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宋毅

作品数：16 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 15篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 11篇自顶向下
  • 10篇鳍片
  • 9篇体效应
  • 9篇自加热
  • 9篇自加热效应
  • 9篇刻蚀
  • 9篇沟道
  • 9篇沟道效应
  • 9篇浮体效应
  • 8篇晶体管
  • 8篇场效应
  • 8篇场效应晶体管
  • 5篇介质层
  • 3篇电子束曝光
  • 3篇兼容性
  • 2篇体硅
  • 2篇金属半导体
  • 2篇金属半导体场...
  • 2篇金属化
  • 2篇各向异性刻蚀

机构

  • 16篇中国科学院微...

作者

  • 16篇宋毅
  • 16篇徐秋霞
  • 15篇周华杰

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 2篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 6篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2010
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种Ω形鳍片的制备方法
本申请公开了一种Ω形鳍片的制备方法，包括：在半导体衬底上形成介质层；刻蚀所述介质层及半导体衬底以嵌入所述半导体衬底形成至少两个凹槽，所述凹槽之间形成鳍片；在所述鳍片的侧壁形成侧墙；进一步刻蚀所述凹槽及鳍片底部的半导体衬底...
周华杰徐秋霞宋毅
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一种场效应晶体管的制备方法
本申请公开了一种场效应晶体管的制造方法，包括：在半导体衬底上形成鳍片；在所述鳍片的顶部和侧面形成栅堆叠结构；在所述栅堆叠结构两侧的鳍片中形成源/漏结构；其中，所述鳍片下方的半导体衬底中包括隔离介质层。本发明在体硅衬底上制...
周华杰宋毅徐秋霞
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环栅场效应晶体管的制备方法
本申请公开了一种环栅场效应晶体管的制造方法，包括：在半导体衬底上形成悬空鳍片；在所述鳍片的四周形成栅堆叠结构；在所述栅堆叠结构两侧的鳍片中形成源/漏结构；其中，与所述鳍片和栅堆叠结构的底部相邻的半导体衬底中包括隔离介质层...
周华杰宋毅徐秋霞
一种鳍片的制备方法
本申请公开了一种鳍片的制备方法，包括：在半导体衬底上形成介质层；刻蚀所述介质层以嵌入所述半导体衬底形成至少两个凹槽，所述凹槽之间形成鳍片；在所述鳍片的侧壁形成侧墙；在所述鳍片和凹槽的下方形成隔离氧化层；去除所述侧墙以及所...
周华杰宋毅徐秋霞
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一种制备极短栅长体硅围栅MOSFETs的方法
一种制备体硅围栅纳米线MOSFETs的方法：局部氧化隔离或浅槽隔离，在体硅上垫积三层介质膜(缓冲SiO<Sub>2</Sub>氧化层/SiN/氧化物介质层)，电子束曝光，刻蚀凹槽和fin，垫积SiN侧墙，各向同性刻蚀Si...
宋毅徐秋霞周华杰
一种鳍型场效应晶体管的制备方法
本发明公开了一种鳍型场效应晶体管的制造方法，包括：在半导体衬底上形成Ω形鳍片；在所述Ω形鳍片的顶部及侧面形成栅堆叠结构；在所述栅堆叠结构两侧的Ω形鳍片中形成源/漏结构；金属化。其中，除所述Ω形鳍片底部通过较窄的硅条与半导...
周华杰徐秋霞宋毅
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一种实现亚10nm栅长线条的方法
一种实现亚10nm栅长线条的方法：在衬底上垫积或热氧化生长介质层、垫积栅电极材料、正性电子束曝光并刻蚀凹槽、垫积氧化物介质层、氧化物介质层表面平坦化、正性电子束曝光并刻蚀凹槽以及刻蚀栅电极材料等。本发明工艺简单，可重复性...
宋毅徐秋霞周华杰
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悬空鳍片的制备方法
本申请公开了一种悬空鳍片的制造方法，包括：在半导体衬底上形成介质层；刻蚀所述介质层及半导体衬底以嵌入所述半导体衬底形成至少两个凹槽，所述凹槽之间形成鳍片；在所述鳍片的侧壁形成侧墙；刻蚀所述凹槽及鳍片底部的半导体衬底形成悬...
周华杰宋毅徐秋霞
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一种制备体硅围栅金属半导体场效应晶体管的方法
一种基于准平面工艺制备体硅围栅纳米线MOSFETs的方法：局部氧化隔离或浅槽隔离，在体硅上垫积缓冲SiO<Sub>2</Sub>氧化层/SiN介质层，电子束曝光，刻蚀两个距离较近的凹槽，垫积SiN侧墙，各向同性刻蚀Si，...
宋毅周华杰徐秋霞
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一种制备极短栅长体硅围栅MOSFETs的方法
一种制备体硅围栅纳米线MOSFETs的方法：局部氧化隔离或浅槽隔离，在体硅上垫积三层介质膜(缓冲SiO<Sub>2</Sub>氧化层/SiN/氧化物介质层)，电子束曝光，刻蚀凹槽和fin，垫积SiN侧墙，各向同性刻蚀Si...
宋毅徐秋霞周华杰
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