宋德
- 作品数：7 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院长春应用化学研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 有机半导体晶体薄膜及弱取向外延生长制备方法和应用
- 本发明涉及有机半导体晶体薄膜及弱取向外延生长制备方法。有机半导体晶体薄膜，既可以是n型半导体，也可以是p型半导体；本发明的有机半导体晶体薄膜有机半导体晶体中的分子站立在有序基板上取向排列，与有序基板存在取向关系。本发明制...
- 闫东航王海波朱峰史建武宋德
- 文献传递
- 利用摆动曲线法研究薄膜结晶性对基于酞菁铜的有机薄膜晶体管性能的影响
- 本文用真空沉积的方法制备了三种不同形态的酞菁铜薄膜并用摆动曲线方法对其结晶性进行了表征。之后又制备并表征了基于这三种薄膜的有机薄膜晶体管器件。实验结果表明, 沉积在100℃基底上的酞菁铜薄膜有最窄的摆动曲线,对应的器件有...
- 张吉东王海波朱峰宋德娄坤闫东航
- 关键词：有机薄膜晶体管
- 轴向取代酞菁化合物用于制备有机薄膜晶体管的应用
- 本发明涉及轴向取代酞菁化合物作为有机薄膜晶体管的应用，其作为有机薄膜晶体管的源/漏电极间的半导体层。所述的轴向取代酞菁化合物的中心配体为三价以上的原子，轴向配体为氯、氟、氧可与轴向取代酞菁化合物的中心配体连接。所述的轴向...
- 闫东航宋德朱峰于波
- 文献传递
- 齐聚[3，2-b]并二噻吩的合成、表征及其在有机薄膜晶体管中的应用
- 2009年
- 通过Stille偶联反应合成了5,5″-二辛基-2,2′∶5′2″-三联[3,2-b]并二噻吩,并对该化合物的物理化学性质以及真空蒸镀薄膜的结构和形貌进行了详细表征.以这一化合物作为半导体层、采用顶电极结构制备了有机薄膜晶体管,并对薄膜生长基底温度做了优化,发现基底温度为100℃时器件性能最好,迁移率达到0.13 cm2/V.s,开关比为7×103,阈值电压为-19V.
- 杨宝麟田洪坤宋德闫东航耿延候王佛松
- 关键词：有机半导体有机薄膜晶体管
- 高迁移率有机半导体：轴向取代酞菁
- 寻找高迁移率的有机半导体材料以满足有机电子器件的应用是当前国际上研究的热点。己报道的实验结果表明半导体薄膜内分子具有二维电荷传输结构的迁移率较高。如具有鱼骨刺结构的并五苯薄膜，其二维方向上有分子间角对心堆积结构，场效应迁...
- 宋德
- 关键词：半导体薄膜
- 有机半导体晶体薄膜及弱取向外延生长制备方法和应用
- 本发明涉及有机半导体晶体薄膜及弱取向外延生长制备方法。有机半导体晶体薄膜，既可以是n型半导体，也可以是p型半导体；本发明的有机半导体晶体薄膜有机半导体晶体中的分子站立在有序基板上取向排列，与有序基板存在取向关系。本发明制...
- 闫东航王海波朱峰史建武宋德
- 文献传递
- 轴向取代酞菁化合物用于制备有机薄膜晶体管的应用
- 本发明涉及轴向取代酞菁化合物作为有机薄膜晶体管的应用，其作为有机薄膜晶体管的源/漏电极间的半导体层。所述的轴向取代酞菁化合物的中心配体为三价以上的原子，轴向配体为氯、氟、氧可与轴向取代酞菁化合物的中心配体连接。所述的轴向...
- 闫东航宋德朱峰于波
- 文献传递
