梁晓甘
- 作品数：4 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- GaInNAs/GaAs等窄带隙量子阱结构光学性质的研究
- 该论文中,我们利用光致发光谱（Photoluminescence）光调制反射谱（Photorflectance）和光生伏特谱（Photovoltage）等测量手段对GaInNAs/GaAs和GaAsSb/GaAs量子阱结...
- 梁晓甘
- 关键词：光致发光谱
- 高组分稀磁半导体Cd_(1 -x)Mn_xTe/CdTe超晶格的光调制反射谱研究被引量：1
- 2002年
- 报道用分子束外延 (MEB)技术生长的x =0 4 ,0 8的高组分稀磁半导体Cd1-xMnxTe/CdTe超晶格的光调制反射谱在室温和液氮下的实验结果 .观测到 11H ,2 2H ,33H和 11L等激子跃迁结构 ,计及子能级的量子限定效应和晶格失配导致的应力效应 ,对子能级结构进行了计算 ,除x =0 8样品的 33H能量计算值与实验值有较大偏差外 ,实验结果与理论符合得很好 .还与光致发光谱实验结果进行了比较 .
- 陈辰嘉王学忠梁晓甘李海涛凌震王迅V BellaniM GeddoA StellaS TavazziA BorghesiA Sassella
- 关键词：超晶格
- GaInNAs/GaAs量子阱的光致发光谱和光调制反射谱
- 2002年
- 研究了 Ga In NAs/Ga As多量子阱在不同温度和激发功率下的光致发光 (PL )谱以及光调制反射 (PR)谱 .发现 PL谱主发光峰的能量位置随温度的变化不满足 Varshni关系 ,而是呈现出反常的 S型温度依赖关系 .进一步测量 ,特别是在较低的激发光功率密度下 ,发现有两个不同来源的发光峰 ,它们分别对应于氮引起的杂质束缚态和带间的激子复合发光 .随温度变化 ,这两个发光峰相对强度发生变化 ,造成主峰 (最强的峰 )的位置发生切换 ,从而导致表观上的 S型温度依赖关系 .
- 梁晓甘江德生边历峰潘钟李联合吴荣汉
- 关键词：光致发光谱氮化物
- GaAsSb /GaAs量子阱激光器结构的发光研究被引量：2
- 2002年
- 研究了ＧａＡｓＳｂ/ＧａＡｓ应变量子阱及应变补偿量子阶激光器结构的光致发光和电注入发光．结果表明,分子束外延生长温度的改变使量子附发光性能发生系统性变化,证明生长温度对量子阱中锑的组分和界面质量具有重要影响．同时,低温光致发光峰的波长随激发功率密度增大发生明显蓝移,具有Ⅱ类量子阱的特点．应变补偿量子阱激光器在波长为１．３μｍ附近激射,阈值电流密度约为１．８ｋＡ/ｃｍ２．
- 江德生江德生C.Navarro陈志标俞水清S.ChaparroS.Johnson曹勇张永航江德生梁晓甘
