王晓燕
- 作品数：12 被引量：7H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划中国科学院知识创新工程国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信医药卫生更多>>
- 基于相关性的小波熵心电信号去噪算法被引量：4
- 2016年
- 针对心电信号的基线漂移、工频噪声、肌电噪声,本文提出了基于相关性的小波熵去噪算法。算法首先根据基线漂移的低频特性,确定小波分解的层数,置零近似系数,去除基线漂移;再对相邻尺度的高频小波系数进行相关处理,依据小波熵自适应地计算全局阈值去除工频和肌电噪声;最后将置零的近似系数和阈值处理后的小波系数重构得到有效信号。该算法能够在一次小波分解、重构的过程中,同时滤除心电信号中的3种主要噪声。对MIT-BIH数据库数据和模拟数据的仿真实验结果也表明该算法的去噪效果显著优于其他算法。
- 王晓燕鲁华祥金敏龚国良毛文宇陈刚
- 关键词：心电信号去噪自适应
- 蓝宝石衬底上单晶InAlGaN外延膜的RF-MBE生长被引量：2
- 2006年
- 利用射频等离子体辅助分子束外延技术在蓝宝石衬底上外延了晶体质量较好的单晶InAlGaN薄膜.在生长InAlGaN外延层时,获得了外延膜的二维生长.卢瑟福背散射测量结果表明,InAlGaN外延层中In,Al和Ga的组分分别为2%,22%和76%,并且元素的深度分布比较均匀.InAlGaN(0002)三晶X射线衍射摇摆曲线的半高宽为4·8′.通过原子力显微镜观察外延膜表面存在小山丘状的突起和一些小坑,测量得到外延膜表面的均方根粗糙度为2·2nm.利用光电导谱测量InAlGaN的带隙为3·76eV.
- 王保柱王晓亮王晓燕王新华郭伦春肖红领王军喜刘宏新曾一平李晋闽
- 关键词：RF-MBERHEEDAFM
- 用MBE外延InAlGaN单晶薄膜的方法
- 一种用MBE外延InAlGaN单晶薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)选择一衬底；2)在衬底上采用分子束外延法生长一层氮化层，使得蓝宝石表面形成生长氮化物的浸润层；3)升高衬底的温度；4)在氮化层上生长一层成核层，...
- 王保柱王晓亮王晓燕王新华肖红领王军喜刘宏新
- 文献传递
- 用MBE外延InAlGaN单晶薄膜的方法
- 一种用MBE外延InAlGaN单晶薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)选择一衬底；2)在衬底上采用分子束外延法生长一层氮化层，使得蓝宝石表面形成生长氮化物的浸润层；3)升高衬底的温度；4)在氮化层上生长一层成核层，...
- 王保柱王晓亮王晓燕王新华肖红领王军喜刘宏新
- 文献传递
- 基于EEMD的小波熵阈值的心电信号去噪方法
- 本发明提供了一种基于EEMD的小波熵阈值的心电信号去噪方法，包括：步骤A，选取添加的噪声次数M和添加的白噪声序列赋值系数k，对包含噪声的心电信号进行EEMD分解，得到一系列频率从高到低的固有模态函数IMF分量；步骤B，对...
- 王晓燕鲁华祥金敏李威王渴王安边昳
- 文献传递
- 高Al组分Al<,x>Ga<,1-x>N材料生长及MSM型阳盲紫外探测器的研究
- 宽禁带半导体材料GaN具有极其优异的物理和化学特性，其与AlN组成的三元合金AlxGa1-xN(0＜x＜1)禁带宽度可以在3.4eV～6.2eV之间连续调节，并且任意组分的AlxGa1-xN三元合金都是直接带隙，这就为紫...
- 王晓燕
- MOCVD方法制备高Al组分AlGaN
- 利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上外延生长了铝镓氮(AlGaN)薄膜.采用透射谱的方法确定AlGaN外延层的带隙,采用X光双晶衍射(DCXRD)的ω扫描摇摆曲线表征AlGaN外延层晶体质量,采用扫...
- 王晓燕王晓亮胡国新王保柱李建平肖红领王军喜曾一平李晋闽
- 关键词：MOCVD透射谱金属有机物化学气相沉积晶体质量
- 文献传递
- 微波功率器件的滤波器测试电路
- 2007年
- 在微波电路原理和半导体器件物理的基础上,设计和模拟了三种用于微波功率器件的测试电路,并且设计了与之配套的测试夹具.采用矢量网络分析仪对该测试电路和夹具,在3～8GHz范围内进行了小信号测试.模拟和测试结果表明,采用阶梯阻抗滤波器偏置网络的测试电路性能较好,比采用扇形线偏置网络的测试电路具有更宽的带宽.该滤波器偏置电路能够用来在整个C波段,即在4～8GHz内对微波功率器件进行测试.但是,微带叉指耦合电容没有起到取代贴片隔直电容的目的,原因是该结构对参数精度要求高,而PCB制作工艺无法满足这个要求.
- 罗卫军陈晓娟刘果果刘新宇王晓燕方测宝郭伦春王晓亮
- 关键词：滤波器测试电路阶梯阻抗
- 生长温度对RF-MBE外延InAlGaN的影响
- 利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石衬底上外延了铟铝镓氮(InAlGaN)薄膜.研究了生长温度对RF-MBE外延InAlGaN的影响.X射线衍射测量结果表明,不同生长温度下外延生长的InalGaN薄...
- 王保柱刘宏新李晋闽王晓亮王晓燕王新华郭伦春肖红领王翠梅冉军学王军喜
- 关键词：射频等离子体分子束外延生长温度
- 文献传递
- MOCVD方法制备高Al组分AlGaN被引量：1
- 2007年
- 利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上外延生长了高Al组分的AlGaN薄膜.采用透射谱的方法确定AlGaN外延层的带隙,采用X光双晶衍射(DCXRD)的ω扫描摇摆曲线表征AlGaN外延层晶体质量,采用扫描电子显微镜表征AlGaN外延层的表面形貌.对生长压力为1.33×104和0.66×104Pa的两个样品的光学性质、晶体质量及表面形貌进行了对比.
- 王晓燕王晓亮胡国新王保柱李建平肖红领王军喜刘宏新曾一平李晋闽
- 关键词：MOCVDALGAN透射谱XRDSEM
