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黄绍艳

作品数:74 被引量:168H指数:8
供职机构:西北核技术研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术核科学技术理学更多>>

文献类型

  • 45篇期刊文章
  • 20篇会议论文
  • 9篇专利

领域

  • 45篇电子电信
  • 9篇自动化与计算...
  • 8篇核科学技术
  • 6篇理学
  • 3篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇天文地球
  • 1篇化学工程
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 18篇中子
  • 13篇总剂量
  • 13篇CCD
  • 12篇数值模拟
  • 12篇值模拟
  • 10篇电荷耦合
  • 10篇电荷耦合器
  • 10篇电荷耦合器件
  • 10篇中子辐照
  • 8篇激光
  • 7篇电路
  • 7篇中子注量
  • 7篇总剂量效应
  • 7篇二极管
  • 6篇光电
  • 5篇低剂量率
  • 5篇电荷
  • 5篇质子
  • 5篇激光二极管
  • 5篇暗电流

机构

  • 74篇西北核技术研...
  • 13篇清华大学
  • 1篇北京大学
  • 1篇防化研究院

作者

  • 74篇黄绍艳
  • 66篇肖志刚
  • 62篇王祖军
  • 54篇唐本奇
  • 49篇刘敏波
  • 41篇张勇
  • 25篇陈伟
  • 22篇何宝平
  • 21篇姚志斌
  • 8篇刘以农
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  • 6篇马武英
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  • 4篇林东生
  • 4篇张永生
  • 3篇刘书焕
  • 2篇罗通顶
  • 2篇李君利
  • 2篇邱孟通
  • 2篇满一航

传媒

  • 12篇核电子学与探...
  • 10篇原子能科学技...
  • 7篇半导体光电
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  • 5篇第八届全国抗...
  • 2篇电子学报
  • 2篇真空科学与技...
  • 2篇电子器件
  • 2篇中国核学会2...
  • 1篇物理学报
  • 1篇清华大学学报...
  • 1篇计算物理
  • 1篇微电子学
  • 1篇现代应用物理
  • 1篇2004年全...
  • 1篇第九届全国抗...
  • 1篇第三届计算物...
  • 1篇第五届全国光...
  • 1篇中国电子学会...
  • 1篇北京核学会第...

