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任铮: 作品数：96 被引量：18H指数：2; 供职机构：上海集成电路研发中心更多>>; 发文基金：国家自然科学基金上海市青年科技启明星计划“上海－应用材料研究与发展”基金更多>>; 相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

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高压集成电路中的HV MOS晶体管BSI M3 I-V模型改进被引量：1: 2006年; 针对SPICEBSIM3模型在对大量应用于高压集成电路中的轻掺杂漏高压MOS(简称HVMOS)晶体管建模上的不足,提出了基于BSIM3的高压MOS晶体管I V模型改进.研究中使用AgilentICCAP测量系统对HV MOS晶体管进行数据采集,并分析其源漏电阻受栅源、源漏和衬底电压的影响及与标准工艺低压MOS晶体管的差异,针对BSIM3模型源代码中源漏电阻Rds的相关参数算法进行了改进,保留BSIM3v3原有参数的同时增加了Rds的二次栅压调制因子Prwg2和有效Vds参数δ的栅压调制因子δ1,δ2,在开放的SPICE和BSIM3v3源代码上对模型库文件进行修改并实现了优化.仿真结果表明采用改进后的模型,在ICCAP下的测量曲线与参数提取后的I V仿真曲线十分吻合,该模型大大提高了BSIM3I V模型模拟HVMOS晶体管时的精确度,对于高压集成电路的设计与仿真有着极其重要的意义.; 任铮石艳玲胡少坚金蒙朱骏陈寿面赵宇航; 关键词：BSIM3模型 SPICE HV MOS晶体管

分频器: 本发明提供了一种分频器，包括3个级联的D型触发器单元、内部复位电路、输出信号控制电路、控制信号译码电路、第二传统D型触发器、负沿CLK触发信号延迟电路以及输出电路，其通过一组3位两进制数字信号M输入控制信号，实现了从1到...; 任铮周伟胡少坚唐逸; 文献传递

利用外延工艺制备垂直沟道的围栅型MOSFET的方法: 本发明提供一种利用外延工艺制备垂直沟道的围栅型MOSFET的方法，包括：选取一个从上到下依次包含有顶层膜、中间介质层和底层膜的半导体衬底；采用外延工艺在半导体衬底上制备第一外延层；在顶层膜中形成源/漏电极图形；在第一外延...; 郭奥任铮胡少坚周伟

一种3D全局像元结构及其制备方法: 本发明公开了一种3D全局像元结构及其制备方法，包括在第一硅衬底层上制作的光电信号产生电路单元和在第二硅衬底层上制作的信号存储电容单元，光电信号产生电路单元与信号存储电容单元在竖直方向上排布，并通过通孔、金属连线与接触孔之...; 任铮赵宇航温建新李琛

高压MOS晶体管电路仿真宏模型: 本发明提供了一种高压MOS晶体管电路仿真宏模型，属于集成电路领域。该仿真宏模型包括一个MOS晶体管仿真模型，一个n沟道JFET仿真模型和一个二极管仿真模型，所述的n沟道JFET串联在所述MOS晶体管的漏极上，所述的二极管...; 任铮胡少坚; 文献传递

SiGe HBT的Mextram 504模型温度参数提取与模型改进被引量：2: 2008年; 针对IMEC0．13μm准自对准SiGe BiCMOS工艺制成的基区Ge组分二阶分布结构SiGe异质结双极晶体管，在25～125℃温度范围内，对其进行了包括Early电压，Gummel图形等在内的完整双极晶体管特性曲线测量，提取了该器件在25～125℃范围内的温度可变Mextram 504模型参数．在此基础上，为Mextram 504模型对0．13μm基区Ge组分二阶分布SiGe异质结双极晶体管探索了完整的模型提取方案．提出了对Mextram 504模型温度参数提取方法的改进，优化了提取流程．对SiGe异质结双极晶体管雪崩电流受温度影响的特性进行了讨论，为Mextram模型提出了雪崩外延层的有效厚度的温度变化经验公式和新的雪崩电流温度变化参数，提高了Mextram模型对不同温度下SiGe双极型晶体管进行模拟仿真的精确度．; 任铮胡少坚蒋宾王勇赵宇航; 关键词：异质结双极晶体管

低功耗锁相环电路: 本发明的低功耗锁相环电路包括鉴频鉴相器、环路滤波器、电荷泵、压控振荡器、分频器、信号检测电路和动态开关，所述鉴频鉴相器与所述电荷泵连接，所述电荷泵通过所述动态开关与所述环路滤波器连接，所述环路滤波器与所述压控振荡器连接，...; 任铮胡少坚周伟曹永峰唐逸; 文献传递

MOS晶体管射频电路仿真宏模型的参数提取方法: 本发明提供了一种MOS晶体管射频电路仿真宏模型及其参数提取方法。该仿真宏模型包括一MOS晶体管仿真模型，串联在晶体管栅极与电路栅极节点之间的栅电阻R<Sub>G</Sub>，分别用于表征源极和衬底以及漏极和衬底之间的结电...; 胡少坚任铮; 文献传递

确定热载流子注入器件寿命的方法: 本发明提供了一种确定热载流子注入器件寿命的方法，包括如下步骤：测量一器件在3个不同Vd下的Isub-Vg曲线与Id-Vg曲线；对于每一组Isub-Vg曲线和Id-Vg曲线，分别找出Isubmax值及Isubmax值下的V...; 唐逸周伟任铮; 文献传递

MOS晶体管工艺角SPICE模型的建模方法: 本发明提供一种MOS晶体管工艺角SPICE模型的建模方法，该方法依据收集到的被模拟MOS晶体管工艺线器件特性的统计信息，选取PSP模型的14个参数，最终得到了MOS晶体管工艺角PSP模型卡。这种基于PSP模型的MOS晶体...; 任铮胡少坚周伟唐逸彭兴伟; 文献传递