吴奕初
- 作品数：87 被引量：86H指数：5
- 供职机构：武汉大学物理科学与技术学院更多>>
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- 相关领域：理学金属学及工艺一般工业技术化学工程更多>>
- 高纯铝中不同应变速率拉伸的正电子湮没研究
- 1990年
- 一、引言 一般地讲,金属发生变形时,随着形变量的增加,正电子参数增加,小形变量时,参数增加显著;形变量达到一定程度;参数将趋于饱和。Park等在研究高纯铁单晶的变形时发现,正电子寿命与形变量的变化规律随形变方式(拉伸、弯曲、冷轧)而变。
- 吴奕初王明华常香荣田中卓肖纪美何永枢
- 关键词：高纯铝应变速率正电子湮没
- 高注量辐照RPV钢的热处理微观结构及其对再辐照损伤行为的影响研究被引量：1
- 2021年
- 应用三维原子探针和纳米压痕技术研究了高温高注量质子初始辐照、辐照后退火及再辐照条件下核反应堆压力容器(RPV)钢中的微结构演变,及其与力学性能之间的关系。三维原子探针结果表明:初始辐照(1.6 dpa)条件下,RPV钢中产生了大量的富Mn-Ni-Si团簇;辐照后经500℃1 h退火处理,富Mn-Ni-Si团簇基本回复,但仍然存在少量包含Mn和Ni的稳态团簇;再辐照(0.1 dpa和1.6 dpa)时,RPV钢中又产生了新的富Mn-Ni-Si团簇,其数密度和平均尺寸随再辐照注量的增加而增加;初始辐照和再辐照的RPV钢中均未有富Cu原子团簇析出。纳米压痕结果表明初始辐照、辐照后退火和再辐照的RPV钢中均产生了明显的硬化现象。稳态团簇是退火后的RPV钢的硬度高于未辐照样品的硬度的主要原因。富Mn-Ni-Si团簇是高温高注量质子辐照国产低Cu含量RPV钢的一个硬化源。
- 石见见邹群金旸李良才王兴刚吴奕初刘向兵
- 关键词：三维原子探针质子辐照
- 氢与缺陷互作用的正电子湮没研究
- 吴奕初
- 关键词：正电子湮没
- 基于正电子的反物质研究进展被引量：4
- 2008年
- 正电子是最容易获得的反粒子,因而电子-正电子系统最适合研究普通物质与反物质的结合。本文结合最近实验上首次合成物质-反物质分子这个重大发现,介绍反物质(正电子)研究历史、现状及展望;重点讨论基于正电子的捕获、约束、积累等实验技术,以及物质-反物质分子——正电子素分子的合成方法。
- 吴奕初胡懿王少阶
- 关键词：正电子反物质
- 纳米SnO_2和SnO_2/SiO_2材料的正电子湮没研究被引量：2
- 1998年
- 采用溶胶－凝胶法制备了纯纳米ＳｎＯ２和掺杂ＳｉＯ２的纳米ＳｎＯ２材料，应用Ｘ射线衍射和正电子湮没寿命谱等手段研究了纳米材料的界面结构和纳米晶粒的生长过程。结果表明，所制备的纳米ＳｎＯ２和ＳｎＯ２／ＳｉＯ２材料中只存在两类缺陷，分别对应短寿命和中等寿命２。材料中两类缺陷的数量比与粒径有关。纳米ＳｎＯ２晶粒生长随热处理温度升高分为两个阶段：低于晶化临界温度时，晶粒生长缓慢；高于此温度时，则生长迅速。在ＳｎＯ２中掺入ＳｉＯ２或采用压片后热处理，纳米晶粒的生长都受到抑制，热稳定性提高。
- 苏爱国郑裕芳吴奕初胡严
- 关键词：正电子寿命谱纳米材料二氧化锡
- 冷正电子的产生及脉冲微束的开发
- 本文介绍了本实验利用等离子体技术获得冷正电子并在此基础上进行脉冲微束的开发现状。利用固态氖作为慢化体,得到高通量(~106e+/s)的慢正电子束,正电子的能量分散
- 何春清陈志权吴奕初王少阶
- 关键词：旋转电场聚束
- 高温超导中多个正电子捕获位及其对正电子湮没参数的影响
- 1994年
- 从正电子陷阱物理图象出发，引入正电子在陷阱中湮没的竞争机制，提出了一个新的陷阱湮没模型，并采用此模型分析了高温超导材料中正电子在陷阱中湮没的特征。
- 吴奕初滕敏康金新夏元复
- 关键词：正电子湮没高温超导材料
- 碳弧法制备碳包铁纳米颗粒的研究被引量：3
- 2000年
- 用直流碳弧法制备碳包铁纳米颗粒，应用透射电镜（ＴＥＭ）、Ｘ射线衍射分析（ ＸＲＤ）和穆斯堡尔谱学进行研究。结果表明．当阳极复合棒中为纯铁粉加石墨粉时，出现 ３种破包铁纳米颗粒：ａ－Ｆｅ，渗碳体（ Ｆｅ３Ｃ）和奥氏体；当阳极复合棒中为Ｆｅ２Ｏ３ 加石墨粉时，出现４种碳包铁纳米颗粒：ａ—Ｆｅ，渗碳体．奥氏体和ＦｅＯ。它们的尺寸大小在 ５～５０ｎｍ范围。
- 郑裕芳余正方吴奕初张海燕彭少麟
- 关键词：穆斯堡尔谱学
- 一种新型多功能正电子束测量系统
- 本发明涉及正电子束测量技术领域，具体涉及一种新型多功能正电子束测量系统，包括多功能测量靶室，磁场聚焦系统，正电子湮没寿命测量系统，多普勒展宽测量系统，符合多普勒展宽测量系统。该测量系统能够实现正电子湮没寿命，多普勒展宽和...
- 石见见吴奕初姚春龙朱喆劼徐雪慧赵文增郭雪莲
- 高纯Fe中氢损伤规律的研究被引量：1
- 1992年
- 本文采用正电子湮没技术研究了高纯Fe中的氢损伤规律,实验结果表明,在0.5mol/L H_2SO_4溶液中不加毒化剂电解充氢时,产生氢损伤的临界电流密度为20 mA/cm^2;而在0.5mol/L H_2SO_4溶液中加少量As_2O_3作为毒化剂电解充氢时,即使很小的电流密度也会产生氢损伤,配合慢拉伸试验,还发现试样内部产生氢损伤以后。
- 吴奕初常香荣田中卓肖纪美
- 关键词：氢损伤临界电流密度纯铁
