,NaC1-CaC1_2混合熔盐为电解质,石墨坩埚为电解槽在800℃低温熔盐中制备金属Ti.进行不同电解时间的电脱氧实验,研究了阴极产物.分别以石墨和钼为工作电极、对电极和参比电极,对TiO_2电脱氧还原的过程进行了动力学研究,测定了循环伏安曲线.结果表明:未烧结TiO_2粉末经过40h的恒压电解后,TiO_2还原成Ti;石墨电极虽然有较宽的电化学窗口,但是电极活性高、表面积大,不能在高温条件下作为CV曲线电极材料使用;钼的电化学性质稳定,是比较理想的电极材料;二氧化钛的电化学还原分四步进行:TiO_2/Ti_3O_5,Ti_3O_5/Ti_2O_3,CaTi_2O_a/TiO,TiO/T,前两步都伴随CaTiO_3与CaTi_2O_4的自发形成.; 廖先杰翟玉春谢宏伟沈洪涛邹祥宇; 关键词：金属材料电脱氧熔盐循环伏安

CaCl_2熔盐中自烧结电解制备粉体Cr_3C_2及其机制被引量：1: 2013年; 以氧化铬和石墨粉为原料,采用聚乙烯醇粘接,压制成阴极片,以光谱石墨棒为阳极,在800℃氯化钙熔盐中,恒电压3.2 V下,阴极片自烧结电解制备碳化铬。采用XRD、SEM和EDX对样品进行表征。结果表明:粘接的阴极片满足熔盐电解的强度要求,通过熔盐电解过程的自烧结阴极片有效地粘接在一起,并制备出具有良好烧结性能、组分单一的Cr3C2粉体。该法制备Cr3C2的电流效率不低于37.3%。采用恒电位电解法和循环伏安法对电解机制的研究表明,熔盐电解制备Cr3C2的反应机制为:Cr2O3+e-→Cr+O2-,Cr+C→Cr3C2两步完成。; 郎晓川谢宏伟翟玉春邹祥宇; 关键词：电解自烧结 CR3C2

Direct Synthesis of High Purity Silicon Wires by Electrorefining in Molten KF-NaF Eutectic: 2013年; The electrochemical synthesis silicon wires by electrorefining metallurgical grade silicon in thermally dried and pre-electrolyzed molten KF-NaF eutectic were studied at temperatures 800-900 ℃ using cyclic voltammetry and ac impedance. One oxidation peak at -0.14 V could be attributed to the reaction of Si to Si4＋. A cathodic peak occurred at -0.56 V in the cyclic voltammogram and one response semicircle in the ac impedance spectrum was observed, supporting a one-step electrochemical reduction process of Si4＋-→Si. The electrochemical reaction of silicon was controlled by the diffusion process. The purity of electrorefined silicon wires was up to 99.999% by ICP-MS analysis.; 邹祥宇谢宏伟翟玉春郎晓川; 关键词：ELECTROREFINING

熔盐电精炼硅制备多晶硅的NaF-KCl熔盐净化及净化作用: 2012年; 采用预电解净化方法,研究了温度、电压、时间等对NaF-KCl熔盐净化的影响,结果发现温度800℃,预电解电压2.5V,预电解时间4h为熔盐净化合适条件.采用四电极法测量了800℃,净化前后NaF-KCl混合熔盐的电导率,计算了活化能,结果发现熔盐净化后电导率提高.进行了恒电位电精炼法制备多晶硅,采用XRD,SEM,EDS和ICP-ms对熔盐净化前后获得的多晶硅进行了表征,发现熔盐净化使多晶硅产品纯度明显改善,纯度达到99.99%.; 邹祥宇谢宏伟翟玉春郎晓川; 关键词：电导率多晶硅

熔盐电解精炼制备太阳能级多晶硅被引量：3: 2012年; 采用熔盐电解精炼技术在物质的量比为1∶1的NaF-KF混合共晶熔盐中对冶金硅进行精炼提纯制备太阳能级多晶硅.采用SEM和ICP-MS对熔盐电解精炼后产物硅进行表征.考察了熔盐电解精炼过程中电压、温度、时间对冶金硅中主要杂质去除率的影响.在2.0 V,1 073 K条件下,冶金硅阳极经电解精炼400min后,精炼产物形貌为线状,直径主要分布在50~150nm之间,长度达到几十微米.冶金硅中主要金属杂质的去除率在92%以上,B,P杂质的去除率分别为92.1%和97.6%,产物硅的纯度达到99.999%.; 邹祥宇谢宏伟翟玉春戴永年; 关键词：纯度

制备太阳能级多晶硅过程中湿法除杂研究被引量：2: 2012年; 在熔盐电解精炼基础上结合常温酸洗技术对冶金硅进行精炼提纯制备太阳能级多晶硅。采用SEM对熔盐电解精炼前后冶金硅阳极表面和产物硅进行表征。考察了熔盐电解解精炼和酸洗过程中主要工艺参数:电精炼电压、电精炼温度、浸出剂种类、酸洗时间等对硅中杂质去除率的影响。当在2.0 V1、000 K条件下,电解精炼400 min再结合5%HNO3+5%HF混合酸酸洗8 h后产物硅中各杂质含量均小于1 ppm,产物硅的纯度达到99.999 9%以上。; 邹祥宇谢宏伟翟玉春戴永年郎晓川; 关键词：酸洗

熔盐电解法制备TiC粉末的研究被引量：6: 2013年; 以TiO2、CaO和C为原料制备阴极,然后在CaCl2-NaCl混合熔盐体系中,采用熔盐电解法制备TiC粉末,并通过SEM、EDX、XRD对阴极及其电解产物进行表征。结果表明:当烧结温度为1 300℃、烧结时间为2h时可制备出导电性良好、强度适宜的CaTiO3-C复合物以满足熔盐电解对阴极的要求,再以其为阴极,经熔盐电解后可制备出呈不规则球状分布且粒度均匀的TiC粉末。; 郎晓川谢宏伟翟玉春邹祥宇; 关键词：熔盐电解法阴极

CaCl_2熔盐中自烧结电解制备碳化钒及其机制被引量：2: 2014年; 以氧化钒和石墨粉为原料,采用聚乙烯醇粘接制备阴极片。以光谱石墨棒为阳极,阴极片在800℃氯化钙熔盐中自烧结,恒电压3.2 V下,通过熔盐电解法制备碳化钒。结果表明:粘接的阴极片强度满足熔盐电解的要求,通过熔盐电解,不仅完成阴极片自烧结的过程,并制备出组分单一的碳化钒粉体。通过不同电解阶段产物的物相及循环伏安曲线对反应机制进行研究的结果表明:碳化钒的形成过程为3步反应:V5++(C)→V3++(C)→V2++(C)→V(Cx)。; 郎晓川谢宏伟翟玉春邹祥宇; 关键词：熔盐电解碳化钒循环伏安法自烧结

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邹祥宇