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领域

  • 2篇理学

主题

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机构

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  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 2篇杨宝麟
  • 1篇宋德
  • 1篇耿延候
  • 1篇王佛松
  • 1篇田洪坤
  • 1篇闫东航

传媒

  • 1篇分子科学学报

年份

  • 2篇2009
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
齐聚[3,2-b]并二噻吩的合成、表征及其在有机薄膜晶体管中的应用
2009年
通过Stille偶联反应合成了5,5″-二辛基-2,2′∶5′2″-三联[3,2-b]并二噻吩,并对该化合物的物理化学性质以及真空蒸镀薄膜的结构和形貌进行了详细表征.以这一化合物作为半导体层、采用顶电极结构制备了有机薄膜晶体管,并对薄膜生长基底温度做了优化,发现基底温度为100℃时器件性能最好,迁移率达到0.13 cm2/V.s,开关比为7×103,阈值电压为-19V.
杨宝麟田洪坤宋德闫东航耿延候王佛松
关键词:有机半导体有机薄膜晶体管
含噻吩液晶性共轭齐聚物及星形化合物的合成与表征
以并苯类小分子和噻吩类齐聚物为代表的有机小分子高迁移率半导体材料的蒸镀型OTFT器件性能已经达到非晶硅器件的水平,相比之下溶液加工型器件的性能要差很多。但溶液加工型有机高迁移率材料更能体现有机材料在加工方面的优势,是有机...
杨宝麟
关键词:液晶有机薄膜晶体管场效应迁移率
共1页<1>
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