2024年12月19日
星期四
|
欢迎来到维普•公共文化服务平台
登录
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
杨宝麟
作品数:
2
被引量:0
H指数:0
供职机构:
中国科学院长春应用化学研究所
更多>>
发文基金:
国家自然科学基金
更多>>
相关领域:
理学
更多>>
合作作者
闫东航
中国科学院长春应用化学研究所
田洪坤
中国科学院长春应用化学研究所
王佛松
中国科学院长春应用化学研究所
耿延候
中国科学院长春应用化学研究所
宋德
中国科学院长春应用化学研究所
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
1篇
期刊文章
1篇
学位论文
领域
2篇
理学
主题
2篇
有机薄膜晶体...
2篇
晶体
2篇
晶体管
2篇
薄膜晶体
2篇
薄膜晶体管
1篇
液晶
1篇
液晶性
1篇
有机半导体
1篇
齐聚
1篇
迁移率
1篇
噻吩
1篇
半导体
1篇
场效应
1篇
场效应迁移率
1篇
-B
机构
2篇
中国科学院
1篇
中国科学院研...
作者
2篇
杨宝麟
1篇
宋德
1篇
耿延候
1篇
王佛松
1篇
田洪坤
1篇
闫东航
传媒
1篇
分子科学学报
年份
2篇
2009
共
2
条 记 录,以下是 1-2
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
齐聚[3,2-b]并二噻吩的合成、表征及其在有机薄膜晶体管中的应用
2009年
通过Stille偶联反应合成了5,5″-二辛基-2,2′∶5′2″-三联[3,2-b]并二噻吩,并对该化合物的物理化学性质以及真空蒸镀薄膜的结构和形貌进行了详细表征.以这一化合物作为半导体层、采用顶电极结构制备了有机薄膜晶体管,并对薄膜生长基底温度做了优化,发现基底温度为100℃时器件性能最好,迁移率达到0.13 cm2/V.s,开关比为7×103,阈值电压为-19V.
杨宝麟
田洪坤
宋德
闫东航
耿延候
王佛松
关键词:
有机半导体
有机薄膜晶体管
含噻吩液晶性共轭齐聚物及星形化合物的合成与表征
以并苯类小分子和噻吩类齐聚物为代表的有机小分子高迁移率半导体材料的蒸镀型OTFT器件性能已经达到非晶硅器件的水平,相比之下溶液加工型器件的性能要差很多。但溶液加工型有机高迁移率材料更能体现有机材料在加工方面的优势,是有机...
杨宝麟
关键词:
液晶
有机薄膜晶体管
场效应迁移率
全选
清除
导出
共1页
<
1
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张