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赵金花

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：山东建筑大学更多>>
发文基金：山东省自然科学基金博士科研启动基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 2篇离子辐照
  • 1篇带隙
  • 1篇射程
  • 1篇损伤层
  • 1篇退火
  • 1篇退火处理
  • 1篇微镜观察
  • 1篇显微镜
  • 1篇显微镜观察
  • 1篇相结构
  • 1篇离子束
  • 1篇离子注入
  • 1篇金相
  • 1篇金相结构
  • 1篇绝缘
  • 1篇绝缘体
  • 1篇辐照
  • 1篇SI
  • 1篇表面层
  • 1篇衬底

机构

  • 3篇山东建筑大学

作者

  • 3篇赵金花
  • 3篇付刚
  • 2篇王凤翔
  • 2篇秦希峰
  • 1篇马桂杰
  • 1篇时术华
  • 1篇李爽

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2015
  • 1篇2014
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种基于He离子辐照的石榴石晶体薄膜的制备方法
一种基于He离子辐照的石榴石晶体薄膜的制备方法，包括：a)计算得到He离子的能量和剂量；b)按计算得到He离子的能量和剂量对石榴石晶体进行辐照，损伤层将石榴石晶体分割成上端的表面层和下端的衬底层；c)将辐射后的石榴石晶体...
赵金花付刚李爽
文献传递
一种调控SiC基外延石墨烯电子带隙的方法
一种调控SiC基外延石墨烯电子带隙的方法，包括如下步骤：a)通过SRIM软件计算辐照离子在SiC晶体中产生的损伤分布、电子能量损失和核能量损失分布，计算缺陷石墨烯的能带结构；b)用离子束对SiC基外延石墨烯样品进行辐照，...
赵金花秦希峰王凤翔付刚
文献传递
铒离子注入绝缘体上Si的射程分布研究被引量：1
2014年
利用离子注入掺杂技术设计、制作半导体集成器件时,了解离子注入半导体材料的射程分布和横向离散规律等是很重要的.用200—500 keV能量的铒(Er)离子注入SOI(silicon-on-insulator,绝缘体上的硅)样品中,利用卢瑟福背散射(RBS)技术研究了剂量为2×1015cm-2的Er离子注入SOI的平均投影射程Rp和射程离散△Rp,把测出的实验值和SRIM软件得到的理论计算值进行了比较,发现平均投影射程Rp的实验值跟理论计算值符合较好,射程离散△Rp的实验值和理论计算值差别大一些.
秦希峰马桂杰时术华王凤翔付刚赵金花
关键词：离子注入
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