顾德英
- 作品数：5 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 窄线宽单纵模沟槽衬底平面条形(AlGa)As激光器的研制及其线宽分析
- 1989年
- 本文报道了我们所研制的沟槽衬底平面条形(CSP)铝镓砷((AlGa)As)单模激光器,能以单纵模稳定工作,△v<5MHz,并从理论上定性分析了半导体激光器线宽变宽的机理,提出了进一步压窄线宽的方法.
- 胡衍芝顾德英
- 关键词：砷化镓激光器砷化铝
- 光泵用大功率半导体激光器列阵
- 1992年
- 本文报导工作波长适合于泵浦掺Nd固体激光器的GaAIAs/G&As激光锁相列阵。采用氧化物掩蔽和Zn扩散条形结构工艺,获得了十单元列阵器件。其工作波长为809±5nm,输出功率大于200mW。已用于Nd∶YAG和Nd玻璃激光器的泵浦。
- 金志良屠玉珍顾德英封伟忠林岳明刘斌方祖捷
- 关键词：半导体激光器列阵光泵锁相
- 沟槽衬底GaAs/GaAlAs大功率单模激光器
- 胡衍芝顾德英
- 关键词：大功率激光器单模激光器半导体工艺半导体激光器
- 半导体激光泵浦Nd:YAG固体激光器被引量：1
- 1991年
- 研制了波长为800—810nm线列阵二极管激光器,脉冲输出功率50mW。泵浦单块Nd:YAG固体振荡器,得到1.06μm激光输出。脉冲能量为0.1μJ、起伏小于0.5％,斜率效率为24％。泵浦阈值功率为3.9mW,与计算结果一致。
- 周复正沈丽青范滇元郑桂珍方祖捷金志良屠玉珍顾德英封伟忠
- 关键词：ND:YAG激光器半导体激光泵浦
- 分子束外延生长多量子阱激光器的实验研究
- 1991年
- 本文报道了GaAlAs/GaAs多量子阱激光器的实验结果。采用Zn扩散平面条形结构的6μm宽单条激光器,获得了线性输出功率大于100mW的良好结果,其阈值电流密度为2000A/cm^2,室温下特征温度大于400K。
- 刘斌屠玉珍顾德英金志良方祖捷周均铭黄绮
- 关键词：半导体激光器分子束外延
