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彭兴伟

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：上海集成电路研发中心更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇电学
  • 2篇电阻
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇多晶硅电阻
  • 2篇统计信息
  • 2篇晶体管
  • 2篇建模方法
  • 2篇工艺线
  • 2篇SPICE模...
  • 2篇MOSFET...
  • 2篇MOS晶体管
  • 2篇测量方法
  • 1篇电容
  • 1篇电学特性
  • 1篇射频
  • 1篇射频CMOS
  • 1篇校准
  • 1篇蒙特卡罗
  • 1篇接触孔

机构

  • 6篇上海集成电路...
  • 1篇华东师范大学

作者

  • 6篇胡少坚
  • 6篇任铮
  • 6篇彭兴伟
  • 2篇唐逸
  • 2篇周伟
  • 1篇石艳玲
  • 1篇赵宇航
  • 1篇李曦

传媒

  • 1篇电子器件

年份

  • 2篇2016
  • 4篇2011
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
MOS晶体管工艺角SPICE模型的建模方法
本发明提供一种MOS晶体管工艺角SPICE模型的建模方法，该方法依据收集到的被模拟MOS晶体管工艺线器件特性的统计信息，选取PSP模型的14个参数，最终得到了MOS晶体管工艺角PSP模型卡。这种基于PSP模型的MOS晶体...
任铮胡少坚周伟唐逸彭兴伟
文献传递
MOSFET器件电学特性变化测量方法
本发明提供一种MOSFET器件电学特性变化测量结构，包括：有源区，位于有源区之上的栅极，所述栅极为开尔文结构的电阻，所述栅极的两端各具有两个多晶硅电阻端点。本发明的优点在于区别和确定栅长变化、栅氧厚度变化和掺杂变化对MO...
彭兴伟胡少坚任铮
文献传递
MOSFET器件电学特性变化测量结构及测量方法
本发明提供一种MOSFET器件电学特性变化测量结构，包括：有源区，位于有源区之上的栅极，所述栅极为开尔文结构的电阻，所述栅极的两端各具有两个多晶硅电阻端点。本发明的优点在于区别和确定栅长变化、栅氧厚度变化和掺杂变化对MO...
彭兴伟胡少坚任铮
文献传递
MOS晶体管工艺角SPICE模型的建模方法
本发明提供一种MOS晶体管工艺角SPICE模型的建模方法，该方法依据收集到的被模拟MOS晶体管工艺线器件特性的统计信息，选取PSP模型的14个参数，最终得到了MOS晶体管工艺角PSP模型卡。这种基于PSP模型的MOS晶体...
任铮胡少坚周伟唐逸彭兴伟
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MOSFET栅与源漏交叠电容的测试及校准结构
本实用新型提供一种MOSFET栅与源漏交叠电容的测试及校准结构，包括测试结构和校准结构，所述测试结构包括：有源区本体，位于所述有源区本体之上的栅极，相较于所述有源区本体延伸出的、位于所述栅极两侧的源极延伸部和漏极延伸部，...
彭兴伟胡少坚任铮
文献传递
尺寸可变的65nm多叉指射频CMOS器件模型提取与优化
2011年
通过对CMOS PSP直流核心模型进行STI参数的修正、探针电阻的引入和提取以及尺寸可变的源漏寄生电阻表达式的引入,呈现了一个尺寸可变的65 nm多叉指射频CMOS器件模型及其提取和优化方法。与实验数据比较结果表明,该模型及其提取和优化方法能够在14 GHz以内精确地预测器件性能。
任铮李曦彭兴伟胡少坚石艳玲赵宇航
关键词：射频
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