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姚然

作品数:37 被引量:29H指数:3
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国科学院知识创新工程更多>>
相关领域:理学电子电信农业科学金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 20篇专利
  • 14篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 8篇理学
  • 6篇电子电信
  • 4篇农业科学
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 11篇发光
  • 9篇氮化镓
  • 7篇二极管
  • 7篇发光二极管
  • 7篇衬底
  • 5篇成核
  • 4篇氮化
  • 4篇MOCVD
  • 3篇多量子阱
  • 3篇氧化镓
  • 3篇再结晶
  • 3篇微藻
  • 3篇相变
  • 3篇晶格
  • 3篇晶格失配
  • 3篇缓冲层
  • 3篇高温
  • 3篇高温处理
  • 3篇LED
  • 3篇掺杂

机构

  • 27篇中国科学院
  • 10篇中国科学技术...
  • 3篇深圳华大三生...
  • 1篇福建省水产研...
  • 1篇黑龙江省农业...
  • 1篇南京大学昆山...

作者

  • 37篇姚然
  • 16篇王军喜
  • 13篇李晋闽
  • 13篇杨华
  • 12篇伊晓燕
  • 10篇王国宏
  • 9篇李志聪
  • 9篇王兵
  • 9篇李璟
  • 8篇宋昌斌
  • 7篇傅竹西
  • 6篇梁萌
  • 5篇李鸿渐
  • 5篇李盼盼
  • 5篇朱俊杰
  • 4篇林碧霞
  • 4篇谢海忠
  • 3篇闫发旺
  • 3篇张逸韵
  • 2篇吴巨

传媒

  • 3篇人工晶体学报
  • 2篇Journa...
  • 2篇微纳电子技术
  • 1篇现代化工
  • 1篇中国照明电器
  • 1篇物理学报
  • 1篇云南大学学报...
  • 1篇发光学报
  • 1篇材料研究学报
  • 1篇照明工程学报

年份

  • 3篇2024
  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 4篇2021
  • 1篇2018
  • 2篇2016
  • 3篇2015
  • 3篇2014
  • 3篇2012
  • 4篇2011
  • 1篇2010
  • 3篇2008
  • 2篇2007
  • 4篇2006
  • 2篇2004
37 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法
一种利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法,该方法包括以下步骤:步骤1:采用MOCVD技术,对图形衬底进行高温处理后,降温;步骤2:在图形衬底上生长一氮化物成核层;步骤3:退火,实现成核层再结晶;步骤4:在结晶后的氮...
梁萌李鸿渐姚然李志聪李盼盼王兵李璟伊晓燕王军喜王国宏李晋闽
文献传递
氧化镓衬底及其制备方法
提供了一种氧化镓衬底及其制备方法,所述方法包括以下步骤:按照激光烧蚀版图,采用激光烧蚀法在所述初始氧化镓衬底表面加工出第一沟槽;对所述第一沟槽进行湿法化学腐蚀修复得到第二沟槽;以及在所述第二沟槽内填充导热层,以形成具有导...
张逸韵姚然杨华伊晓燕王军喜
一种应用于养鱼池的LED光源控制系统
本发明公开了一种应用于养鱼池的LED光源控制系统,包括:光源控制器、多个LED投光灯、计算机,其中,每个LED投光灯由短波长的LED芯片构成,光源控制器包括微处理器、与微处理器连接的时钟单元和串口通信接口单元,微处理器用...
宋昌斌王军喜杨华姚然孙达仇登高刘鹰王朝夕
文献传递
芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法
一种芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法,包括:在衬底的表面打两个通孔;在衬底的正反两面蒸镀二氧化硅膜保护膜;将衬底放入浓硫酸和浓磷酸混合液中腐蚀,清洗;去掉衬底表面的二氧化硅膜保护膜;在衬底的一面依次生长N型掺杂层、多量...
谢海忠张连宋昌斌姚然薛斌杨华李璟伊晓燕王军喜李晋闽
文献传递
氧化镓器件及其制备方法
本发明提供一种氧化镓器件及其制备方法,该器件包括:肖特基器件、绝缘高导热叠层以及散热基板;肖特基器件包括:衬底、外延层、介质层、肖特基接触金属层、欧姆接触金属层以及电极引脚;绝缘高导热叠层设置于电极引脚的两侧;散热基板通...
张逸韵姚然杨华伊晓燕王军喜
菌藻共生高效产氢体系研究进展被引量:1
2021年
通过对当前菌藻共培养产氢机理的归纳整理,分析了影响产氢效率的关键因素,就促进菌藻共生高效产氢的方法进行了探讨,并对菌藻共生产氢过程中存在的问题进行了归纳,提出了一些改进措施,期望能够为菌藻共培养技术研发提供帮助,为氢能高效、清洁、可持续工业化生产提供前期探索。
刘士涛吕小鸿姚然吴聪萍姚颖方
关键词:产氢菌
ZnO/SiC/Si(111)异质外延被引量:6
2004年
使用 Si C作为过渡层 ,采用自行设计建造的连通式双反应室高温 MOCVD系统很好地克服了 Zn O和 Si C生长时的交叉污染问题 ,在 Si基片上外延出高质量的 Zn O薄膜 .测量了样品的 XRD和摇摆曲线 ,以及室温下的 PL谱 .实验结果表明 ,Si C过渡层的引入大大提高了 Zn O薄膜的质量和发光性能 ,并有望实现在 Si上制备 Zn O单晶薄膜 .
朱俊杰林碧霞姚然赵国亮傅竹西
关键词:结构特性光致发光
在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法
一种在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法,包括以下步骤:步骤1:采用MOCVD技术,对图形衬底进行高温处理后,降温;步骤2:在图形衬底上生长一氮化物成核层;步骤3:退火,实现成核层再结晶;步骤4:在结晶后的氮化物成核层上...
梁萌李鸿渐姚然李志聪李盼盼王兵李璟伊晓燕王军喜王国宏李晋闽
文献传递
用于微藻生长的光生物反应器及方法
本公开提供了一种用于微藻生长的光生物反应器,包括:至少一个培养系统,每个培养系统均包括:养殖装置,调光装置,杀菌装置,培养箱体;该用于微藻生长的光生物反应器还包括至少一个控温系统、进气系统和控制系统。本公开中各培养系统独...
姚然杨华宋昌斌郑怀文吕小鸿王军喜
文献传递
直流溅射缓冲层生长ZnO/Si薄膜被引量:2
2006年
ZnO是一种新兴的的宽禁带半导体材料,相对于传统的宽禁带材料有很多的优势。在相对成本低廉的S i衬底上生长ZnO薄膜是现在攻关的热门课题。目前用缓冲层方法生长ZnO薄膜取得了一些突破。本文利用直流溅射,先在S i衬底上溅射一层ZnO多晶薄膜,通过对直流溅射时间的控制,可以得到不同厚度的ZnO缓冲层。再利用MOCVD设备生长高质量的ZnO薄膜。通过研究发现,直流溅射ZnO薄膜的厚度对于最终的薄膜质量有很大的影响。随着缓冲层的引入,双晶衍射XRD的摇摆半宽有显著下降,并且随着最终ZnO薄膜质量上升,光致发光也有显著的提升。可见缓冲层的引入对ZnO/S i薄膜的质量和发光强度有很大的贡献。
姚然朱俊杰段理朱拉拉傅竹西
关键词:氧化锌MOCVD缓冲层
共4页<1234>
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