吴汶海
- 作品数：19 被引量：16H指数：2
- 供职机构：上海大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学化学工程更多>>
- 铅的硫族化合物半导体单晶的制备方法
- 本发明涉及一种铅的硫族化合物半导体单晶的生长和制备方法，属于半导体单晶制备工艺技术领域。本发明采用高纯度的金属铅粉和硫族元素S、Se或Te粉按一定摩尔比称取重量，将两者放置于石英管内，石英管内抽真空，真空度达10<Sup...
- 张建成吴汶海
- 文献传递
- 碱金属、碱土金属氯化物熔体与碲镉汞熔体之间的平衡
- 王才豪吴汶海
- 关键词：熔体红外材料熔体晶体生长
- Hg_(1-x)Cd_xTe平衡蒸汽压的热力学研究
- 1996年
- Hg_(1-x)Cd_xTe熔体组元平衡蒸汽分压是晶体制备中必须考虑的重要热力学参数,文献报道中数据差别很大,影响对该材料进一步研究.本文根据光吸收原理,系统测定x=0～0.4的Hg_(1-x)Cd_xTe系熔体平衡汞和碲分压,运用热力学关系计算镉分压,讨论P_(Hg)～x关系。
- 桑文斌吴汶海
- 关键词：HGCDTE势力学蒸汽压光吸收
- 双光路法测量化合物及合金熔体平衡蒸气分压
- 1989年
- 由(Hg_(1-(?))Cd_x)_y(Te_(1-y))在不同温度下的蒸气分压,可以求得P～T～x的关系,从而指导长晶工艺和液相外延,提高晶体质量.因此,平衡蒸气分压的测定,在理论上和经济上均有重要意义.但是,人们不能用压力计来测量高温、高压下气体的压力,特别是有强烈腐蚀性的气体.压力计将被腐蚀而不能正常工作.再说,压力计也只能测量化合物蒸气压的总压力,而不能测量各组分的分压.因此,测量高温、高压下化合物或合金熔体蒸气分压只能用间接的方法,这给技术上带来一定困难.目前有高压迥流法、露点法及光谱吸收法等.文献[4]报道了单光路法测定CdTe熔体平衡蒸气分压.
- 周书铨桑文斌谢敏吴汶海
- 关键词：化合物合金
- 露点法测定Hg_（1－x）Cd_xTe熔体平衡Hg蒸气压被引量：1
- 1996年
- 露点法测定Ｈｇ＿（１－ｘ）Ｃｄ＿ｘＴｅ熔体平衡Ｈｇ蒸气压桑文斌，于美云，吴汶海（上海大学，嘉定校区）关键词碲镉汞，平衡汞分压，露点测定ＨｇｏｄＴｅ是当今世界上极其重要的一种红外探测器材料，国内外都十分重视这种材料的研究．无论从熔体生长晶体还是液相外延...
- 桑文斌于美云吴汶海
- 关键词：HGCDTE
- 类金刚石薄膜作为HgCdTe红外器件增透膜和钝化膜的研究被引量：5
- 1998年
- 采用高频等离子化学气相沉积法（ＲＦＣＶＤ）在ＨｇＣｄＴｅ红外器件上沉积类金刚石薄膜。俄歇电子能谱对ＤＬＣ／ＨｇＣｄＴｅ界面分析结果表明类金刚石薄膜中的碳原子对衬底材料影响较小，７０ｎｍ的类金刚石薄膜能抑制衬底组份的外扩散，而且具有纯度较高的类金刚石薄膜外表面层，是一种理想的钝化膜材料。红外透射光谱测试结果表明类金刚石薄膜在较宽的波长范围内（４１２μｍ）具有明显的增透效应。
- 居建华吴汶海许俊芬戴文琦夏义本
- 关键词：类金刚石薄膜红外器件增透膜钝化膜
- 影响InGaP／InP半导体激光器阈值电流密度若干问题的研究
- 1996年
- 本文对影响ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器阈值电流密度的晶格失配，掩埋异质结构和掺杂控制等问题进行了分析和讨论．从Ｋｕｐｈａｌ和Ａｒａｉ模型着手计算了与ＩｎＰ晶格匹配ＩｎＧａＡｓＰ的熔体组成．并从实验上进行了仔细调整．获得了激射波长为１．３μｍ．失配量≤１．４×１０－３的ＤＨ结构ＬＰＥ工艺条件．探讨了新的腐蚀工艺和二次外延工艺参数对掩埋异质结构形成的影响；提出采用二次外延过程中Ｚｎ扩散来控制限制层（３）掺杂的新方法，避免了纵向ｐ－ｎ结偏位现象的出现．获得了室温下阈值电流最低小于２５ｍＡ、在６０ｍＡ直流驱动下单面光输出功率高达１２．５ｍＷ、激射波长为１．３μｍ的ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰＤＣ－ＰＢＨ激光器．
- 桑文斌闵嘉华钱永彪莫要武陈培峰王林军吴汶海刘苏生张向东
- 关键词：INGAASP半导体激光器磷化铟阈值电流密度
- 用RAS模型估算半磁半导体Cd_（1－x）Mn_xTe富碲溶液蒸汽压
- 1995年
- Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ富碲溶液的平衡蒸汽压是设计优化生长装置和获得最佳生长条件所不可缺少的．本文用缔合规则溶液（ＲＡＳ）模型估算了Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ富碲溶液的平衡蒸汽压，并且和实验结果进行了定性比较．
- 莫要武吴汶海
- 关键词：半导体半磁半导体
- 制备铅的硫族化合物半导体单晶的装置
- 本实用新型涉及一种制备铅的硫族化合物半导体单晶的装置，属半导体单晶制备工艺技术领域。本实用新型装置主要包括有外石英管2、内石英管4、立式加热炉10、滑轮11和马达12。外石英管2与底部敞开的内石英管4间焊有接合缝5，以固...
- 张建成吴汶海
- 文献传递
- 碲镉汞物理与化学钝化界面的AES研究被引量：2
- 2002年
- 采用化学和物理方法分别在Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ(ＭＣＴ)表面制备了阳极氟化膜、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ和类金刚石薄膜(ＤＬＣ)钝化层．采用俄歇光谱(ＡＥＳ)和红外透射光谱(ＩＲ)研究了这些钝化层与ＭＣＴ之间的界面特性．结果表明:与阳极氟化膜和ＣｄＴｅ膜相比,ＺｎＳ和ＤＬＣ膜能较好地抑制ＭＣＴ组元的外扩散．ＺｎＳ层中的Ｚｎ和Ｓ易于向ＭＣＴ内部扩散,而且发现在ＺｎＳ层中有Ｏ的存在,这可能是由于ＺｎＳ易与空气中水份发生作用所致．而ＤＬＣ中Ｃ向ＭＣＴ内表面扩散较少．ＭＣＴ表面沉积ＤＬＣ薄膜后红外透过率较ＺｎＳ有明显的提高．
- 史伟民李冬梅钱永彪居建华王林军闵嘉华桑文斌吴汶海
