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屠玉珍

作品数:10 被引量:32H指数:4
供职机构:中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 10篇中文期刊文章

领域

  • 10篇电子电信

主题

  • 8篇激光
  • 8篇激光器
  • 5篇半导体
  • 5篇半导体激光
  • 4篇半导体激光器
  • 3篇分子束
  • 3篇分子束外延
  • 3篇分子束外延生...
  • 3篇ND:YAG
  • 2篇硒化锌
  • 2篇量子阱激光器
  • 2篇固体激光
  • 2篇固体激光器
  • 2篇光泵
  • 2篇ZNSE
  • 2篇LD泵浦
  • 1篇单量子阱
  • 1篇单量子阱激光...
  • 1篇多量子阱
  • 1篇多量子阱激光...

机构

  • 10篇中国科学院上...
  • 2篇中国科学院
  • 1篇吉林大学
  • 1篇国家光电子工...

作者

  • 10篇屠玉珍
  • 6篇方祖捷
  • 3篇顾德英
  • 3篇周复正
  • 3篇金志良
  • 3篇刘斌
  • 2篇王海龙
  • 2篇沈小华
  • 2篇崔捷
  • 2篇黄国松
  • 2篇沈爱东
  • 2篇沈丽青
  • 2篇单振国
  • 2篇封伟忠
  • 2篇陈云良
  • 1篇胡雄伟
  • 1篇黄绮
  • 1篇周均铭
  • 1篇梁基本
  • 1篇龚谦

传媒

  • 2篇Journa...
  • 2篇中国激光
  • 2篇激光与红外
  • 1篇半导体情报
  • 1篇科学通报
  • 1篇激光杂志
  • 1篇量子电子学

年份

  • 2篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1994
  • 3篇1993
  • 1篇1992
  • 2篇1991
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
N-型ZnSe:Cl的分子束外延生长
1993年
本文报道利用分子束外延(MBE)技术,采用高纯ZnCl_2作掺杂源,成功地进行了n—型ZnSe:Cl的分子束外延生长。n-ZnSe:Cl/p-GaAs异质结构的伏-安(I—V)特性和热探针测试显示外延层呈n型导电特性。反射高能电子衍射(RHEED)和x射线衍散谱测量表明ZnSe:Cl外延层具有较好的晶体质量。
陈云良崔捷沈爱东屠玉珍王海龙
关键词:硒化锌分子束外延
高温连续输出AlGaAs大功率单量子阱激光器的工作特性被引量:1
1997年
本文介绍了利用MBE方法生长的大功率AlGaAs单量子阱激光器的高温工作特性.激光器的室温连续输出功率达到2W.在95℃高温连续工作状态下,其输出功率仍可达到500mW的水平.器件的特征温度高达185K(35~85℃)及163K(85~95℃).同室温相比,器件在95℃的工作条件下,其功率输出的斜效率下降了23%.
朱东海王占国梁基本徐波朱战萍张隽龚谦金才政丛立方胡雄伟韩勤方祖捷刘斌屠玉珍
关键词:单量子阱激光器
光泵用大功率半导体激光器列阵
1992年
本文报导工作波长适合于泵浦掺Nd固体激光器的GaAIAs/G&As激光锁相列阵。采用氧化物掩蔽和Zn扩散条形结构工艺,获得了十单元列阵器件。其工作波长为809±5nm,输出功率大于200mW。已用于Nd∶YAG和Nd玻璃激光器的泵浦。
金志良屠玉珍顾德英封伟忠林岳明刘斌方祖捷
关键词:半导体激光器列阵光泵锁相
分子束外延生长多量子阱激光器的实验研究
1991年
本文报道了GaAlAs/GaAs多量子阱激光器的实验结果。采用Zn扩散平面条形结构的6μm宽单条激光器,获得了线性输出功率大于100mW的良好结果,其阈值电流密度为2000A/cm^2,室温下特征温度大于400K。
刘斌屠玉珍顾德英金志良方祖捷周均铭黄绮
关键词:半导体激光器分子束外延
半导体激光器的组合式光束耦合研究被引量:6
1996年
运用自聚焦透镜列阵.实现了多个高功率半导体激光器的光束耦合。该光学耦合系统结构简单、造价低廉.耦合效率约为60%。同时,还研究了自聚焦透镜的装校失调对多光束耦合焦斑尺寸的影响.为光学耦合系统的固化提供了可靠的依据。
郑朝思胡企铨屠玉珍方祖捷
关键词:半导体激光器激光器
半导体激光泵浦Nd:YAG固体激光器被引量:1
1991年
研制了波长为800—810nm线列阵二极管激光器,脉冲输出功率50mW。泵浦单块Nd:YAG固体振荡器,得到1.06μm激光输出。脉冲能量为0.1μJ、起伏小于0.5%,斜率效率为24%。泵浦阈值功率为3.9mW,与计算结果一致。
周复正沈丽青范滇元郑桂珍方祖捷金志良屠玉珍顾德英封伟忠
关键词:ND:YAG激光器半导体激光泵浦
连续输出62.5mW的LD泵浦Nd:YAG微片激光器被引量:6
1994年
实现了LD泵浦Nd:YAG微片激光器的室温运转,当泵浦功率为340mW时,1.06μm激光的CW输出功率为62.5mW,总的光-光效率为18%。本文简述了实验装置、结果,研究了微片激光器的一些输出特性。
单振国沈小华黄国松屠玉珍周复正
关键词:激光器泵浦激光器ND:YAG激光器
使用金刚石膜热沉的半导体激光器特性研究被引量:12
1997年
比较了使用金刚石膜热沉和传统的钢热沉的半导体激光二极管列阵在热阻和光输出功率方面的特性.与使用Cu热沉的器件相比,采用厚度为350~400μm,热导率在12~14W/(K·cm)的金刚石膜作为热沉的H极管列阵可使热阻降低45~50%,同值电流明显降低,而光输出功率提高25%,稳定性得到改善.表现出金刚石膜热沉在半导体器件散热方面的明显优势.
顾长志金曾孙吕宪义邹广田屠玉珍方祖捷
关键词:半导体激光器金刚石膜热沉
Li掺杂p型ZnSe的分子束外延生长被引量:2
1993年
宽带隙的Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物ZnSe,室温带隙为2.7eV,是研制高效蓝色发光器件最有潜在用途的材料。要用ZnSe材料制作高质量的结型器件,关键在于外延薄膜时有意掺入一定量的杂质,使这种材料具有人为控制的导电类型。宽带Ⅱ-Ⅵ族化合物都是离子性很强的单极性材料,通常情况下,ZnSe材料只呈现n型。
陈云良崔捷沈爱东屠玉珍王海龙
关键词:硒化锌分子束外延生长P型掺杂
LD泵浦Nd:YAG微片激光器的单纵模运转被引量:6
1993年
继去年我们在国内首先实现了LD泵浦Nd:YAG微片激光器的室温连续单横模运转之后,最近又观测到了稳定的单纵模输出。当泵浦电流从700mA增加到900mA,或当上下左右平移微片时,无论是脉冲工作,还是连续运转,均能输出单纵模,波长为1.064μm且无跳模。
单振国沈小华黄国松屠玉珍印苏沈丽青周复正
关键词:LD泵浦固体激光器
共1页<1>
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