邱建军
- 作品数：11 被引量：14H指数：3
- 供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金北京市教委科技发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 基于热电模型的多发射极功率HBTs非均匀发射极镇流电阻设计
- 本文在考虑发射结电压随温度的变化和发射极加入镇流电阻的情况下,给出简化的三维热电模型,用以计算功率HBT芯片表面温度分布.我们发现对于采用均匀发射极镇流电阻的功率HBT,芯片中心发射极条温度很高,进而限制了器件的功率处理...
- 金冬月张万荣邱建军高攀萧莹
- 关键词：异质结双极晶体管
- 文献传递
- 横向尺寸的变化对SiGe HBT高频噪声的影响(英文)被引量：1
- 2007年
- 从发射极条宽、发射极条长、基极条数、发射极与基极间距四个方面分析了横向尺寸变化对SiGe HBT高频噪声的影响。结果表明增加发射极条长、基极条数和减小发射极与基极间距可以较为有效地减小晶体管噪声,而减小发射极与基极间距对噪声的改善效果比较显著。发射极与基极间距从1μm减小到0.5μm,2GHz工作频率下最小噪声系数可减小9dB,在0.5GHz工作频率下最小噪声系数可降至1.5dB,2GHz工作频率下最小噪声系数为3dB。
- 高攀张万荣邱建军杨经纬金冬月谢红云张静张正元刘道广王健安徐学良
- 关键词：HBTSIGE
- 具有高电流处理能力的多发射极条微波功率GeSi HBT
- 本文对多发射极条(指)微波功率GeSi HBT进行了设计、制造,并对电流处理能力进行了研究。实验结果表明,对20-80指GeSi HBT,发射极单位长度的电流密度I在1.67-1.06A/cm之间变化.随发射极条数的增加...
- 沈珮张万荣谢红云金冬月邱建军王扬何莉剑张蔚沙永萍李佳甘军宁
- 关键词：锗硅异质结双极晶体管
- 文献传递
- SiGe/Si HBT高频噪声特性研究被引量：4
- 2006年
- 基于器件Y参数,对Si/Si1-xGexHBT的高频噪声进行了模拟。Si/Si1-xGexHBT的高频最小噪声系数随Ge组份x的增加而减小。与Si BJT相比,Si/SiGe HBT具有优异的高频噪声特性。
- 张万荣邱建军金冬月张静张正元刘道广王健安徐学良陈光炳
- 关键词：SIGE异质结晶体管
- 射频功率HBT热稳定性的一种新表征方法被引量：4
- 2006年
- 从热电反馈网络角度出发,在考虑到晶体管发射极电流随温度的变化、发射结价带不连续性(ΔEV)、重掺杂禁带变窄(ΔEg)及基极和发射极加入镇流电阻(RB和RE)等情况下,首次较全面地给出了功率晶体管热稳定因子S表达式。用该表达式可以很方便、明了地对功率双极晶体管进行热稳定性分析。分析了镇流电阻对射频功率晶体管安全工作区以及S的影响。结果表明,功率异质结双极晶体管(HBT)热稳定性优于同质结双极晶体管(BJT),适当选取RB和RE可使S=0,使由器件本身产生的耗散功率而引起的自加热效应被完全补偿,器件特性得以保持,不因自热而产生漂移,这是同质结器件所无法实现的。
- 金冬月张万荣谢红云邱建军王扬
- 关键词：异质结双极晶体管镇流电阻
- 高热稳定性的功率GeSi HBT的设计和研制
- 随着GeSi HBTs越来越广泛的应用于射频/微波通信、卫星通信和功率放大器等领域，如何在高频、大功率应用的前提下，提高GeSi HBT的热稳定性，成为人们需要研究的一个重要问题。
为了提高GeSi HBT的功...
- 邱建军
- 关键词：自热效应热稳定性计算机模拟
- 文献传递
- 多指功率GeSi HBTs的非等值发射极镇流电阻优化设计
- 微波功率GeSi HBTs(Heterojunction Bipolar Transistors,异质结双极晶体管)经常采用多指结构,通常每指上采用等值的发射极镇流电阻来提高器件的热稳定性。自热和指间的热耦合效应,使热分...
- 邱建军张万荣高攀杨经伟金冬月
- 关键词：微波功率异质结双极晶体管镇流电阻
- 文献传递
- 多发射极指分段结构功率SiGe HBT的热分析被引量：3
- 2008年
- 提出了一种有效的方法—采用多发射极指分段结构来增强功率SiGe HBT的热稳定性。为了对分段结构进行精确的热分析,针对器件多层结构的特点,建立起适当的热模型,模型中充分考虑了各个部分的热阻。根据此热模型,使用有限元方法,对一个十指的分段结构功率SiGe HBT进行了热模拟。考虑到模拟的精确性及软件的功能限制,采用两步模拟法:衬底模拟和有源区模拟。通过模拟,得到了发射极指的三维温度分布。结果表明,分段结构功率HBT的最高结温和热阻都明显低于完整发射极指结构,新结构有效地提高了器件的热稳定性。
- 王扬张万荣谢红云金冬月邱建军
- 关键词：SIGEHBT热模拟
- 基于热电模型的多发射极功率HBTs非均匀镇流电阻设计
- 2007年
- 在考虑发射结电压随温度的变化和发射极加入镇流电阻的情况下,给出简化的三维热电模型,用以计算功率HBT芯片表面温度分布.分析表明,对于采用均匀发射极镇流电阻设计的功率HBT,芯片中心发射极条温度最高,严重限制了器件的功率处理能力.因此提出非均匀发射极镇流电阻设计方案,并以12指Si0.8Ge0.2HBT为例,详细地给出非均匀发射极镇流电阻设计流程.结果表明,在总发射极镇流电阻阻值(各指发射极镇流电阻并联值)不变的情况下,非均匀发射极镇流电阻设计与传统的均匀设计相比,芯片中心结温显著降低,芯片表面温度趋于一致.还发现当各指发射极镇流电阻阻值从芯片边缘到中心按指数形式分布时,功率HBT的芯片表面温度更容易趋于均匀,大大提高了HBT的功率处理能力,为功率HBT的设计提供了指导.
- 金冬月张万荣谢红云王扬邱建军
- 关键词：异质结双极晶体管
- SiGe HBT高频噪声特性研究被引量：2
- 2007年
- 对SiGe HBT的高频噪声进行了模拟。频率f、载流子正向延迟时间τF、集电极电流等因素都对高频噪声有影响。当频率高于高频转角频率时,最小噪声系数NFmin随着频率的增大而线性增大,而不是与f2成正比关系,且NFmin随着集电极电流的增大先减小后增大。结果表明,噪声最小时的最佳偏置电流所对应的特征频率fT并不是最大特征频率,约为最大特征频率的50%。
- 高攀张万荣谢红云邱建军沙永萍金冬月张静张正元刘道广王健安徐学良陈光炳
- 关键词：硅锗异质结双极型晶体管
