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李海华

作品数:37 被引量:108H指数:7
供职机构:上海交通大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金湖北省自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 25篇期刊文章
  • 9篇专利
  • 2篇会议论文

领域

  • 16篇一般工业技术
  • 15篇电气工程
  • 7篇电子电信
  • 6篇自动化与计算...
  • 1篇化学工程

主题

  • 12篇铁氧体
  • 8篇电路
  • 7篇网卡
  • 7篇微结构
  • 6篇刻蚀
  • 6篇磁导
  • 6篇磁导率
  • 5篇网卡芯片
  • 5篇芯片
  • 4篇低损耗
  • 4篇电磁
  • 4篇时钟
  • 4篇锁相
  • 4篇锁相环
  • 4篇锌铁氧体
  • 4篇离子束
  • 4篇离子束刻蚀
  • 4篇锰锌铁氧体
  • 4篇功率铁氧体
  • 3篇等离子体

机构

  • 27篇华中科技大学
  • 12篇上海交通大学
  • 2篇东华大学
  • 1篇江门市粉末冶...

作者

  • 36篇李海华
  • 18篇何华辉
  • 14篇冯则坤
  • 9篇朱全庆
  • 6篇沈绪榜
  • 6篇王庆康
  • 4篇邹雪城
  • 4篇张道礼
  • 2篇朱明轩
  • 2篇聂建华
  • 2篇黄爱萍
  • 2篇刘昌辉
  • 1篇张秀成
  • 1篇余洪斌
  • 1篇谢伍瑶
  • 1篇谭福清
  • 1篇林钢
  • 1篇于晓凌
  • 1篇沈翔

传媒

  • 7篇磁性材料及器...
  • 4篇功能材料
  • 3篇华中科技大学...
  • 2篇微电子学
  • 1篇系统工程与电...
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇小型微型计算...
  • 1篇仪表技术与传...
  • 1篇材料开发与应...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇现代技术陶瓷
  • 1篇电子工程师
  • 1篇电子设计应用
  • 1篇第5届全国磁...
  • 1篇第六届全国磁...

