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杨景铭

作品数：14 被引量：32H指数：3
供职机构：清华大学更多>>
发文基金：“九五”国家科技攻关计划国家教育部博士点基金国家攀登计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 5篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 5篇SOI
  • 4篇感器
  • 4篇传感
  • 4篇传感器
  • 3篇再结晶
  • 3篇激光
  • 3篇激光再结晶
  • 3篇硅
  • 2篇电容
  • 2篇氧化物薄膜
  • 2篇速度传感器
  • 2篇通信
  • 2篇通信模块
  • 2篇足底
  • 2篇微加速度传感...
  • 2篇无线
  • 2篇无线通信
  • 2篇无线通信模块
  • 2篇系统参数
  • 2篇介质层

机构

  • 13篇清华大学
  • 1篇北京有色金属...

作者

  • 14篇杨景铭
  • 6篇钱佩信
  • 5篇任天令
  • 5篇刘理天
  • 3篇杨轶
  • 3篇王红卫
  • 3篇伍晓明
  • 3篇郭瑞
  • 3篇杨珍
  • 3篇杨一帆
  • 2篇侯东彦
  • 2篇张鹏飞
  • 2篇李军俊
  • 2篇阮勇
  • 2篇罗台秦
  • 2篇谢丹
  • 1篇李永洪
  • 1篇陈培毅
  • 1篇邵贝羚
  • 1篇刘峥

传媒

  • 3篇电子学报
  • 2篇清华大学学报...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇第六届全国敏...

年份

  • 3篇2019
  • 1篇2010
  • 1篇2008
  • 3篇1999
  • 1篇1997
  • 2篇1996
  • 1篇1995
  • 2篇1994
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种三维结构PZT电容及其MOCVD制备方法
三维结构PZT电容及其MOCVD制备方法属于金属氧化物薄膜电容制备技术，其特征在于，所述PZT薄膜是由Pb<Sub>0.5</Sub>(Zr<Sub>1－x</Sub>Ti<Sub>x</Sub>)<Sub>0.5</S...
阮勇任天令谢丹刘理天杨景铭
文献传递
热传导在激光再结晶中的作用
1995年
本文借助于计算机模拟，定性分析了热传导对于形成反射条结构激光再结晶过程中温度双峰分布的重要作用。结果表明，影响再结晶质量的激光功率、高反区条宽以及反射率差等因素是通过热传导过程相互制约的。
王红卫杨景铭栾洪发钱佩信
关键词：SOI硅激光再结晶热传导
激光单条扫描定域再结晶SOI技术研究被引量：2
1996年
本文描述了用于制作三维集成电路（３Ｄ－ＩＣ）的激光再结晶工艺的实验装置和工艺过程，报道了反射条结构样品的单条扫描定域再结晶的实验结果并作了相应的讨论。实验表明，再结晶质量与激光功率、预热温度、高反区条宽以及激光扫描速率等因素有关，并受到工艺稳定性的影响；利用激光单条扫描定域再结晶技术已获得１２μｍ宽度、芯片长度的能用以制作高性能ＭＯＳ－ＦＥＴ的ＳＯＩ单晶条。
王红卫杨景铭钱佩信
关键词：集成电路SOI激光再结晶
用Raman光谱分析MBE生长GexSi1-x膜的组分及应变被引量：5
1997年
对ＭＢＥ生长的ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金膜用Ｒａｍａｎ光谱分析了其中的组分和应力，发现较厚的ＧｅＳｉ膜应变较小，说明随着膜厚的增加，合金膜内原子排列发生了弛豫。２０ｎｍ厚的Ｇｅ０．４Ｓｉ０．６样品经过ＲＨＴ处理（１０００℃、１０ｓ），应变减小为原始膜的１／４～１／５。说明退火后膜几乎被完全弛豫，同时引入大量的穿通位错缺陷。用退火前后２０ｎｍ样品制作了ＧｅＳｉ／Ｓｉ异质结内光发射红外探测器件。在７７Ｋ下测量，退火前样品的异质结反向电阻达５００ｋΩ以上，而退火后样品只有１ｋΩ左右，根本无法在７７Ｋ下工作。我们提出的方法可以同时确定膜的Ｇｅ组分及膜内应力，方法是非破坏性的。
陈培毅王瑞忠杨景铭钱佩信
关键词：锗硅合金RAMAN光谱
反射条结构激光再结晶SOI的微结构研究
1996年
用平面和横断面电子显微术研究了反射条结构激光再结晶ＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎｏｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）的微结构和微缺陷，实验观察表明，正常工艺条件下，经激光再结晶处理后硅膜可分为三个不同的区域：中间为单晶区，膜面取向为［１００］；两侧为再结晶大晶粒区；最外侧为尚未再结晶的多晶区．当工艺条件不适当时，在＂单晶区＂中存在亚晶界和大角晶界；在＂单晶区＂两侧，有排列整齐的１８０°微孪晶，孪晶面为｛１１１｝．再结晶大晶粒的取向没有规律性，多晶区由具有明显织构的柱状晶组成，文中讨论了缺陷出现的原因．
刘峥邵贝羚李永洪王红卫杨景铭钱佩信
关键词：SOI激光再结晶微结构微缺陷
用于脑瘫患者的可穿戴步态检测分析系统
本发明公开了一种用于脑瘫患者的可穿戴步态检测分析系统，包括：压力传感器用于测量用户行走时足底的压力变化值；惯性传感器用于检测用户行走时脚底和膝盖的运动轨迹；距离传感器用于测量用户行走时脚底与地面的距离值；处理器用于将压力...
郭瑞马景忠乔彦聪杨一帆杨珍杨景铭任天令杨轶伍晓明
文献传递
熔区固液界面温度梯度的优化与再结晶SOI晶膜质量的提高
1994年
本文研究了多晶硅薄膜在红外熔区再结晶过程中熔化和固化前沿不同的推进行为，指出为了提高再结晶质量，熔区两侧对所得到的辐射能流密度分布有不同的要求，据此提出了一种兼顾熔化和固化要求的不对称加热区熔再结晶技术，成功地制备了高质量的ＳＯＩ晶膜．
张鹏飞侯东彦杨景铭钱佩信罗台秦
关键词：再结晶硅
基于传感器阵列的步态检测分析仪
本发明公开了一种基于传感器阵列的步态检测分析仪，包括：压力传感器阵列，用于测量用户运动时足底的压力数据；惯性传感器单元，用于监控用户运动时脚在空间中的轨迹数据；处理器，用于对压力数据和轨迹数据进行处理得到用户的步态数据；...
郭瑞马景忠杨一帆杨珍乔彦聪杨景铭任天令杨轶伍晓明
文献传递
一种谐振式微加速度传感器的设计与制作
报道了一种新型体硅结构谐振式微加速度传感器的设计与制作。该器件采和电阻热激振、压阻电桥同步检测的方法来获得信号输出，其敏感结构为高度对称的四角支撑形式，并在质量块四边与支撑框架之间制作了四根谐振梁用于信号检测。该加速度传...
李军俊刘理天杨景铭
关键词：微加速度传感器
一种三维结构PZT电容及其MOCVD制备方法
三维结构PZT电容及其MOCVD制备方法属于金属氧化物薄膜电容制备技术，其特征在于PZT薄膜Pb<Sub>0.5</Sub>(Zr<Sub>0.4</Sub>Ti<Sub>0.6</Sub>)<Sub>0.5</Sub>...
阮勇任天令谢丹刘理天杨景铭
文献传递
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