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季艳菊

作品数:2 被引量:14H指数:2
供职机构:山东建筑大学理学院更多>>
发文基金:山东省自然科学基金山东省优秀中青年科学家科研奖励基金山东建筑大学校内基金更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 1篇射程
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇射频磁控溅射...
  • 1篇射线衍射
  • 1篇碳化硅
  • 1篇退火
  • 1篇退火行为
  • 1篇离子注入
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射制备
  • 1篇光波
  • 1篇光波导薄膜
  • 1篇X射线衍射
  • 1篇ZNO
  • 1篇波导
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射
  • 1篇磁控溅射制备
  • 1篇ZNO薄膜

机构

  • 2篇山东建筑大学

作者

  • 2篇王凤翔
  • 2篇季艳菊
  • 2篇付刚
  • 1篇秦希峰
  • 1篇赵俊卿
  • 1篇李双
  • 1篇李爽
  • 1篇梁毅

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇山东建筑大学...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
射频磁控溅射制备ZnO光波导薄膜被引量:12
2010年
采用射频磁控溅射技术在石英玻璃上制备出了具有高度c轴择优取向的ZnO薄膜。利用X射线衍射(XRD)、背散射分析(RBS)、棱镜耦合等技术对其结构、光波导性质进行研究,结果表明减小溅射压强有利于提高薄膜的结晶质量,增强薄膜的c轴择优取向。溅射压强越小,薄膜越厚,薄膜的有效折射率越接近晶体材料的折射率。
李爽王凤翔付刚季艳菊赵俊卿
关键词:ZNO薄膜射频磁控溅射X射线衍射
铒离子注入碳化硅的射程和退火行为研究被引量:2
2011年
用300—500keV能量的铒(Er)离子注入碳化硅(6H-SiC)晶体中,利用卢瑟福背散射技术研究了剂量为5×1015cm-2的Er离子注入6H-SiC晶体的平均投影射程Rp和射程离散ΔRp,将测出的实验值和TRIM软件得到的理论模拟值进行了比较,发现Rp的实验值与理论值符合较好,ΔRp的实验值和理论值差别大一些.结果表明,注入剂量一定时,注入能量越高,晶格损伤程度越高.1400℃的高温退火,可以实现6H-SiC的完美再晶化,但伴随着产生了Er原子向表面的外逸出.
秦希峰梁毅王凤翔李双付刚季艳菊
关键词:离子注入退火行为
共1页<1>
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