张勇
- 作品数：43 被引量：120H指数：8
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- 相关领域：电子电信核科学技术理学自动化与计算机技术更多>>
- 线阵CCD总剂量辐照效应离线测量系统设计
- 本文建立了线阵CCD器件总剂量辐照效应离线测量系统,并利用该系统对一种商用线阵CCD进行了辐照效应研究,给出了暗电流输出电压信号和饱和电压信号的变化曲线.结果表明,该测量系统能够满足线阵CCD辐照试验要求.
- 张勇唐本奇肖志刚王祖军黄芳黄绍艳
- 关键词：线阵CCD总剂量辐照效应电路设计
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- 中子辐照导致线阵电荷耦合器件电荷转移效率退化实验研究被引量：6
- 2007年
- 利用TRIGA型脉冲反应堆提供的快中子,对线阵电荷耦合器件进行中子辐照实验研究。研究结果表明:在1012-1013cm-2中子注量范围内,该器件的电荷转移效率(CTE)随辐照中子注量的增加而线性下降;电荷转移效率的下降与电荷包在沟道中的转移时间及转移电荷包的电量有关。
- 肖志刚唐本奇李君利张勇刘敏波王祖军黄绍艳
- 关键词：中子辐照
- 基于CPLD的CCD通用驱动电路设计方法被引量：21
- 2005年
- 建立CCD通用测试平台有助于系统研究各类CCD器件的辐射效应及损伤机理。探讨了一种基于CPLD的线阵CCD通用驱动电路设计方法与实现途径。利用MAX-PLUSII开发系统,选用MAX7000S系列CPLD芯片,设计实现了核心驱动主控制器,用于读取外部存储器驱动文件,设置相关参数寄存器,并产生符合参数要求的驱动时序脉冲。在此方法的基础上,完成了基本驱动模块电路的设计。基本驱动模块电路输出波形的测试结果表明,这种设计方法是完全可行的。
- 张勇唐本奇肖志刚王祖军黄绍艳
- 关键词：CPLD外部存储器主控制器寄存器CCD
- CCD辐射损伤效应及加固技术研究进展被引量：11
- 2009年
- 综述了电荷耦合器件(CCD)在空间环境和核辐射领域中的辐射效应研究进展;阐述了不同粒子辐照CCD的损伤效应机理及暗电流、平带电压和电荷转移效率等敏感参数的退化机制;从制造工艺、器件结构、工作模式等方面介绍了CCD抗辐射加固技术;分析了CCD辐射效应研究的发展趋势。
- 王祖军唐本奇肖志刚黄绍艳张勇刘敏波陈伟刘以农
- 关键词：电荷耦合器件暗电流加固技术
- SiGe HBT器件特征参数的数值模拟与分析被引量：3
- 2009年
- 分别在不同基极掺杂浓度、集电极掺杂浓度、发射极掺杂浓度和不同Ge组分含量的情况下,运用半导体器件模拟软件—MEDICI,对SiGe HBT器件的直流特性和频率特性进行了数值模拟,得出了SiGe HBT器件的集电极电流IC、基极电流IB、电流增益β和截止频率fT变化的初步规律。
- 王祖军刘书焕唐本奇陈伟黄绍艳肖志刚张勇刘敏波
- 关键词：SIGEHBT电流增益截止频率数值模拟
- InGaAsP多量子阱激光二极管及其组件的γ辐射效应被引量：11
- 2009年
- 本工作进行多量子阱激光二极管及其组件的γ辐照实验研究,总剂量(以Si计)达5.5×104Gy。结果表明:多量子阱激光二极管抗γ射线辐照能力很强,在实验总剂量下,裸管形式的多量子阱激光二极管的P-I特性I、-V特性及中心波长基本未变化。而多量子阱激光二极管组件因包含光学窗口、耦合透镜及光纤等附属光学元件,这些附属元件受γ辐照后光学性能下降,最终导致激光二极管组件输出光功率随总剂量增大而下降,停止辐照后,不需加偏置,在室温下即能发生退火,使得斜率效率逐渐回升。
- 黄绍艳刘敏波王祖军唐本奇肖志刚张勇
- 关键词：Γ射线
- 辐射损伤诱发CCD敏感参数退化分析被引量：5
- 2010年
- 研究了CCD敏感参数受辐照后的退化情况。分析了电荷转移效率受不同粒子辐照后的退化情况,并列表进行了对比;分析了暗电流受辐射增大的规律;分析了平带电压和阈值电压受辐射后的漂移现象。初步确定了CCD敏感参数的辐射损伤阈值范围。
- 王祖军刘以农陈伟唐本奇肖志刚黄绍艳刘敏波张勇
- 关键词：CCD体缺陷损伤阈值
- GaAs太阳电池1MeV电子辐射效应数值模拟被引量：3
- 2005年
- 简要介绍了太阳电池的基本工作原理和辐射损伤机理。利用二维半导体器件数值模拟软件MEDICI,模拟计算了1MeV高能电子在辐射通量范围为1×1013～1×1015cm2时,对GaAs太阳电池主要输出参数(如开路电压Voc,短路电流Isc)的影响,并对计算结果进行了分析,计算结果与相关文献给出的实验数据吻合较好。
- 王祖军唐本奇黄绍艳张勇肖志刚黄芳
- 关键词：太阳电池MEDICI砷化镓
- 中子注量空间分布规律的理论模拟
- 2004年
- 分别以高斯聚变中子谱和麦克斯韦裂变中子谱为源谱,采用Monte-Carlo方法,对中子从不同的源高度到达不同轨道高度及不同角度处的中子注量进行数值计算,通过对计算结果进行曲线拟合,获得中子注量的空间分布规律。同时引入方向散射因子的概念,并通过对方向散射因子变化规律的研究来获得中子的大气散射规律。
- 黄绍艳唐本奇龚建成肖志刚王祖军张勇
- 关键词：中子注量聚变中子裂变MONTE-CARLO方法高斯麦克斯韦
- 光电耦合器的反应堆中子辐射效应被引量：6
- 2011年
- 选择3种典型光电耦合器开展了反应堆中子辐照实验,中子注量为3×1011~5×1012cm-2时,位移效应导致电流传输比下降,饱和压降提高。发光器件相同,探测器为Si PIN光电二极管的光电耦合器比探测器为Si NPN光敏晶体管的光电耦合器的初始电流传输比要小,但其抗位移损伤能力更强。探测器均为Si NPN光敏晶体管,发光器件为异质结LED要比硅两性掺杂LED的光电耦合器的电流传输比抗位移损伤能力提高2个量级;以光敏晶体管为探测器的光电耦合器,在较大的正向电流和输出负载电阻条件下工作可提高抗辐射水平。此外,光电耦合器的位移损伤存在加电退火效应。
- 黄绍艳刘敏波唐本奇肖志刚王祖军张勇
- 关键词：光电耦合器光敏晶体管电流传输比饱和压降