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2016
  • 2篇2014
  • 1篇2012
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 2篇2006
  • 5篇2005
  • 7篇2004
  • 4篇2003
  • 6篇2002
  • 3篇2001
37 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Co^(2+)或Sn^(4+)对MnZn功率铁氧体磁特性的影响研究被引量:18
2003年
 用普通陶瓷工艺制备了掺Co2+及Sn4+的MnZn功率铁氧体材料,研究了Co2+及Sn4+杂质掺入对MnZn功率铁氧体磁性能的影响。研究结果表明,由于Co2+具有大的正的磁晶各向异性常数K1,所以可与MnZn功率铁氧体负的K1进行补偿。当CoO掺入量为2×10-3时,可得到在20~120℃温度范围内具有非常平坦功率损耗 温度特性的MnZn功率铁氧体。Co2+的掺入还可以大大改善MnZn功率铁氧体的起始磁导率的温度特性。由于Sn4+掺入MnZn功率铁氧体时,Sn4+进入晶格中,减少了Fe3+ Fe2+之间的电子跳跃,提高了材料电阻率。当SnO2掺入量为4×10-4时,可得到具有很低功率损耗的MnZn功率铁氧体材料。
冯则坤李海华何华辉
关键词:功率铁氧体磁特性起始磁导率
化学镀CoB薄膜动力学参数的回归分析被引量:3
2005年
根据化学镀CoB薄膜试验得到镀液中反应物浓度、pH值、温度以及对应沉积速率.利用回归分析法,建立一元线性回归处理的数学模型和多元线性回归处理的数学模型.实验数据的拟合程度用相关系数R与剩余方差S来表征,借助于计算机编程运算,求出回归系数的估计值b0-3、估计值的置信区间、残差r、残差的置信区间rint.分别确定上述诸因素所对应的反应动力学参数,并求出镀液中反应物浓度、pH值、温度与对应沉积速率的对数关系曲线表达式,导得了镀液沉积速率的方程式.优化了实验方案,确定了镀液的构成和工艺条件,成功制备了性能良好的合金镀层.
刘昌辉何华辉李海华邱静
关键词:COB动力学计算机编程化学镀沉积速率
甚高频段应用的Co_2-Z型铁氧体材料研究被引量:10
2002年
采用普通陶瓷工艺,制备了适用于甚高频段(UHF)的Co_2-Z型六角晶系铁氧体材料。通过测量这种材料的复数磁导率μ的频散特性,发现其共振频率可达3GHz以上。测试不同烧结温度下的样品的磁谱表明,随着烧结温度的上升,复数磁导率μ的实部μ′上升,但共振频率f_r和截止频率f_c均下降。SEM照片显示,这是由于晶粒随烧结温度升高而长大所致。
冯则坤李海华何华辉
关键词:UHF六角晶系铁氧体磁导率频散
千兆以太网卡芯片数模转换电路的设计与实现被引量:1
2006年
给出了6bit分辨率、10bit精度的千兆以太网卡芯片数模转换电路,包括体系结构设计、电路设计与仿真、版图设计.该数模转换电路经过TSMC0.13μm1P8MCMOS工艺验证,工作电压为1.5V/2.7V.芯片测试结果表明该数模转换电路能够满足千兆以太网卡芯片的性能要求.
朱全庆张道礼沈绪榜李海华
关键词:数模转换电路电流舵
高磁导率MnZn铁氧体材料中ZnO量对磁性能的影响研究被引量:2
2004年
研究了MnZn高磁导率铁氧体材料在Fe2O3含量不变的前提下,增加ZnO量,起始磁导率、品质因数、饱和磁感应强度及其与温度、频率的关系.结果表明,加入ZnO可以提高起始磁导率,饱和磁感应强度Bs和居里温度降低;当ZnO含量不超过25%mol时,高磁导率MnZn铁氧体材料有着良好的频率特性,但ZnO含量超过25mol%时,由于Zn2+是非磁性离子,且ZnO挥发严重,相反会使得起始磁导率μi下降.
李海华冯则坤何华辉
关键词:MNZN铁氧体起始磁导率饱和磁感应强度
快速以太网卡数模混合自适应均衡器
2004年
提出了一种快速以太网卡芯片数模混合自适应均衡器的体系结构。该结构采用Sign SignLMS算法 ,可有效地补偿双绞线传输的损耗 ,消除向前码间干扰 ;由于采用数模混合电路结构 ,无需高速A/D转换器和数字乘法器 ,降低了功耗和缩小了芯片面积。该自适应均衡器已经过TSMC 0 35 μM 1P5MCMOS工艺验证。
朱全庆邹雪城李海华沈绪榜
关键词:自适应均衡器LMS算法
计算机求定CoFeB薄膜动力学参数研究被引量:3
2005年
根据化学镀CoFeB薄膜试验得到镀液中反应物浓度、pH值、温度以及对应沉积速率。利用回归分析的研究方法,建立了沉积速率的多元线性回归分析的数学模型:y=b0+r∑i=1bixi沉积量与反应物浓度、pH值等实验数据的相关性用剩余方差S来表征,借助于计算机编程运算,求出回归系数与回归系数的估计值b0-6、估计值的置信区间、残差r、残差的置信区间rint。研究上述诸因素所对应的反应动力学参数,求出了镀液沉积速率的方程式:v=k[Co2+]0.82[Fe]0.38[BH4-]1.62[OH-]0.83[L1]-1.02[L2]-0.95exp(-Ea/RT)以及通过上述的线形回归分析和实验验证可以得到化学镀CoFeB最佳配方。
刘昌辉何华辉沈翔李海华
关键词:动力学计算机编程化学镀沉积速率
激发表面等离子体的纳米光刻方法
一种半导体技术领域的激发表面等离子体的纳米光刻方法,首先利用电子束刻蚀方法将三角形Kretschmann棱镜结构制备成三角形光栅结构的石英模板,然后在石英模板的结构上沉积一层金属膜作为掩模板,最后在基片上甩涂一层光刻胶,...
李海华王庆康朱明轩
文献传递
激发表面等离子体的纳米光刻方法
一种半导体技术领域的激发表面等离子体的纳米光刻方法,首先利用电子束刻蚀方法将三角形Kretschmann棱镜结构制备成三角形光栅结构的石英模板,然后在石英模板的结构上沉积一层金属膜作为掩模板,最后在基片上甩涂一层光刻胶,...
李海华王庆康朱明轩
基于梯度分割的磁光记录薄膜磁畴图像特征提取
2004年
提出了一种基于梯度分割的图像特征提取方法,对低对比度磁光记录薄膜磁畴图像进行处理。该方法采用如下三个步骤:首先,采用Lee滤波器进行预滤波和消除噪声;接下来进行梯度特征分割,将目标区域从背景中提取出来;最后对边缘进行连接并计算磁畴的特性参数。本文重点在于梯度特征分割方法。
李海华何华辉朱全庆
关键词:磁畴
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