胡懿
- 作品数：5 被引量：4H指数：1
- 供职机构：武汉大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金西北工业大学凝固技术国家重点实验室开放课题基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 氧氩比和氢离子注入对ZnO薄膜微结构及光学性能的影响
- ZnO作为第三代半导体，具有宽禁带宽度(3.4eV)、高激子束缚能(60meV)等优异特性，可作为新一代蓝光和紫外发光材料。然而，由于ZnO天然存在本征缺陷和氢杂质一般呈n型导电，制备高质量的p-ZnO比较困难。认识Zn...
- 胡懿
- 关键词：ZNO薄膜氢离子微结构光学性能
- 文献传递
- 基于正电子的反物质研究进展被引量：4
- 2008年
- 正电子是最容易获得的反粒子,因而电子-正电子系统最适合研究普通物质与反物质的结合。本文结合最近实验上首次合成物质-反物质分子这个重大发现,介绍反物质(正电子)研究历史、现状及展望;重点讨论基于正电子的捕获、约束、积累等实验技术,以及物质-反物质分子——正电子素分子的合成方法。
- 吴奕初胡懿王少阶
- 关键词：正电子反物质
- 纯Al和AA2037铝合金腐蚀相关缺陷的正电子湮没研究
- 本文采用慢正电子束技术和原子力显微镜（AFM）对比研究纯铝（纯度99.9％, 99.999%）和铝合金（AA2037）腐蚀相关的缺陷及铜富集过程。结果表明：纯Al样品和其经1M NaOH 溶液腐蚀的样品，表面氧化层与铝合...
- 吴奕初符琴敏胡懿姜静薛旭东李培海翟同广
- 关键词：纯铝铝合金金属腐蚀正电子湮没
- 应用慢正电子束研究氧氩比和H离子注入对ZnO薄膜微结构的影响
- 本文采用射频溅射法(RF)制备了不同溅射条件下生长的ZnO薄膜,实验条件为氧氩比(R=O/Ar)从0.05到1.0变化;衬底温度为35,150,320℃,H离子注入能量为90keV,注入剂量为1×10,1×10H/cm。...
- 胡懿王涛介万奇吴奕初王明军方国家何春清王少阶
- 文献传递
- 纯Al和AA2037铝合金腐蚀相关缺陷的正电子湮没研究
- 2010年
- 应用慢正电子束多普勒展宽技术研究了纯Al和AA2037铝合金与腐蚀相关的缺陷.慢正电子束多普勒展宽测量是通过改变正电子的能量,测量正电子湮没的多普勒展宽谱,分析得到了不同正电子能量的S参数和S-E曲线,然后对S-E曲线进行了分析和处理以得到材料表面及近表面的缺陷真实分布.实验结果表明,纯Al与在1mol/LNaOH溶液中腐蚀引起了纳米尺度界面缺陷的产生,导致S参数明显上升;而水淬AA2037铝合金腐蚀后引起S参数明显下降,其原因可能是Cu在氧化层与基体界面富集.通过原子力显微镜(AFM)观察证实了纯Al样品表面经过腐蚀后有大量几百纳米大小的孔洞产生,而AA2037铝合金中只有少量的孔洞产生.
- 吴奕初符琴敏胡懿姜静薛旭东李培海翟同广
- 关键词：正电子湮没铝合金
