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满超

作品数:6 被引量:6H指数:1
供职机构:北京工业大学更多>>
发文基金:北京市自然科学基金北京市人才强教计划项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 3篇会议论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 3篇氮化硼薄膜
  • 3篇形貌分析
  • 3篇真空蒸镀
  • 3篇半导体
  • 2篇表面形貌
  • 2篇掺杂
  • 1篇带隙
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硼
  • 1篇导体
  • 1篇等离子体
  • 1篇有机半导体
  • 1篇有机半导体材...
  • 1篇原位掺杂
  • 1篇退火
  • 1篇退火温度
  • 1篇立方氮化硼
  • 1篇立方氮化硼薄...
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米银

机构

  • 6篇北京工业大学

作者

  • 6篇满超
  • 5篇邓金祥
  • 4篇康成龙
  • 4篇崔敏
  • 3篇杨冰
  • 2篇孔乐
  • 2篇杨萍
  • 1篇杨学良
  • 1篇赵卫平

传媒

  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇TFC‘20...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 4篇2011
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
真空蒸镀红荧烯薄膜及其形貌分析被引量:6
2012年
红荧烯(rubrene)即5,6,11,12-四苯基并四苯,是一种重要的小分子有机半导体材料,可以用以制备红荧烯有机场效应管和太阳能光伏器件。本文首先对传统的热蒸发真空系统进行改造,使之能蒸镀有机薄膜。在一定的蒸发温度下,经过不同蒸镀时间蒸镀红荧烯薄膜,蒸镀时间分别为5,6,7,8 h,获得了具有多晶结构的红荧烯薄膜,并对其形貌进行了分析。结果表明非晶结构的红荧烯薄膜首先在硅衬底上生长,非晶红荧烯薄膜生长至一定厚度后,多晶结构的红荧烯从其中形成。
邓金祥康成龙杨冰满超崔敏孔乐杨萍
关键词:表面形貌
立方氮化硼薄膜的掺杂及金属半导体接触研究
立方氮化硼(c-BN)是人工合成的Ⅲ-Ⅴ族闪锌矿结构化合物半导体材料,它具有类似于甚至优于金刚石的优良的物理、化学性质而成为人们研究的热点。例如:c-BN的禁带宽度很大(6~6.4eV),可实现n型和p型掺杂(而金刚石的...
邓金祥满超崔敏康成龙赵卫平
文献传递
真空蒸镀红荧烯薄膜及其形貌分析
红荧烯(rubrene)即5,6,11,12-四苯基并四苯,是一种重要的小分子有机半导体材料,可以用以制备红荧烯有机场效应管和太阳能光伏器件。本文首先对传统的热蒸发真空系统进行改造,使之能蒸镀有机薄膜。在一定的蒸发温度下...
邓金祥康成龙杨冰满超崔敏孔乐杨萍
关键词:有机半导体材料表面形貌
文献传递
一种含纳米银颗粒的氮化硼薄膜的制备方法
一种含纳米银颗粒的氮化硼薄膜的制备方法,属于纳米金属颗粒与宽带隙半导体材料复合材料领域。本发明步骤如下:第一步:将硅或者石英衬底进行清洗之后,在衬底材料上使用溅射方法沉积纳米银颗粒,沉积时间5s~10s范围,功率40~8...
邓金祥满超
文献传递
真空蒸镀红荧烯薄膜及其形貌分析
红荧烯(rubrene)即5,6,1 1,12-四苯基并四苯,是一种重要的小分子有机半导体材料,其分子式为C42H28。用物理传输气相沉积的方法生长的Rubrene单晶,可以用以制备Rubrene单晶有机场效应管。200...
邓金祥杨学良崔敏满超康成龙杨冰
文献传递
氮化硼薄膜退火和掺杂研究
在氮化硼系统中,立方氮化硼(Cubic boron nitride,c-BN)是集众多优异的物理和化学特性于一身的超硬、宽带隙半导体材料。立方氮化硼因其具有高硬度、高的热稳定性和化学稳定性等优异的物理和化学性质,而倍受人...
满超
关键词:立方氮化硼氮化硼薄膜退火温度原位掺杂表面等离子体
共1页<1>
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