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王红卫

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
发文基金：国家攀登计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇激光
  • 3篇激光再结晶
  • 3篇SOI
  • 1篇电路
  • 1篇再结晶
  • 1篇热传导
  • 1篇微结构
  • 1篇微结构研究
  • 1篇微缺陷
  • 1篇集成电路
  • 1篇硅

机构

  • 2篇清华大学
  • 1篇北京有色金属...

作者

  • 3篇杨景铭
  • 3篇王红卫
  • 3篇钱佩信
  • 1篇李永洪
  • 1篇邵贝羚
  • 1篇刘峥

传媒

  • 2篇电子学报
  • 1篇微电子学与计...

年份

  • 2篇1996
  • 1篇1995
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
反射条结构激光再结晶SOI的微结构研究
1996年
用平面和横断面电子显微术研究了反射条结构激光再结晶ＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎｏｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）的微结构和微缺陷，实验观察表明，正常工艺条件下，经激光再结晶处理后硅膜可分为三个不同的区域：中间为单晶区，膜面取向为［１００］；两侧为再结晶大晶粒区；最外侧为尚未再结晶的多晶区．当工艺条件不适当时，在＂单晶区＂中存在亚晶界和大角晶界；在＂单晶区＂两侧，有排列整齐的１８０°微孪晶，孪晶面为｛１１１｝．再结晶大晶粒的取向没有规律性，多晶区由具有明显织构的柱状晶组成，文中讨论了缺陷出现的原因．
刘峥邵贝羚李永洪王红卫杨景铭钱佩信
关键词：SOI激光再结晶微结构微缺陷
热传导在激光再结晶中的作用
1995年
本文借助于计算机模拟，定性分析了热传导对于形成反射条结构激光再结晶过程中温度双峰分布的重要作用。结果表明，影响再结晶质量的激光功率、高反区条宽以及反射率差等因素是通过热传导过程相互制约的。
王红卫杨景铭栾洪发钱佩信
关键词：SOI硅激光再结晶热传导
激光单条扫描定域再结晶SOI技术研究被引量：2
1996年
本文描述了用于制作三维集成电路（３Ｄ－ＩＣ）的激光再结晶工艺的实验装置和工艺过程，报道了反射条结构样品的单条扫描定域再结晶的实验结果并作了相应的讨论。实验表明，再结晶质量与激光功率、预热温度、高反区条宽以及激光扫描速率等因素有关，并受到工艺稳定性的影响；利用激光单条扫描定域再结晶技术已获得１２μｍ宽度、芯片长度的能用以制作高性能ＭＯＳ－ＦＥＴ的ＳＯＩ单晶条。
王红卫杨景铭钱佩信
关键词：集成电路SOI激光再结晶
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