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许晓冬

作品数:2 被引量:9H指数:2
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇激光
  • 2篇激光器
  • 2篇反馈激光器
  • 1篇单片
  • 1篇单片集成
  • 1篇电吸收
  • 1篇电吸收调制
  • 1篇电吸收调制激...
  • 1篇调制
  • 1篇调制激光器
  • 1篇阵列
  • 1篇取样光栅
  • 1篇激光器阵列
  • 1篇光栅
  • 1篇分布反馈激光...
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体激光
  • 1篇半导体激光器
  • 1篇半导体激光器...
  • 1篇EML

机构

  • 2篇中国科学院

作者

  • 2篇朱洪亮
  • 2篇梁松
  • 2篇王宝军
  • 2篇王圩
  • 2篇许晓冬
  • 2篇赵玲娟
  • 1篇李宝霞
  • 1篇朱小宁
  • 1篇边静
  • 1篇孔端花
  • 1篇王桓

传媒

  • 2篇光电子.激光

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
取样光栅分布反馈激光器阵列器件研究被引量:6
2010年
采用了一种基于取样光栅原理制作多通道增益-折射率耦合型光栅的方法,成功制作了8波长分布反馈(DFB)激光器阵列,阵列中各激光器的阈值电流为30~40 mA,注入电流为100 mA时的平均输出光功率为10mW,阵列器件实现了波长的可选择性激射,相邻激光器间的频率间距为200 GHz,验证了用取样光栅方法制作DFB激光器阵列的可行性。
朱洪亮许晓冬王桓孔端花梁松王宝军赵玲娟王圩
关键词:取样光栅半导体激光器阵列
单片集成电吸收调制分布反馈激光器被引量:4
2011年
提出一种选择区域外延双有源区叠层(SAG-DSAL)结构新技术,基于此技术设计研制了单片集成电吸收调制激光器(EML),SAG-DSAL-EML管芯的阈值电流为20 mA,工作电流为100 mA时的出光功率为10 mW,由吸收调制器(EAM)加-3 V偏压时的消光比为12 dB,实现了简化制作工艺并提高器件性能的预期目的,有望用于规模化生产。
朱洪亮梁松李宝霞赵玲娟王宝军边静许晓冬朱小宁王圩
共1页<1>
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