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熊飞克
作品数:
7
被引量:6
H指数:2
供职机构:
中国科学院半导体研究所
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国家高技术研究发展计划
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相关领域:
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合作作者
王树堂
中国科学院半导体研究所
郭良
中国科学院半导体研究所
陈良惠
中国科学院半导体研究所
马骁宇
中国科学院半导体研究所
徐俊英
中国科学院半导体研究所
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熊飞克
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1993
1篇
1991
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异形量子阱中电致吸收和电致折射变化及其在光电器件中应用的研究与高效半导体量子阱光调制器的研制
熊飞克
关键词:
光调制器
半导体
光电器件
低压MOCVD生长的InGaAs/InP量子阱的光致发光谱线线宽及量子尺寸效应的测量分析
1993年
用低压MOCVD方法生长了InGaAs/InP单量子阱及多量子阱结构。用低温光致发光方法研究了量子阱样品因量子尺寸效应引起的激子能量移动以及激子谱线线宽同量子阱阱宽的关系,7A阱宽的激子能量移动达370meV。选取Q_c=△E_c/△E_g=0.4,采用修正后的Kronig-Penny模型,考虑能带的非抛物线性,拟合了激子能量移动和阱宽的关系曲线。用有效晶体近似方法(VCA)分析了激子尺寸范围内界面不平整度以及合金组分无序对激子谱线线宽的影响。以界面不平整度参量δ_1和δ_2,合金组分元序参量r_c为拟合参数,拟合了激子线宽对阱宽的关系曲线。取δ_1=2.93A,δ_2=100A,r_c=3ML,理论拟合值与实验值符合较好。
陈德勇
朱龙德
李晶
熊飞克
徐俊英
万寿科
梁骏吾
关键词:
INGAAS/INP
实用化GaInP-AlGaInP半导体量子阱可见光激光器
1996年
用低压MOVPE方法研制出了波长为655nm与670nm的GaInP-AlGaInP半导体量子阱可见光激光器,并已形成一定的批量生产能力。器件的阈值电流典型值为45mA,输出光功率不小于5mW,最高工作温度不低于50℃,预计20℃时寿命接近100,000小时,主要技术指标与目前进口的同类产品水平相当,完全可以满足实用要求。
熊飞克
郭良
马骁宇
杨志鸿
王树堂
陈良惠
关键词:
半导体
激光器
GAINP
ALGAINP
高性能实用化GaInP-AlGaInP半导体量子阱可见光激光器
被引量:4
1997年
用低压MOVPE方法研制出了波长为650nm与670nm的GaInP-AlGaInP半导体量子阱可见光激光器,并已形成一定批量生产能力,批量生产的670nm与650nm半导体量子阱可见光激光器的阈值电流典型值为35mA,额定输出光功率不小于5mw,标称工作温度不低于50℃,预计20℃时寿命接近100000小时,主要技术指标达到目前进口同类产品水平,完全可以满足实用要求。
熊飞克
郭良
马骁宇
王树堂
陈良惠
关键词:
激光器
半导体激光器
可见光
GaAs/GaAlAs多量子阱CCTS结构双稳态激光器的实验研究
1995年
本文报道了GaAs/GaAlAs多量子阱(MQW)双区共腔(CCTS)结构的双稳态激光器.该器件利用多次离子注入形成电隔离很好的双电极结构,吸收区上加上一定反偏电压时得到了双稳特性,观察到了器件工作于双稳态时对光谱边模的显著抑制.
熊飞克
高文智
吴荣汉
王启明
关键词:
多量子阱
砷化镓
镓铝砷
低压MOCVD外延生长InGaAsP/InP应变量子阱材料与器件应用
1996年
本文报道用低压有机金属化合物化学气相淀积(LP-MOCVD)外延生长InGaAsP/InP应变量子阶材料,材料参数与外延条件的关系,量子阱器件的结构设计及其器件应用.用所生长的材料研制出宽接触阈值电流密度小于400A/cm2(腔长400μm),DC-PBH结构阈值7~12mA的1.3μm量子阱激光器和宽接触阈值电流密度小于600A/cm2(腔长400μm),DC-PBH结构阈值9~15mA的1.55μm量子阶激光器以及高功率1.3μm量子阱发光二极管和InGaAsPIN光电探测器.
马骁宇
王树堂
熊飞克
郭良
王仲明
曾靖
王丽明
陈良惠
关键词:
MOCVD
INGAASP
INP
LP-MOVPE Ga_(1-x)In_xAs/InP量子阱结构材料
被引量:2
1991年
本文报道用低压金属有机化合物汽相外延(LP-MOVPE) 的方法生长了晶格匹配的Ga_(1-x)In_4As/InP 量子阱结构材料.X光双晶衍射和透射电子显微镜测量表明多量子阱结构的周期性和界面质量较好、光致发光和光吸收谱的测量都观测到因量子尺寸效应导致的带间跃迁向高能方向的移动.
段树坤
熊飞克
李学斌
李晶
王玉田
江德生
徐俊英
万寿科
钱家骏
关键词:
量子阱材料
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