年份

  • 1篇2023
  • 4篇2018
  • 1篇2017
  • 4篇2016
  • 4篇2015
  • 11篇2014
  • 1篇2013
  • 3篇2011
  • 9篇2010
  • 6篇2009
  • 4篇2007
  • 14篇2005
  • 7篇2004
  • 1篇2003
  • 2篇2001
  • 1篇2000
  • 1篇1999
74 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种模块化数字集成电路辐射效应在线测试系统及测试方法
本发明涉及一种模块化数字集成电路辐射效应在线测试系统及测试方法,在总结现有数字集成电路辐射效应在线测试系统异同性的基础上,将效应测试中所需的各种功能电路划分为相对独立的模块,每个模块间的电气及机械连接、模块内的设计、系统...
姚志斌盛江坤陈伟何宝平刘敏波马武英黄绍艳
文献传递
辐射损伤诱发CCD敏感参数退化分析被引量:5
2010年
研究了CCD敏感参数受辐照后的退化情况。分析了电荷转移效率受不同粒子辐照后的退化情况,并列表进行了对比;分析了暗电流受辐射增大的规律;分析了平带电压和阈值电压受辐射后的漂移现象。初步确定了CCD敏感参数的辐射损伤阈值范围。
王祖军刘以农陈伟唐本奇肖志刚黄绍艳刘敏波张勇
关键词:CCD体缺陷损伤阈值
GaAs太阳电池1MeV电子辐射效应数值模拟被引量:3
2005年
简要介绍了太阳电池的基本工作原理和辐射损伤机理。利用二维半导体器件数值模拟软件MEDICI,模拟计算了1MeV高能电子在辐射通量范围为1×1013~1×1015cm2时,对GaAs太阳电池主要输出参数(如开路电压Voc,短路电流Isc)的影响,并对计算结果进行了分析,计算结果与相关文献给出的实验数据吻合较好。
王祖军唐本奇黄绍艳张勇肖志刚黄芳
关键词:太阳电池MEDICI砷化镓
中子注量空间分布规律的理论模拟
2004年
分别以高斯聚变中子谱和麦克斯韦裂变中子谱为源谱,采用Monte-Carlo方法,对中子从不同的源高度到达不同轨道高度及不同角度处的中子注量进行数值计算,通过对计算结果进行曲线拟合,获得中子注量的空间分布规律。同时引入方向散射因子的概念,并通过对方向散射因子变化规律的研究来获得中子的大气散射规律。
黄绍艳唐本奇龚建成肖志刚王祖军张勇
关键词:中子注量聚变中子裂变MONTE-CARLO方法高斯麦克斯韦
双极集成电路低剂量率辐射损伤增强效应的高温辐照加速实验被引量:5
2014年
选择了四种典型双极集成电路,在两种不同剂量率下,开展了不同温度的高温辐照加速实验,测量了典型双极集成电路的辐射敏感参数在不同高温辐照下的变化规律。实验结果表明:高温辐照能够给出空间低剂量率辐射损伤增强效应的保守估计,且存在最佳辐照温度,最佳辐照温度随总剂量的增加向低温区漂移,随剂量率的增大向高温区漂移,在相同剂量率和总剂量下,输入级为NPN晶体管的双极集成电路比输入级为PNP晶体管的最佳辐照温度低。
刘敏波陈伟姚志斌黄绍艳何宝平盛江坤肖志刚王祖军
关键词:双极集成电路低剂量率界面态
光电耦合器的反应堆中子辐射效应被引量:6
2011年
选择3种典型光电耦合器开展了反应堆中子辐照实验,中子注量为3×1011~5×1012cm-2时,位移效应导致电流传输比下降,饱和压降提高。发光器件相同,探测器为Si PIN光电二极管的光电耦合器比探测器为Si NPN光敏晶体管的光电耦合器的初始电流传输比要小,但其抗位移损伤能力更强。探测器均为Si NPN光敏晶体管,发光器件为异质结LED要比硅两性掺杂LED的光电耦合器的电流传输比抗位移损伤能力提高2个量级;以光敏晶体管为探测器的光电耦合器,在较大的正向电流和输出负载电阻条件下工作可提高抗辐射水平。此外,光电耦合器的位移损伤存在加电退火效应。
黄绍艳刘敏波唐本奇肖志刚王祖军张勇
关键词:光电耦合器光敏晶体管电流传输比饱和压降
光电耦合器不同辐照剂量率下的伽玛总剂量效应被引量:1
2014年
开展了光电耦合器在0.01,0.1,1.0和50rad(Si)/s四种剂量率下的伽玛射线(60 Coγ)辐照实验,结果表明:γ辐照导致光电耦合器电流传输比下降,辐照到相同总剂量,电流传输比下降幅度基本上随剂量率的减小而增大。在不拆封破坏光电耦合器的情况下,通过对光电耦合器中的发光二极管I-V特性、光敏晶体管增益及初级光电流的测试,以及耦合介质传输损耗特性的分析,证明了导致光电耦合器电流传输比退化的主导因素是光敏晶体管C-B区光响应度的下降。
黄绍艳刘敏波姚志斌盛江坤肖志刚何宝平王祖军唐本奇
关键词:光电耦合器
NAND Flash存储器总剂量效应测试技术研究
本文首先分析了NAND型Flash存储器的总剂量效应失效模式,然后根据器件的失效模式和失效现象对测试系统的功能提出了要求,并对测试系统的实现方法进行了介绍。利用研制的测试系统,进行了NAND型Flash存储器总剂量辐照实...
盛江坤邱孟通姚志斌何宝平黄绍艳刘敏波肖志刚王祖军
关键词:总剂量工艺尺寸
文献传递
基于栅扫描法的双极器件总剂量辐射感生产物平均浓度提取方法
本发明涉及一种基于栅扫描法的双极器件总剂量辐射感生产物平均浓度提取方法,针对栅扫描法所测I<Sub>B</Sub>‑V<Sub>G</Sub>曲线由于界面态陷阱浓度小或多能级界面陷阱共同存在时,曲线峰值位置不明显,难以确...
姚志斌陈伟何宝平马武英刘敏波盛江坤黄绍艳王祖军
基于激光二极管的中子注量在线测试系统及方法
本发明属于辐射探测领域,涉及一种基于激光二极管的中子注量在线测试系统及方法。该系统包括激光二极管、电流源、光功率计和计算机;激光二极管的输入端通过电流传输线与电流源相连,激光二极管的输出端通过光纤与光功率计相连;电流源和...
陈伟刘敏波黄绍艳王祖军肖志刚唐本奇
文献传递
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