王凤翔
- 作品数：19 被引量：21H指数：3
- 供职机构：山东建筑大学更多>>
- 发文基金：山东省自然科学基金国家自然科学基金山东建筑大学校内基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信金属学及工艺机械工程更多>>
- 氧氩比对铒镱掺杂氧化锌薄膜的结构和光波导特性的影响
- 2013年
- 氧化锌作为一种良好的发光材料广泛应用于太阳能电池、气敏传感器、紫外探测器、光电器件、透明电极等诸多领域。文章应用磁控溅射技术制备铒镱掺杂的氧化锌薄膜,利用X射线(XRD)和棱镜耦合技术,分析研究了氧氩比对铒镱掺杂的氧化锌薄膜的结构和光波导特性的影响。结果表明:氧氩比对薄膜的结构和光波导特性有重要影响,当氧氩比为2:16时,薄膜的衍射峰的强度较大,半高宽(FWHM)较窄,有效折射率接近ZnO薄膜的折射率,降低氧氩比有利于增强薄膜的c轴择优取向。
- 宋红莲王凤翔陈志华孙舒宁
- 关键词：磁控溅射技术
- 钕离子注入硅晶体的横向离散研究
- 2009年
- 利用离子注入技术掺杂制作光电子器件时,需要了解离子注入材料的射程分布、射程离散和横向离散.介绍了用400 keV能量的Nd离子分别垂直和倾斜60o角注入两块相同的Si晶体样品中,利用卢瑟福背散射技术研究了400 keV,5×1015 ions/cm2 Nd离子注入Si晶体的横向射程离散.测出的实验值和TRIM’98得到的理论模拟值进行了比较,发现实验值跟TRIM’98模拟计算的理论值能较好地符合.
- 秦希峰季燕菊王凤翔付刚赵优美
- 关键词：离子注入
- Er^+注入Yb掺杂的ZnO波导膜的光学及结构特性研究
- 2012年
- 利用射频磁控溅射技术在蓝宝石衬底上沉积ZnO:Yb光波导薄膜,然后用离子注入技术将能量为200keV的Er+离子注入薄膜中,剂量为1×1015ions/cm2。应用棱镜耦合技术、卢瑟福背散射(RBS)技术、X射线衍射(XRD)技术和荧光光谱等技术研究了薄膜的波导性质、基本结构、厚度、组分、Er+的射程情况及光学频率上转换性质。实验发现掺杂Yb和Er的薄膜可以形成光波导结构,但波导质量较纯ZnO波导膜差,膜的有效折射率及沉积速率随Yb掺杂量增加有减小趋势;薄膜呈ZnO高度c—轴取向生长,Yb和Er能有效掺杂进ZnO晶格,ZnO晶格常数受Yb掺杂量的不同而变化;在980nm激光激发下没有发现在300～720nm间的光学频率上转换。
- 齐俊鹤王凤翔卢菲陈志华宋红莲
- 关键词：离子注入ZNOERYB
- 一种掺铒氮化锌薄膜光波导及制备方法
- 本发明涉及一种半导体材料光波导的制备方法，尤其涉及一种掺铒氮化锌薄膜光波导及制备方法。本发明首次在氮化锌这种新型半导体材料薄膜层尝试进行铒离子掺杂，并证明离子辐照技术制备掺铒氮化锌光波导是可行的，为氮化锌光波导的发展前景...
