王健
- 作品数：12 被引量：2H指数：1
- 供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
- 发文基金：国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 一种提高二极管开关速度的方法
- 本发明公开了一种提高二极管开关速度的方法，属于微电子制作领域。本发明的提高二极管开关速度的方法，在硅片背面进行铂扩散，即在800～1100℃、惰性气体下退火30～120min，二极管的反向恢复时间在IF＝1.0A、VR＝...
- 王健鲁红玲杨晓文侯斌张志新
- 文献传递
- 一种PN结周围抗电磁脉冲保护环及其制造方法
- 本发明公开了一种PN结周围抗电磁脉冲保护环及其制造方法，属于微电子制作工艺领域。一种PN结周围抗电磁脉冲保护环的制造方法，包括以下步骤：1)对硅材料进行氧化，按照设计版图进行保护环光刻；2)在光刻区域注入硼元素进行掺杂；...
- 鲁红玲王健杨晓文侯斌李照
- 文献传递
- 一种沟槽肖特基二极管及其制作方法
- 本发明提供一种沟槽肖特基二极管及其制作方法，先对硅外延层氧化，在氧化层上涂覆光刻胶，并按照设计版图光刻，再去除刻蚀区域的氧化层，对硅衬底采用C<Sub>4</Sub>F<Sub>8</Sub>和SF<Sub>6</Sub...
- 侯斌李照杨晓文王健鲁红玲
- 一种碳化硅肖特基二极管的终端结构及其设计方法
- 本发明公开了一种碳化硅肖特基二极管的终端结构及其设计方法，该设计方法首先根据若干种场环终端结构，根据仿真结果确定出场环终端结构，再在确定出的场环终端结构基础上获得场版终端结构，在此基础上调整场环的数量，当最终的仿真结果在...
- 李照侯斌王健刘威杨晓文
- 文献传递
- 一种沟槽肖特基二极管及其制作方法
- 本发明提供一种沟槽肖特基二极管及其制作方法，先对硅外延层氧化，在氧化层上涂覆光刻胶，并按照设计版图光刻，再去除刻蚀区域的氧化层，对硅衬底采用C<Sub>4</Sub>F<Sub>8</Sub>和SF<Sub>6</Sub...
- 侯斌李照杨晓文王健鲁红玲
- 文献传递
- 一种提高快恢复二极管抗静电能力的方法
- 本发明公开了一种提高快恢复二极管抗静电能力的方法，属于半导体制作工艺技术领域，旨在解决现有技术中掺铂后因补偿掺杂作用器件有效浓度会有所降低，导致基区导通电阻升高，不利于静电电流泄放，造成器件的静电能力下降的缺陷性技术问题...
- 王健李照侯斌杨晓文黄山圃胡长青王英民
- 一种可配置的桶式移位器的设计被引量：2
- 2002年
- 根据 CPU中指令的不同 ,实现了一种可配置的桶式移位器 ,可以将移位器配置为通用移位器或对位移位移位器 .采用这种桶式移位器 ,可以使采用部分译码方式的移位器在原有功能的基础上增加对位右移的功能 ,并同时产生满足 IEEE舍入要求的附加位 .在增加少量控制逻辑的基础上 ,使浮点运算的对位移位器与定点运算实现移位操作的通用移位器合二为一 ,增强了桶式移位器的可复用性 ,减少了 CPU芯片的面积 ,不需增加关键路径的长度 ,电路布线规整 ,易于 VL
- 许琪王健沈绪榜
- 关键词：CPU微处理器芯片
- 一种提高抗单粒子性能的埋P+SiCJBS结构
- 本发明公开了一种提高抗单粒子性能的埋P+SiC JBS结构，包括阴极金属、阳极金属、SiC N+衬底、N型缓冲层、N‑外延层、P+埋层和JBS接触P+，所述SiC N+衬底的上方设置N型缓冲层和N‑外延层，所述N‑外延层...
- 程鹏刚唐磊王晨霞王忠芳刘建军胡长青杨晓文侯斌李照王健
- 一种抗辐照结型场效应晶体管的制作方法
- 本发明公开了一种抗辐照结型场效应晶体管的制作方法，包括以下过程，在P型硅衬底形成P型外延层，在P型外延层形成第一介质层；在第一介质层上进行光刻形成保护环区；对保护环区进行P型注入，形成P型掺杂区；在P型外延层的第一介质层...
- 杨晓文王健王忠芳侯斌李照胡长青王英民
- 文献传递
- 一种提高抗单粒子性能的倒T型P+碳化硅JBS结构
- 本发明公开了一种提高抗单粒子性能的倒T型P+碳化硅JBS结构；碳化硅N+衬底的下表面为阴极金属，碳化硅N+衬底上为N型缓冲层和N‑外延层，N型缓冲层的浓度大于N‑外延层的浓度，N‑外延层的上表面内间隔均匀分布P+，N‑外...
- 程鹏刚唐磊王忠芳杨晓文刘建军杨庚王昕王晨霞黄山圃姚军王健
