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邓昀

作品数：21 被引量：1H指数：1
供职机构：长春理工大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 20篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 20篇激光
  • 20篇激光器
  • 8篇锑化物
  • 8篇量子点
  • 7篇量子
  • 7篇激光器结构
  • 6篇量子点激光器
  • 5篇半导体
  • 4篇激光材料
  • 4篇激光器材料
  • 4篇光材料
  • 4篇半导体激光
  • 4篇半导体激光器
  • 3篇腔面
  • 3篇面发射
  • 3篇面发射激光器
  • 3篇激光器件
  • 3篇光器件
  • 3篇发射激光器
  • 2篇多量子阱

机构

  • 21篇长春理工大学

作者

  • 21篇邓昀
  • 15篇刘国军
  • 14篇乔忠良
  • 14篇李占国
  • 13篇李林
  • 13篇王勇
  • 13篇尤明慧
  • 12篇李梅
  • 11篇王晓华
  • 9篇高欣
  • 8篇赵英杰
  • 6篇李联合
  • 5篇晏长岭
  • 4篇冯源
  • 4篇曲轶
  • 4篇李辉
  • 4篇薄报学
  • 4篇邹永刚
  • 3篇芦鹏
  • 3篇钟景昌

年份

  • 1篇2014
  • 2篇2012
  • 4篇2011
  • 9篇2010
  • 4篇2009
  • 1篇2007
共 21 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
1.31μm GaInNAs激光器的设计与制作
本文较为系统的介绍了GaInNAs应变量子阱材料的光增益、输出波长、对温度的敏感性等特性，并从理论上对其形成机制作了初步的探讨，对并入其中的N组分引起的反常弯曲系数的成因给出了一定的解释。设计并制作了完整的GaInNAs...
邓昀
关键词：GAINNAS应变量子阱半导体激光器
文献传递
采用InGaSb柱形量子点实现高效率1.5μm通讯波段激光器结构的外延生长设计及方法
III-V族锑化物以其特有的晶格参数、能带结构特性，在近、中红外半导体器件方面显示出越来越重要得研究价值和应用价值。GaAs基1.5μm的Sb基量子点激光器的研制将提供替代InP基材料器件的可能，克服InP基材料其间难以...
李占国刘国军尤明慧李林李梅乔忠良邓昀王勇王晓华赵英杰李联合
文献传递
非圆环形腔半导体激光器
本发明提供了一种非圆环形腔半导体激光器，其采用非圆环形腔。由顺次连列的均为非圆环形的上电极(8)、上波导层(9)、有源增益区(10)、下波导层(11)、衬底(12)和下电极(13)构成；所述的非圆环形腔半导体激光器的下电...
晏长岭邓昀冯源钟景昌
一种采用阱中量子点(DWELL)的中红外锑化物激光器结构
本发明是一种采用阱中量子点(DWELL)的中红外锑化物激光器结构，即阱中量子点(DWELL)中红外激光器结构，即在量子阱(WELL)中嵌入量子点(DOT)，通过增加器件中DWELL的有效周期数目提升器件效率。减少有源区I...
尤明慧高欣李占国刘国军李林李梅王勇乔忠良邹永刚邓昀王晓华李联合
文献传递
一种含双反射带半导体分布布拉格反射镜的光泵浦垂直外腔面发射激光器
本发明提供了一种含双反射带半导体分布布拉格反射镜的光泵浦垂直外腔面发射激光器，由顺次连接的均为泵浦光源(1)、外腔反射镜(2)、增透膜(3)、窗口层(4)、有源多量子阱增益区(5)、双反射带半导体布拉格反射镜(6)；所述...
晏长岭邓昀冯源郝永芹田春雨贾霄赵英杰钟景昌
文献传递
采用AlSb缓冲层制备AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱的外延方法
AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱激光器属于第一类量子阱结构，材料和器件的研究存在相当的难度，锑化物材料存在很大的不互溶隙，在不互溶隙内的材料为亚稳态，优质材料生长难度十分大，是III-V族化合物中最复杂的材料之...
李占国刘国军尤明慧李林李梅乔忠良邹永刚邓昀王勇王晓华赵英杰
文献传递
带有限制光反馈结构分别驱动的发射波长为808nm锥形半导体激光器
普通宽条808nm半导体激光器，输出功率很高，达到瓦级以上，但是通常为多模激光器且光束质量较差，缩小条宽可提高光束质量等，但是相应的，要以牺牲激光器的输出功率为代价。因此，带有限制光反馈结构分别驱动的发射波长为808nm...
曲轶曲博文李辉邓昀张斯钰李月一刘规东娄丽刘国军薄报学高欣
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一种多层垂直耦合InAsSb量子点隧道结激光器结构
本发明提出了一种多层垂直耦合InAsSb量子点隧道结激光器结构，其基本思想是采用多层垂直耦合量子点作为隧道结，实现激光器的高效隧穿耦合，即通过多层垂直耦合量子点隧道结将两个或两个以上量子阱激光器串联起来。与采用薄层隧道结...
李占国尤明慧刘国军欧仁侠魏志鹏高欣李林史丹王勇乔忠良邓昀王晓华辛德胜张剑家曲轶薄报学马晓辉
文献传递
一种大尺寸InGaSb量子点的外延生长方法
大尺寸量子点属于半导体光电子材料技术领域。该领域已知技术所探索的各种制备低维量子材料的方法中，不足之处是难于控制量子点的空间尺寸、形状和组分分布，使得它难于方便地引入器件中发挥效应。尤其是结构中难以控制的各向异性(形状、...
李占国刘国军李林李梅尤明慧乔忠良王勇邓昀王晓华赵英杰李联合
文献传递
一种刻蚀散热增强型垂直腔面发射激光器
本发明的一种刻蚀散热增强型垂直腔面发射激光器，在衬底的中央采用湿法腐蚀或干法刻蚀方法去掉相应的衬底形成衬底沟槽，形成的衬底沟槽由高导热焊料填充，减少衬底对有源区产生的热向热沉扩散的阻隔，使有源增益区与散热片或热沉实现近距...
晏长岭邓昀徐莉冯源郝永芹田春雨贾霄赵英杰李鹏
文献传递
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