- 王凤翔孙舒宁付刚陈志华李双
- 文献传递
- 在蓝宝石、MgO衬底上ZnO波导膜的制备被引量：3
- 2011年
- 以ZnO烧结陶瓷为靶材,应用射频磁控溅射技术在(001)蓝宝石、(100)MgO衬底上制备ZnO波导薄膜。利用棱镜耦合、X射线衍射、RBS背散射分析等技术研究了所沉积薄膜的光波导及内部结构信息。结果表明:在两种衬底上所沉积的ZnO薄膜可以形成优良的平面光波导结构;薄膜结晶状况为存在少量其他晶向的c轴择优取向;薄膜含有的Zn及O组分原子数比例为近化学计量比;薄膜的沉积速率受衬底材料表面能作用轻微影响;薄膜的有效折射率较ZnO体材料小且受衬底材料影响。生长在蓝宝石衬底上ZnO薄膜的平均晶粒尺寸较在MgO衬底上的小,且其随膜厚的增加无明显变化,但在MgO衬底上晶粒尺寸则随膜厚的增加有增大趋势。
- 王凤翔齐俊鹤卢菲刘秀红李爽陈志华宋红莲
- 关键词：磁控溅射蓝宝石MGOZNO薄膜
- 二维硅基三角形气孔光子晶体的带隙分析被引量：1
- 2010年
- 研究了以硅为背景介质周期性排列的等边三角形气孔构成的三角晶格二维光子晶体,把平面波展开法用于光子晶体能带结构的数值研究,分别改变等边三角形气孔边长、晶格常数和晶格基元旋转角度,研究带隙变化规律。研究结果表明:三角形气孔边长、晶格常数和晶格基元旋转角度的适当改变可以使光子晶体出现完全带隙,优化结构参数给出了一个完全带隙。
- 赵优美李双王凤翔秦希峰
- 关键词：光子晶体三角晶格平面波展开法完全带隙
- 射频磁控溅射制备ZnO光波导薄膜被引量：12
- 2010年
- 采用射频磁控溅射技术在石英玻璃上制备出了具有高度c轴择优取向的ZnO薄膜。利用X射线衍射(XRD)、背散射分析(RBS)、棱镜耦合等技术对其结构、光波导性质进行研究,结果表明减小溅射压强有利于提高薄膜的结晶质量,增强薄膜的c轴择优取向。溅射压强越小,薄膜越厚,薄膜的有效折射率越接近晶体材料的折射率。
- 李爽王凤翔付刚季艳菊赵俊卿
- 关键词：ZNO薄膜射频磁控溅射X射线衍射
- 铒离子注入晶体硅的射程分布和离散研究
- 2009年
- 用400 keV能量的铒离子垂直注入晶体硅(Si)样品中。利用卢瑟福背散射技术研究了能量为400 keV、剂量为5×1015ions/cm2的铒离子注入Si晶体的平均投影射程、射程离散和深度分布。测出的实验值和TRIM 98得到的理论模拟值进行了比较,发现实验值跟TRIM 98模拟计算的理论值符合较好。
- 秦希峰季燕菊王凤翔付刚赵优美
- 关键词：离子注入
- 溅射气压对TiO_2薄膜结构性质的影响被引量：3
- 2012年
- 用射频磁控溅射技术在双面抛光的石英玻璃(SiO2)基底上沉积Er3+/Yb3+掺杂的TiO2薄膜,利用RBS背散射分析技术和X射线衍射技术研究溅射压强对薄膜结构性质的影响。结果表明:随着压强增加,成膜速率缓慢下降,且压强增大到一定数值之后对成膜速率的影响会逐渐减弱;随着压强增加,薄膜晶粒变大,晶粒间界变小,晶化质量提高。当溅射压强2.0Pa时,晶粒尺寸最大为64nm;适当降低溅射压强有利于提高薄膜的沉积速率,但是压强值也不能过小,否则会影响薄膜的晶粒尺寸大小,降低薄膜的结晶质量。
- 陈志华王凤翔宋红莲张秀全孙舒宁
- 关键词：TIO2薄膜溅射压强沉积速率晶粒尺寸
- 一种调控SiC基外延石墨烯电子带隙的方法
- 一种调控SiC基外延石墨烯电子带隙的方法，包括如下步骤：a)通过SRIM软件计算辐照离子在SiC晶体中产生的损伤分布、电子能量损失和核能量损失分布，计算缺陷石墨烯的能带结构；b)用离子束对SiC基外延石墨烯样品进行辐照，...
- 赵金花秦希峰王凤翔付刚
- 文献传递
