您的位置： 专家智库 > >

方海生

作品数：70 被引量：24H指数：2
供职机构：华中科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：文化科学动力工程及工程热物理理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 58篇专利
  • 9篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 9篇文化科学
  • 6篇动力工程及工...
  • 5篇理学
  • 4篇化学工程
  • 4篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇电气工程
  • 1篇经济管理
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 16篇晶体
  • 14篇晶体生长
  • 10篇传热
  • 7篇提拉法
  • 7篇提拉法晶体生...
  • 7篇坩埚
  • 6篇凝固
  • 6篇位错
  • 6篇蓝宝
  • 6篇蓝宝石
  • 6篇隔热
  • 6篇MOCVD
  • 5篇石英玻璃
  • 4篇液滴
  • 4篇体缺陷
  • 4篇凝固界面
  • 4篇泡生法
  • 4篇喷嘴
  • 4篇热应力
  • 4篇外周

机构

  • 70篇华中科技大学
  • 2篇湖北菲利华石...

作者

  • 70篇方海生
  • 17篇王森
  • 17篇蒋志敏
  • 15篇刘胜
  • 12篇马千里
  • 8篇张之
  • 8篇赵超杰
  • 7篇陈浩
  • 7篇甘志银
  • 7篇张梦杰
  • 6篇郑江
  • 6篇罗显刚
  • 5篇田俊
  • 5篇金泽林
  • 5篇王梦莹
  • 4篇黄晓明
  • 3篇王晓墨
  • 3篇许国良
  • 2篇李婕
  • 2篇张梦洁

传媒

  • 3篇工程热物理学...
  • 3篇高等工程教育...
  • 1篇玻璃与搪瓷
  • 1篇中国科技论文
  • 1篇玻璃搪瓷与眼...

年份

  • 2篇2024
  • 5篇2023
  • 4篇2022
  • 10篇2021
  • 6篇2020
  • 9篇2019
  • 4篇2018
  • 8篇2017
  • 1篇2016
  • 17篇2015
  • 3篇2014
  • 1篇2012
共 70 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种旋转式石英玻璃熔炉
本发明属于石英玻璃制备领域，并公开了一种旋转式石英玻璃熔炉。该熔炉包括炉壳、坩埚、加热器、搅拌器，炉壳呈封闭壳体状，坩埚设置在炉壳中，加热器用于加热并熔融坩埚中的石英原料，坩埚的底部设置有自旋转驱动机构，用于驱动坩埚自旋...
方海生马千里
文献传递
一种低羟基石英玻璃熔炉
本发明属于加热炉领域，并公开了一种低羟基石英玻璃熔炉，包括炉体、坩埚、发热体、辐射板和辐射屏，所述炉体包括底座、炉壳、炉盖和保温层，所述炉壳放置于所述底座上，所述炉盖放置在所述炉壳上，所述保温层放置于所述底座上；所述坩埚...
方海生马千里
文献传递
一种提拉法晶体生长炉
一种提拉法晶体生长炉，属于提拉法单晶生长装置，解决现有提拉法晶体生长炉内由于冷却气的非对称流动引起的不稳定性和熔体内包裹体杂质在晶体中聚集的问题。本发明包括炉体、基座、内隔热层、电磁感应加热器、炉盖、坩埚、坩埚盖和籽晶杆...
方海生田俊王森蒋志敏张梦杰赵超杰刘胜
基于漏电介质模型和摩擦发电的可变焦距液体透镜系统
本发明属于液体透镜领域，并具体公开了一种基于漏电介质模型和摩擦发电的可变焦距液体透镜系统，其包括摩擦发电装置和悬浮液滴装置，摩擦发电装置包括相对设置的正电极和负电极，该正电极和负电极的相对面上分别设置有正极薄片和负极薄片...
方海生聂圻春潘小龙
一种芯片封装前的预处理方法
本发明属于芯片封装领域，并公开了一种芯片封装前的预处理方法。其包括：(a)将待处理芯片划分为多个核心功能区，分别且同时加热各个核心功能区，使得各个核心功能区内部形成均匀的热应力；(b)将核心功能区从待处理芯片上分离得到所...
方海生罗显刚马千里
一种液体相对介电常数的测量方法及系统
本发明属于液体介电常数测量相关技术领域，其公开了一种液体相对介电常数的测量方法及系统，该方法包括：将待测液体滴加至介电材料层表面，获取此时所述待测液体的液滴与所述介电材料层的第一接触角；在所述介电材料层的背面设置至少覆盖...
方海生陈浩聂圻春高仙仙
文献传递
一种泡生法蓝宝石晶体生长炉
本发明公开了一种泡生法蓝宝石晶体生长炉，包括炉体、坩埚、炉盖和籽晶杆，所述炉体为底端封闭的筒体，所述炉体内设有圆筒状的侧隔热屏，炉体内底部设置有底部保温层和支架，所述底部保温层的顶部放置有底部反射屏，所述支架上放置所述坩...
方海生王森尧青霞吕振亚罗显刚马千里
文献传递
一种用于MOCVD设备的喷淋头
一种用于MOCVD设备的喷淋头，属于气体喷淋装置，解决现有喷淋头存在的原料气体不能均匀混合的问题，同时减少在喷淋头顶部出现沉积堵塞喷口的问题。本发明包括底座、下隔板、上隔板、顶盖和中心导管，顶盖和底盖之间被隔成上层气腔、...
张之方海生蒋志敏郑江刘胜甘志银
SiO2疏松体高温脱羟过程数值模拟(续)
2020年
3.2脱羟过程主要参数变化图5所示为熔制过程中SiO2疏松体平均温度(Ta)和平均孔隙率(φa)随时间的变化曲线。可以看出,疏松体平均温度的升高趋势和图3所示的顶面升温曲线保持一致。在10h时顶面温度为1 000℃,疏松体平均温度为997.5℃,两者较为接近。这是由于高温下辐射换热较为强烈,顶面的高温很快传递到疏松体内部。由于35h之前疏松体还未烧结,所以φa保持初始值不变。在35h以后,疏松体开始发生烧结,φa开始下降。当脱羟进行到76.3h时,疏松体全部烧结为石英锭,此后随着温度升高石英锭的孔隙率维持在设定的最低值0.01。
张国君马千里欧阳葆华方海生王韬
关键词：SIO2平均温度过程数值模拟参数变化
一种热场协调控制的提拉法晶体生长炉
本发明公开了一种热场协调控制的提拉法晶体生长炉，包括绝热外壳及设置在绝热外壳内的生长室，生长室设置有坩埚，绝热外壳的外部设置有用于对坩埚进行加热的主电磁感应线圈，主电磁感应线圈的下方设置有副电磁感应线圈，主电磁感应线圈和...
方海生王森蒋志敏王梦莹
全选 清除 导出
共7页<1234567>
聚类工具0